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相似文献
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1.
用高温熔融法制备了Eu2+单掺和Dy3+-Eu3+、Tb3+-Eu3+共掺的硼铝酸盐玻璃,研究了其激发和发射光谱性能.结果表明:Eu2+单掺的玻璃在蓝光区域能够产生有效激发,并且发射峰呈现黄绿色发光,随着B2O3含量的增加,玻璃的配位场强度降低,Eu2+的发射峰发生蓝移.Dy3+-Eu3+共掺玻璃中Dy3+在451 nm处呈现最强激发峰,在其激发下Dy3+向Eu3+产生能量传递,并发出蓝、黄和红光.Tb3+-Eu3+共掺玻璃在482 nm蓝光的激发下,Tb3+向Eu3+产生能量转移,并发出绿、黄和红发光.这些发射带与蓝光发光二极管(LED)复合可产生白光.  相似文献   

2.
采用高温熔融法一次成型制得了一种高亮度硼铝锶长余辉发光玻璃陶瓷.研究了B2O3含量对Eu2 ,Dy2 共掺杂硼铝锶长余辉发光玻璃陶瓷晶相组成和发光性能的影响.XRD结果表明:随着B2O3含量增加,样品中SrAl2O4相减少,SrAl2B2O7等杂相增加,从而发光性能降低.样品的激发光谱和发射光谱显示:长余辉发光玻璃陶瓷的激发峰位于370 nm,发射峰位于520 nm,归属于Eu2 的5d→8S7/2特征发光;改变B2O3含量并不会改变样品的激发峰位和发射峰位.增加B2O3含量,降低熔点,发光亮度也降低,余辉时间缩短.B2O3的摩尔百分含量为18.53%时各项性能最佳,初始亮度可达16 cd/m2,激发停止330 min时仍能达到7.96 med/m2,余辉时间长达50h.  相似文献   

3.
采用高温固相法制备了不同Eu2 离子含量的BaMgAl10O17:Eu2 (BAM)荧光粉,研究了Eu2 离子含量对BAM荧光粉热劣化的影响,及BAM荧光粉分别在空气中及Ar气中经不同温度及热处理工艺处理后的色坐标y值变化情况.结果发现热劣化后y值的漂移取决于热劣化温度,与Eu2 含量关系不大.当经温度为400℃附近的热劣化后,y值出现上升,而经600℃或更高温度劣化后,y值出现下降.非氧化性气氛中,热劣化导致的y值变化能通过热处理进行回复.BAM荧光粉在无氧的条件下也会发生热劣化现象,Eu2 离子晶体格位的迁移导致了y值的漂移,氧能明显加剧热劣化程度.  相似文献   

4.
BaMgAl10O17:Eu2+荧光粉包膜研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
采用非均匀成核法对BaMgAl10O17:Eu2 (BAM)蓝色荧光粉进行了包膜处理.TEM分析结果表明,BAM蓝粉表面形成了一层连续均匀的γ-Al2O3包膜,通过XPS对包膜层与荧光粉之间的结合机制进行了分析.结果表明,经包膜处理后O1s谱峰的峰形没有发生变化,没有伴峰产生,Al2p峰位从未包膜时的74.404 9 eV降至了包膜后的73.606 7 eV,其化学位移为0.465 2 eV.这表明膜层与荧光粉基体之间是以化学吸附的形式结合在一起的.热劣化试验结果表明,包膜BAM蓝粉在经600 ℃灼烧后,相对亮度为85%,抗劣化性能得到了显著提高.  相似文献   

5.
研究了TeO2-BaO-Eu2O3玻璃中Eu离子掺杂浓度对其发光性质的影响.分别用TU-1901 UV-VIS紫外可见光谱仪和F-2500荧光光谱仪测量样品的吸收光谱和发射光谱与激发光谱.结果表明:所有的样品在330 nm左右有一个很强的吸收带;Eu-O电荷迁移带的强度与Eu离子掺杂浓度密切相关;相对于基质吸收,Eu离子的本征吸收强度随掺杂离子浓度的提高而增强;在394 nm光的激发下,Eu离子发光主要位于594 nm和615nm左右,相对于5D0→7F1,5D0→7F2跃迁发射受Eu离子掺杂浓度的影响.  相似文献   

6.
选择硼硅酸盐体系,采用两步法制备了Eu,Dy掺杂的硼硅酸盐基质玻璃,并对其进行了激发光谱和发射光谱的分析.实验结果表明:该发光玻璃经紫外光激发后,发光峰位于482nm,为Eu2+的典型发射峰.发光粉的最佳掺入量为40%,同时随着烧制时间的延长,发光玻璃的发光时间及余辉强度都逐渐下降.  相似文献   

7.
在研究不同配比的发光粉基质材料铝酸锶的基础上 ,对Sr0 .95Eu0 .0 2 5Dy0 .0 2 5O·Al2 0 3 和 4(Sr0 .95Eu0 .0 2 5Dy0 .0 2 5O)·7Al2 O3 进行发射光谱的测试和SEM分析 ,得出Eu2 + 处在不同晶格结构中发射光谱不同的结论 .  相似文献   

8.
以Yb^3 -Er^3 共掺的B2O3-P2O5-MO-R2O-Al2O3(M=Zn,Ca,Sr,Ba;R=Li,Na,K)玻璃系统为研究对象,分别分析了B2O3的含量以及加入不同种类的碱金属和碱土金属氧化物对玻璃的光谱性质的影响.研究结果表明,随着B2O3含量的提高,玻璃的自发辐射跃迁几率降低,辐射寿命增长,但吸收截面、相应的积分吸收截面和发射截面减小,玻璃的折射率在B2O3含量为15%(摩尔分数)时达到极小值.随着修饰体阳离子场强的升高,吸收截面和发射截面有增大趋势.  相似文献   

9.
利用熔融—晶化法制备了铕掺杂NaY(WO4)2玻璃陶瓷,主晶相为NaY(WO4)2(48-0886)。研究了热处理条件对玻璃陶瓷样品的晶相、透过率和荧光强度的影响。随着热处理时间的增加,晶相没有变化,透过率逐渐降低,荧光强度呈现先增加后减小的趋势。确定了最佳的热处理条件:在650℃保温3 h。在395 nm光的激发下,铕掺杂NaY(WO4)2玻璃陶瓷样品在592 nm和616 nm附近存在发射峰,分别归属于Eu3+5D07F15D07F2跃迁。在相同热处理条件下,研究了不同Eu2O3掺杂浓度的发射光谱,确定了最佳的掺杂浓度为0.6 mol%。  相似文献   

10.
采用高温固相法合成了Ca3B2O6:Eu3+红色荧光粉,并对其发光性质进行了研究.样品的激发光谱由位于220~350 nm的带状谱和350~500 nm的一系列窄带组成,这些窄带是由Eu3+的f-f跃迁引起的,光谱峰值分别为280,396和469 nm.它可以被近紫外光辐射二极管管芯产生的350~410 nm辐射有效激发.用396 nm激发得到样品的发射光谱,峰值位于578,590,610,618和650 nm,分别由Eu3+离子的5D4→7FJ(J=0,1,2,3)跃迁引起的.研究了Eu3+离子浓度和电荷补偿剂对发射光谱的影响.结果显示随着Eu3+浓度增加,发光强度逐渐增强,未发现浓度猝灭现象.掺入Li+,Na+,K+3种离子作为电荷补偿剂,均提高了样品的发光强度,其强度从大到小依次为I(Li+)I(Na+)I(K+),说明Li+是最佳的电荷补偿剂.  相似文献   

11.
利用微乳液—共沉淀高温法制备出了掺杂Eu2 摩尔比为10%的BaMgAl10O17:Eu2 (BAM)蓝色发光荧光粉。X-射线衍射(XRD)图谱分析表明所得粉体为单一相;场发射扫描电镜(FE-SEM)照片及粒度分布测试均显示其粒径在2μm左右;真空紫外光辐射下的发光光谱(VUV-PL)显示所得粉体在147及172 nm处有较强的真空紫外吸收,172 nm光激发下的粉体在450 nm处呈现强的宽带发射;单指数拟合后的荧光寿命是1.03μs;最大内量子效率值为0.87±0.04;色坐标(x=0.144,y=0.063)显示所得粉体发光位于标准蓝色区;高温及真空紫外光照射劣化试验表明,利用该方法制备的BAM更稳定、更适合于等离子显示的应用。  相似文献   

12.
13.
采用助熔剂预烧-共沉淀法制备初始荧光亮度较高的SrAl2O4:Eu^2+,Dy^3+发光粉体,并利用XRD、SEM、PL光谱等表征手段研究了预烧结过程与硼酸掺杂对发光粉体的结构与荧光性能的影响。结果表明:在硼酸摩尔分数为0.3和300℃空气气氛下对前驱体预烧结2 h后,粉体的结晶性能得到改善,其初始荧光强度相对于未预烧的产品,提高了2倍多。初步研究了其发光机理,发现初始强度提高的原因是经过预烧结处理能够在Eu^2+周围产生更多的氧缺陷,从而提高了发光中心的发光效率和强度。  相似文献   

14.
采用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了ZnGa2O4:Eu3+红色荧光粉,利用XRD、SEM、PL和EL光谱手段,表征了样品的结构、形貌和发光性能.结果表明:Eu3+的掺杂浓度是6at%,在空气气氛中800℃热处理5h即可获得结晶性好的ZnGa2O4单相;SEM结果表明粉末样品颗粒形状不规则,粒径大小在30~50nm之间;PL和EL光谱图显示两者发光机制的本质相同,最强峰位于613nm处,属于红光发射,是5D0→7F2电偶极跃迁发射所致.  相似文献   

15.
采用水热方法, 通过调节前驱体的pH值, 得到不同形貌的立方相Lu2O3:Eu3+纳米棒、纳米片和纳米颗粒。利用粉末X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱、光致发光(PL)谱和荧光寿命(FL)等技术对所制备的纳米晶进行了系列表征。随着纳米晶尺寸的减少, 样品的荧光强度明显减弱, 这是由于吸附在纳米晶表面的OH-含量逐渐增加, 加速了非辐射弛豫从而降低了发光效率。此外, 也观测到源于纳米晶表面Eu3+离子的逐渐加强的624 nm发射以及在长波侧不断延伸的电荷迁移带长激发尾。  相似文献   

16.
对于Ba1-xEuxMgF4体系,当E2+u掺杂浓度(x)小于0.10时,其发光性质与前人研究结果相同。当E2+u掺杂浓度(x)大于0.10时,样品的发射光谱、激发光谱与荧光衰减情况都发生了明显改变。x射线衍射证明,这是由于结构的改变引起的。  相似文献   

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