KMgF_3∶Mn~(2 )晶体自旋晶格-耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下 ,建立了轴对称 (三角和四角 )晶场中 3d5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式 ,进而得出相应的自旋 晶格耦合系数G11和G4 4.并将上述公式应用于KMgF3 ∶Mn2 晶体 ,在不引入调节参量的情况下 ,得到的计算值G11和G4 4与实验结果符合较好 .     

KMgF3:Mn2+晶体自旋晶格-耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下,建立了轴对称(三角和四角)晶场中3d5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式,进而得出相应的自旋-晶格耦合系数G11和G44.并将上述公式应用于KMgF3Mn2+晶体,在不引入调节参量的情况下,得到的计算值G11和G44与实验结果符合较好.     

无隔膜电解氧化Mn^2＋／Mn^3＋电流效率的研究

在有机电解合成工业中,硫酸介质中的Mn^2 /Mn^3 是最常用的氧化媒质。采用无隔膜电解槽,设备简单容易操作,有利于有机电解合成的工业化进程。研究电解电流密度、电极间距、温度以及超声波等各种因素对电解电流效率的影响。实验结果表明电流密度如果控制在800A/m^2左右,温度选取35-45℃之间可以获得较大的电流效率。     

Al2O3：Ni^2＋晶体的自旋哈密顿参量和光谱精细结构

本文用完全对角化方法计算了Ａｌ２Ｏ３：Ｎｉ＾２＋的光谱精细结构的ＥＰＲ参量，得到了与实验相符合的结果。同时，本文首次考虑了自旋－自旋相互作用对Ｎｉ＾２＋离子的ＥＰＲ参量和光谱精细结构的影响。     

KZnF3：Fe^3＋晶体中Zn^2＋—空位研究

本文通过对零场分裂参量的理论计算，证实了ＫＺｎＦ３：Ｆｅ＾３＋晶体中Ｚｎ＾２＋－空位方向的配体要移动。     

旋轨耦合作用对Ti3+:Al2O3能级分裂的贡献

运用晶体场理论对钛宝石能级分裂的精细结构进行了计算，结果说明，在不计Jahn-Teller效应的情况下，考虑晶场和自旋一轨道耦合的共同作用能很好的解释其基态能级分裂，解决了Macfarlane认为不能用晶体场理论进行计算的困难．理论数据与实验结果符合得很好．     

ZnF2：Ni^2＋晶体局域结构的理论研究

从光谱和EPR数据出发,用完全对角化方法确定了ZnF2：Ni^2＋晶体中的Ni^2＋-F^-键长与键角,证实了ZnF2：Ni^2＋晶体的局域结构畸变的存在.研究结果表明：ZnF2：Ni^2＋晶体与ZnF2基晶的结构参数对比,发现掺杂Ni^2＋离子的ZnF2晶体分别产生了沿C2轴的伸长畸变和在xy平面的压缩畸变;光谱和EPR参量计算的理论值与实验值非常接近.     

Zn1—xMnxSe中Mn^2＋电子自旋翻转能级的光致发光谱

用光致发光谱（PL）方法研究不同温度下Zn1-xMnxSe中Mn^ 内部3d壳层电子^4T1(^4G)→^6A1(^6S)跃迁的发光特性。实验结果表明,随着温度的升高,Zn1-xMnxSe(x=0.11,0.17)的发光谱的发光峰位置产生蓝移,这一变化规律主要是由于温度升高引起晶格膨胀,从而削弱配位场效应所造成的。     

YBa_2Cu_3O_7中Cu的NQR自旋晶格弛豫研究

在室温至77K 范围内,测量了 YBa_2Cu_3O_7高 T。超导体中 Cu 的核四极共振的自旋晶格弛豫时间。磁化矢量的增长服从单指数规律,自旋晶格弛豫主要由于磁偶极相互作用。弛豫时间与温度的关系,在 T_o 以上可近似用 T_1T~(0.5)=常数拟合,在 T_o 以下,未观察到经典 BGS 超导体的弛豫行为。     

YBa_2Cu_3O_7中Cu的NQR自旋晶格弛豫研究

在室温至77K范围内,测量了YBa_2Cu_3O_7高T_c超导体中Cu的核四极共振的自旋晶格弛豫时间.磁化矢量的增长服从单指数规律,自旋晶格弛豫主要由于磁偶极相互作用.弛豫时间与温度的关系,在T.以上可近似用T_1T~(0.5)=常数拟合,在T.以下,未观察到经典BCS超导体的弛豫行为.     

ThSiO4晶体中Yb^3＋离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量，计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb^3 离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子，计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。     

CsCl：Cr和CsBr：Cr的光谱和g因子的理论研究

文用参量化轨道理论和双自旋轨道语系数模型计算了掺Cr^3 的CsBr和CsBr晶体的光谱和顺磁g因子,得到了和实验数据符合很好的结果。     

Er^3＋：Li3Ba2Gd3（MoO4）8晶体的生长和光谱性能研究

采用顶部籽晶法生长了Er^3＋：Li3Ba2Gd3（MoO4）8晶体,测量了晶体的室温吸收谱和荧光谱,并根据J-O理论分析了Er^3＋在Li3Ba2Gd3（MoO4）8晶体中的光谱参数。其强度参数为Ω2=14.20×10^-20,Ω4=1.75×10^-20,Ω6=1.47×10^-20cm^2。根据F-L公式计算了晶体在1.5μm处的发射截面,其峰值为1.10×10^-20cm^2,位于1535 nm处。结果显示,Er^3＋：Li3Ba2Gd3（MoO4）8晶体是一种有潜力的固体激光材料。     

Sm^3＋：NaY（WO4）2激光拉曼晶体的生长与性能表征

采用提拉法（CZ法）生长出了Sm^3＋：NaY（WO4）2（简称Sm^3＋：NYW）单晶,给出晶体的较佳生长工艺：晶体沿[100]生长,转速为15-20r／min,提拉速度为1．0-2．0mm／h,分五个程序退火。TG—DTA分析得到晶体的熔点为1203℃。通过等离子体发射光谱仪检测晶体中稀土元素Sm^3＋的含量。另外,测量了室温下250--2000nm范围内的吸收和透过光谱以及在405nm激发下的上转换荧光发射谱。结果表明：Sm^3＋ NYW晶体具有易于生长、分凝系数高、吸收峰强、吸收带宽等优点,在LD泵浦的激光器中将具有较好的应用前景。     

Al2O3：Ni^2＋晶体的局域结构研究

应用配位场理论、微扰理论以及叠加模型，建立了零场分裂(Zero-Field Splitting)参量D与Al2O3：Ni^2 晶体局域结构之间的关系式，并通过计算零场分裂参量D值，发现掺Ni^2 离子的Al2O3晶体上、下三棱锥分别产生了沿C3轴的压缩畸变和伸长畸变，零场分裂参量计算结果与实验符合．     

三角对称下d~（3，7）离子全组态EPR理论及其对激光晶体KZnF_3：Cr~（3＋）的应用

本文借助于完全能量矩阵和Ｎｅｗｍａｎ的叠加模型建立了ｄ（３，７）（Ｃ）离子的全组态ＥＰＲ理论，并应用它研究了ＫＺｎＦ３：Ｃｒ（３＋）晶体．通过各向异性ｇ—因子及ＥＰＲ零场分裂参量Ｄ的研究，预言了Ｋ＋空位最邻近的Ｆ（－１）离子分别偏离Ｃ３轴２．６６１°和—１．１４９°．     

NH4ZnPO4: Mn2+晶体的g因子和零场分裂的理论研究

采用半自洽场3d轨道模型、点电荷模型和平均共价因子模型,计算了NH4ZnPO4：Mn^2＋晶体中Mn^2＋电子顺磁共振的g因子和零场分裂参量D、E．计算结果显示D、E的理论值和实验值（D=176×10^-4cm^-1、E=58×10^-4cm^-1）符合得很好,并分析指出了g因子的反常．     

直流电弧放电法制备Er^3＋-Yb^3＋：Al2O3纳米粒子的上转换发光特性研究

采用直流电弧放电法成功制备了粒度约60nm的Er^3＋-Yb^3＋共掺杂Al2O3纳米粒子.通过978nm激光二极管（LD）激发,获得位于526,547nm的绿色和677nm的红色上转换发光,分别对应于Er3＋的2H11/2→^4 I15/2,^4 S3/2→^4 I15/2和^4 F9/2→^4 I15/2跃迁.退火对于样品的上转换发光具有较大影响：退火前,红色发光明显,退火后则以绿色发光为主.（ErYb）3Al5O12和α-（Al,Er,Yb）2O3混合相中增强的激发态吸收^4I11/2＋光子→^4F7/2和能量传递^2F5/2（Yb^3＋）＋^4I11/2（Er^3＋）→^2F7/2（Yb^3＋）＋^4F7/2（Er^3＋）过程导致绿色上转换发光显著增加.绿色和红色上转换发光过程均为双光子上转换吸收.结果表明直流电弧放电法是一种极具发展潜力的光学材料制备方法.