KMgF3:Mn2+晶体自旋晶格-耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下,建立了轴对称(三角和四角)晶场中3d5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式,进而得出相应的自旋-晶格耦合系数G11和G44.并将上述公式应用于KMgF3Mn2+晶体,在不引入调节参量的情况下,得到的计算值G11和G44与实验结果符合较好.     

KMgF_3∶Mn~(2 )晶体自旋晶格-耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下 ,建立了轴对称 (三角和四角 )晶场中 3d5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式 ,进而得出相应的自旋 晶格耦合系数G11和G4 4.并将上述公式应用于KMgF3 ∶Mn2 晶体 ,在不引入调节参量的情况下 ,得到的计算值G11和G4 4与实验结果符合较好 .     

ThSiO4晶体中Yb^3＋离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量，计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb^3 离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子，计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。     

ThSiO4晶体中Yb3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量， 计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb3+离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子, 计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。      

过渡金属钨钼碳化物和氮化物的弹性常数计算

利用局域密度泛函理论和LMTO-ASA方法结合线性弹性理论,从第一原理计算了B1结构的WC、MoC、WN和MoN晶体的弹性切变模量C_(11)-C_(12)和C_(44),再由体弹性模量B_o=(C_(11)+2C_(12))/3求得上述四种晶体的弹性常数C_(11),C_(12)和C_(44),由于目前尚无上述四种晶体的弹性常数实验数值,本文的计算结果可作为一种理论预测值。     

3Cu(IO3)2·2H2O中Cu2+离子两种占位的吸收光谱和g因子

在晶体场理论基础上,推导出了3d9离子在压缩四角对称晶场中2B1g态混合进基态2A1g的EPR g因子的三阶微扰公式.用该公式研究了晶体3Cu(IO3)2·2H2O中Cu2+离子两种占位的EPRg因子,并分别计算了它们的电子吸收能级,理论研究合理地解释了实验结果.     

压缩四角晶场中NH4Cl：Cu^2＋的g因子研究

本文推导了3d^3 离子在压缩上角晶场中的电子能级和EPRg因子的3阶段微扰公式，并用该公式研究了晶体CH3Cl中掺杂Cu^2 离子的电子吸收光谱和EPRg因子，结果较为满意。     

CaF2晶体中四角对称的Yb3+- F-中心的电子顺磁共振参量的理论研究

作者用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由光谱获得的晶场参量，计算了CaF2晶体中四角对称的Yb^3 -F^-中心的电子顺磁共振参量(g因子和超精细结构常数Ai)，计算结果与实验结果符合较好。     

D_(4h)对称下~5D,~3L和~1L态的哈密顿矩阵研究及它的应用

本文推导了3d4／3d6离子在D4h对称下5D、3L（L＝P，D，F，G，H）和1L（L＝S，D，F，G，H）态的哈密顿矩阵元，其中包括晶场、自旋-轨道、自旋-自旋相互作用及Trees’修正．基于这个矩阵，利用完全对角化方法，研究了K2FeF4中Fe2＋离子的EPR零场分裂参量D，a，F，所得结果与实验符合很好．将本文结某与以前研究比较证明晶体中Fe2＋的低自旋态（3L和1L）对零场分裂的贡献是重要的，尤其对四阶零场分裂参量a和F.进一步研究是必要的。     

Cu0.5Zr2(PO4)3:Cu2+中心g因子研究

由于Cu0．5Zr2(PO4)3晶体具有良好的离子传导能力、催化特性、较低的热膨胀性，对它的研究引起了广泛的关注．本文引入平均共价因子N，并结合晶体结构数据给出了3d^9离子在晶场D4h下的g因子公式，利用该公式并结合Cu0．5Zr2(PO4)3晶体的具体结构数据对Cu0．5Zr2(PO4)3晶体中CU^2 中心的EPRg因子进行了理论分析计算，所得到的结果与实验值基本吻合．     

KMgF_3∶Ni~(2+)晶体局域结构研究

采用赵敏光等的μkα模型，在强场图象中建立了3d^8电子组态的多重态计算公式，利用高阶微挠公式推导出顺磁g因数的计算解析表达式，并在能量矩阵、g因数与掺杂真实晶体结构常数之间建立起关联公式．将此模型应用于KMgF3：Ni^2＋晶体，计算其d—d跃迁光谱和EPR谱并与实验数据对比，发现KMgF3晶体在掺入Ni^2＋后其结构应发生同向延伸变化，畸变量△R=0．004nm，计算结果与实验值符合较好．     

[(C_5H_5FeC_5H_4)_2CR,R′](R=CH_3;R′=C_3H_7,CH_2Ph)的晶体和分子结构

用浓硫酸-甲醇为催化剂,在85-90℃反应温度下,进行二茂铁与酮或醛的非均相缩合反应,合成了标题化合物.用Al_2O_3色谱柱提纯,苯加石油醚培养晶体.晶体在CAD-4四园衍射仪上MoK_α射线收集衍射数据,PDP11/44计算机上进行结构解析,结晶学数据见表1,文中对化合物的结构作了讨论.     

三角对称晶场中配体旋—轨耦合效应对D值和g因子的改进

本文以强场图象处理三角对称晶场d~2,d~8电子组态,考虑共价效应的影响。自旋—轨道耦合效应采用了分子轨道方法,用微扰环理论推导出包括配体的旋—轨耦合作用在内的d~2,d~8 电子组态的零场分裂D 值和g 因子(g_(11)和g(?))微扰公式,对C_sN_iX_3(X=Cl,Br,I)晶体作了具体计算,得到了一些有意义的结果。     

ZnSiF_6·6．6H_2O·V~（2＋）的零场分裂D和三角畸变的研究

本文利用高阶微扰公式研究了三角晶场中３ｄ３离子零场分裂Ｄ与晶体畸变的关系，井由此判定晶体ＺｎＳｉＦ６·６Ｈ２Ｏ：Ｖ２＋的局域结构应为伸长的三角畸变：在此基础上，进一步研究了零场分裂Ｄ和顺磁ｇ因子与静水压的联系。     

Nd3+∶Er3+∶YAlO3激光晶体中的能级结构

利用晶体场理论和不可约张量方法，采用中间态耦合及新的参数公式，对稀土离子能级精细结构及波函数进行理论计算，给出Er     

Cr3+离子在SrLaAlO4中电子顺磁共振参量的理论研究

电子顺磁共振谱(electron paramagnetic resonance,EPR)参量对杂质离子局域结构极为敏感,对EPR参量的理论研究可以用来确定材料的离子占位和缺陷结构等.从晶体场理论出发,用高阶微扰公式和晶体结构数据和重叠模型获得晶场参量,计算出Cr3+离子在八面体晶体SrLaAIO4中的的自旋哈密顿参量g因子和零场分裂参量D,计算中所用到的参量由该晶体的光谱和结构数据获得,计算结果和实验数据较为符合,并对计算结果进行了分析.     

Mn^2＋离子在LiNbO3晶体中的占位研究

本文采用晶场叠加模型和应用高阶微扰公式计算了＾６Ｓ态离子在三角晶场中的零场分裂参量Ｄ、ａ－Ｆ。研究表明，ＬｉＮｂＯ３：Ｍｎ＾２＋晶体中Ｍｎ＾２＋离子占Ｌｉ＾＋位，并且在Ｃｏｎｇｒｕｅｎｔ ＬｉＮｂＯ３晶体中Ｍｎ＾２＋沿Ｃ３轴向八面体中心移动约０．１Ａ。本文结论与ＥＮＤＯＲ研究一致。     

镁铁双掺杂LiNbO3晶体的光谱研究

测试了镁铁双掺杂LiNbO3晶体的紫外－可见和红外吸收谱，发现掺镁阈值以下的晶体在482．5nm处有一小吸收峰，认为是由晶体场引起的FeLi^3 离子d-d禁戒跃迁所至，在掺镁超过阈值的晶体中此峰趋于消失，说明Fe^3 离子掺镁阈值前后所处的晶体场发生了变化，进而推测了铁离子的占位发生了变化。结合OH^-谱3504cm^-1吸收带的出现，进一步说明了阈值以上Fe进入Nb位。     

Cu0.5Zr2（PO4）3中Cu^（2＋）离子中心各向异性g因子研究

采用3d离子斜方对称g因子的高阶微扰公式计算了Nasico型晶体Cu0.5Zr2（PO4）3中Cu^（2＋）离子中心各向异性g因子（gx，gy，gz），其中斜方晶场参量由重叠模型并联系晶体中Cu^（2＋）离子所处的局部结构确定。研究表明，晶体中Cu^（2＋）离子中心配体八面体平面键角相比理想斜方对称的90°要小10°左右，由此所得的因子计算结果与实验符合较好。     

NH4F和Cs2ZnCl4中掺杂Cu2+离子各向异性g因子的研究

在一些四配位四面体的晶体中，过渡金属络离子(MLx)^n-往往具有较强的共价性和各向异性的EPRg因子，在晶体场理论基础上，研究了晶体NH4F以及Cs2ZnCl4中掺杂Cu^2 离子基态b2g的EPRg因子，理论计算与实验结果符合好。