Hg系高Tc超导体（Hg0.8M0.2）Sr2（Y1—xCax）Cu2O6＋δ的喇 …

对Ｈｇ系高Ｔｃ超导体（Ｍｇ０．８Ｍｏ０．２）Ｓｒ２（Ｙ１－ｘＣａｘＣｕ２Ｏ６＋δ）的晶格振动进行了化分析,给出了该晶体在Γ点晶格振动的对称性分类。利用红外光声光谱结合喇曼散射研究了该系列样品的声子振动性质。实验结果表明,在喇曼光谱中主要出现１４５,３２０,４４０,５７,５９２ｃｍ＾－１几个特征振动峰。在中红外吸收光谱（光声光谱）中出现６４５ｃｍ＾－１特征振动峰,而１４５,３２０,４４０,５７８,６     

Cu、O同位素效应与高Tc超导体超导电性机理

Cu元素、O元素在铜氧化物高Tc超导体中对超导电性的产生,超导转变温度的变化,掺杂元素的特征效应具有决定性作用。对Cu元素、O元素的性质特征认识,成键特点,以及在铜氧化物高Tc超导体中的同位素效应清楚的理解,对全面揭示高Tc铜氧化物超导体超导电性机理具有关键作用。通过分析Cu元素、O元素在铜氧化物超导体中的同位素效应,得出了高Tc铜氧化物超导电性的机理仍是电声机制,CuO2平面上的Cu元素,O元素的声子直接参于电声子配对,CuO2平面上的Cu、O元素的键态的声子模对电声配对具有决定性作用。     

高Tc超导体Y—Ba—Cu—O超导临界涨落的正电子湮没研究

利用正电子湮没技术寿命谱测量系统首次细致地测量了高Tc超导体Y-Ba-Cu-O材料在Tc转变点附近的正电子湮没寿命谱参数的变化特性,发现在Tc处正电子湮没寿命呈峰。根据超导涨落的KSS理论和BCS超导理论的形式,推导出了正电子在超导转变温度Tc附近超导态和正常态内的湮没率公式。经计算机数值积分得到与实验一致的结果,从而解释了实验上发现的异常现象。     

Ce0.8Pr0.2-x Smx O2-δ(x=0.02,0.05,0.10)固溶体的合成及性质

采用溶胶-凝胶法制备固体电解质Ce0.8Pr0.2-xSmxO2-δ(x=0.02,0.05,0.10).XRD结果表明:800℃煅烧后的全部样品皆为单一的立方萤石型结构,平均晶粒尺寸为19～28 nm;Raman光谱结果表明:立方萤石结构的Ce0.8 Pr0.2-x Smx O2-δ 固溶体中存在氧空位,在Ce0.8 Pr0.2-x Smx O2-δ 中掺入钐可提高氧空位浓度;阻抗谱测试表明:稀土双掺杂Ce0.8 Pr0.15 Sm0.05 O2-δ 的电导率高于单一稀土掺杂Ce0.83 Sm0.17 O2-δ 的电导率,且Ce0.8 Pr0.15 Sm0.05 O2-δ的电导率最大,σ600℃为1.2×10-2 S/cm,这归因于样品Ce0.8Pr0.15Sm0.05O2-δ 中较高的氧空位浓度和小极化子的跃迁.     

Ba(Y1-xCex)2Si3O10的光声光谱分析研究

室温条件下测定了Ba(Y1-xCex)2Si3O10(x=0.05,0.07,0.09)的漫反射吸收光谱、光声振幅谱和光声相位谱.由于高浓度掺杂使得Ce3+与Ce3+之间发生有效能量传递,从而导致Ba(Y1-xCex)2Si3O10(x=0.05,0.07,0.09)的漫反射吸收光谱强度依次降低,光声光谱强度依次增大.利用光声振幅谱结合相位谱的方法研究发光效率随掺杂浓度的变化,发现Ba(Y1-xCex)2Si3O10(x=0.05,0.07,0.09)3种不同掺杂浓度试样的发光效率依次降低.     

Gd在Ba_2RCu_3O(7+δ)(R=Y,HO)高温超导体表面上引起的化学反应

本文利用X射线光电子谱(XPS)对Gd原子在Ba_2RCu_3O_(7+8)(R=Y, Ho)高温超导体表面上引起的化学反应进行了研究.实验发现,在该超导样品表面上蒸镀的Gd原子被氧化,超导体中对超导特性起重要作的Cu-O链遭到破坏,其中一部分处于Cu~(2+)态的Cu元素被还原,超导体内其它各元素也不同程度地受到了影响.当样品表面上Gd覆盖度达到22A(R=Y)和30A(R=Ho)时,界面上的化学反应不再继续     

Cr2O3/SiC(M,Y)-Al2O3系稳定的低粘度高固相含量悬浮体的制备

研究了复相Cr2O3/SiC(M,Y)-Al2O3系稳定的高固相含量的低粘度悬浮体的流变特性,找出了影响流变性的主要因素.在碱性条件下,用实验室合成的PMAA-NH4和CM作为复合分散剂以及引入有机单体制备出固相含量高达63(vol)%,粘度为235mPa.s的Cr2O3/SiC(M,Y)-Al2O3悬浮体.