KDP型混合晶体铁电相变的Green函数计算

本文基于隧道穿透的赝自旋模型,利用Green 函数方法对KDP 型混合晶体的铁电相变作了较系统的研究,导出了相变温度、自发极化强度和极化率随浓度变化的关系式,并作了数值计算。所得结果与最近的实验相符。这表明,即使在最简单的截断近似下(Tyablikov 近似),Green 函数方法也可用于研究KDP 型混合晶体的铁电相变。     

关于萘的熔解实验

一、問題的提出萘的熔解在初高中物理固液相变的教材中均是晶体熔解的范例。并且是初中物理实验之一。据从几位中学教师处了解,他们都认为:若按现行初中教材上的装置进行实验,则得不到熔解过程中溫度不变的结果。实验时,萘粉內部溫度尚未达到熔点,其外部就出现了液     

磷酸二氢钾和磷酸二氘钾的高温相变的研究

本文叙述从室温到230℃的温度范围内,借助于高温衍射装置对磷酸二氢钾(KDP)和磷酸二氘钾(DKDP)试样进行的高温X—射线衍射研究。实验表明:KDP在上述温度内在熔化(分解)以前只有一个相转变点,其温度用T_l表示。这个相变点与失水有关。DKDP具有二个不同的相转变点,其温度分别用T_p和T_l表示。T_p是与氘键减弱相关的重建式相变。在这个温度时,晶体结构从四方转变为单斜。这个相变在热力学上为一级相变。晶体试样经历T_p相变以后在室温下放置一段时间即变成四方相。     

铁电相变的简谐子软模图像

在自由边界条件下计算了立方钛酸钡有限尺寸晶体中原子的简谐振动模 ,发现许多简谐子软模。用这些软模花样说明了晶体冷却时发生具有a畴和c畴结构的铁电相变。理论表明铁电相变过程涉及屏蔽电荷的激发及其在界面的缓慢扩散 ,以最后得出各个电畴内部的均匀自发极化。铁电相变过程的这些细节 ,都得到了实验的有力证明     

鋁多晶形變后內耗的變化

一、引言近年来很多作者利用內耗測量获得了不少关于形变后晶休內部結构变化的資料,这些研究的結果可以参看文献[1—7]以及它們所引的一系列文献。在这些研究工作中除了有一些是研究蠕变情况下內耗变化以外,絕大部分工作中形变是在室溫下进行的?蠹抑?在不同溫度下形变的晶体,它們結构会有很大的差别,这方面有很多作者用不同方法已获得大量的資料,但是問題仍然沒有彻底弄清还有待于进一步积累大量的資料。我們工作的目的是观察不同溫度下形变时內耗的变化,它們在保溫过程中的恢复以及不同溫度下形变晶体的內耗——溫度曲綫。从而来此較不同溫度下形变时結构变化的特点。     

掺鎳锗中空位的电学性質

用扩散法制备了摻鎳鍩單晶样品。利用低溫退火的方法在n型摻鎳锗样品中获得了空位,并对其电学性質进行了实驗研究。在300°K-77°K的溫度范圍內研究了載流子浓度的溫度关系,結果沒有观察到位于禁带上半部的空位深能級。此外还指出了,在P型摻鎳锗中空位的有效复合截面比鎳原子的小。     

有序—无序型铁电和反铁电晶体的格林函数理论研究

本文基于隧道穿透的膺自旋模型,利用格林函数方法研究了 KDP 型混合晶体、ADP 型反铁电体以及 H_2C_4O_4晶体的相变问题,并对格林函数求解中的截断近似作了初步探讨。1.格林函数方法格林函数《A(t)·B(t')》满足的运动方程为     

有序—无序型铁电体中几个与相变有关的结构问题

用中子衍射方法对KDP,DKDP,RbDP、DRbDP及LHP进行了晶体结构分析,给出了这类晶体中氢(氘)键的几何结构,发现四面体PO_4的转动是分析这类晶体对温度及静水压的响应时必须计及的重要因素。对于部份氘化的氢键,提出了将氢及氘原子分别处理的新的计算方法。在LHP中,测量了氢的有序化程度随温度变化的曲线,该曲线与自发极化的温度关系很好地符合。     

不同pH值下磷酸二氢钾晶体的生长实验

用称重法测定了不同pH值下磷酸二氢钾(KDP)的溶解度曲线,进行了不同pH值时KDP溶液的稳定性实验,通过对雪崩点的观测得到了不同pH值下KDP溶液的过饱和度曲线,给出了相应的亚稳区宽度,并开展了不同pH值下KDP晶体的生长实验。结果表明:随着KDP生长溶液pH值的升高或降低,KDP溶解度都会明显增大,同时溶液的亚稳区宽度变大、溶液稳定性提高,并且发现略高于正常pH值的KDP饱和溶液对晶体的生长更为有利。     

KDP晶体真空吸附方式对加工面形精度的影响

建立KDP晶体与真空吸盘间有限元接触模型,并利用该模型分析吸气孔和吸气槽真空吸盘对KDP晶体面形精度的影响,分析了不同直径的吸气孔真空吸盘对KDP晶体变形的影响.结果表明:增大真空吸盘的占空比,可以减小完全吸附所需的真空度.吸气孔的直径越小,表面的变形越小.研究还发现,采用吸气孔吸附方式比采用吸气槽吸附方式可以得到更理想的面形质量.该结论对提高KDP晶体面形精度有着重要指导意义.利用超精密机床采用真空孔吸附方式加工KDP晶体,加工出面形精度为1/2λ的表面.     

Li_(0.12)Na_(0.08)NbO_3单晶的生长及其铁电—铁电相变

首次用Czochralski法生长了大尺寸的Li_(0.12)Na_(0.83)NbO_3单晶。介电测量,电滞回线及X光衍射表明,该晶体在(20±1)℃出现铁电—铁电相变。高温相及低温相的点群分别为4mm和mm2。在相变温度,介电常数ε_(11)及ε_(33)出现反常,自发极化方向不发生变化。这个发生于20℃的铁电—铁电相变表明该晶体在室温附近有大的热释电系数,热释电应用是该晶体的潜在应用之一。     

铌酸锂钠晶体的介电与铁电性能

研究了Li_xNa_(1-x)NbO_3系统中x=0.09,0.12及0.16的三种组份晶体的介电与铁电性能。根据x光衍射及铁电测量,确定了在室温时晶体的点群。通过测量介电系数的温度依赖性和电滞回线,得出了此三种组份晶体的转变温度T_c,居里——外斯温度T_0,居里——外斯常数c,自发极化强度P_z,矯顽场E_c以及强场损耗正切tgδ_H。T_C和T_O之间的显著差别表示此种转变的一级相变特性。三种组份中,x=0.12的晶体具有最大的P_s,最小的E_c,可望发展成为性能优异的新铁电材料。介电系数的频率特性显示,介电系数虚部在较低频率时呈现极小值,这表明晶体中存在缺陷和空间电荷极化。     

伽玛辐照前后钽酸钪晶体的介电与铁电性能

测量了经受累积辐射剂量为5.0×10~6伦琴及3.8×10~7伦琴的伽玛射线辐照前后钽酸钪晶体的介电与铁电性能的温度依赖性和频率依赖性。伽玛辐照使介电常数实部减小,虚部增大,相应于介电弛豫的损耗峰变宽,相变的弥散性提高,但对自发极化P_s、矫顽场E_c及相变温度T_c无显著影响。这些效应可归因于辐照引起的自由载流子增多以及缺陷和不均匀性增加。     

络合物反应动力学的研究Ⅰ 水合络离子与谷氨酸—纳反应的初速和机制

本文用分光光度法,在不同溫度測定鉻离子和谷氨酸根离子反应的初速。結果証明取代鉻离子的水分子是依两种机制进行,即S_N1和S_N2,故谷氨酸的反应級数为分数。反应对鉻离子为一級,但由於水合鉻离子有水介而形成碱式离子的作用,故氫离子濃度对於反应速度有显著的影响,这是因为各式的鉻离子有不同的反应速度常数。在25℃时簡单鉻离子、一碱式和二碱式鉻离子的反应比速常数依次为7.8×10~(-2),0.2和115克分子/分。根据在不同溫度的比速常数,求得这三种离子取代反应的活化能依次为30.8,12.9,和20.7千卡。     

KDP晶体潮解抛光中抛光行程的研究

对KDP晶体潮解抛光过程进行了运动学分析,得到了KDP晶体表面上一点相对于抛光垫的抛光行程的表达式.分别计算了KDP晶体表面上一点到载样盘圆心的水平距离、抛光垫转数、摆动周期取不同值时KDP晶体表面上一点相对于抛光垫的抛光行程,并绘制了抛光行程曲线,得到了这些参数对抛光行程的影响规律.     

TGS铁电相变的时域方法研究

利用时域方法在 TGS 单晶居里点附近以±0.001℃的恒温精度研究了铁电相变的过程,观察到驰豫机构可分为晶格和电子云畸变、电畴运动、和自发极化电偶极矩的屏蔽电荷的激发三种成分.介电损耗在10~(-3)—10~3Hz 频程的峰值表明,在铁电相变过程中晶体和外界的能量交换主要来自屏蔽电荷的激发.     

共析碳钢过冷奥氏体—珠江体转变的理论计算

据晶体相变的成核理论及晶体原子扩散的计算，定量出推导出了共析碳钢的过冷奥氏体－珠光体转变的时间－温度－相转变开始的函数关系式。与此相变的实验曲线的定量表明；推导与实验曲线在形状上符合。     

铁电粉粒的介电测量

用理论模型说明了铁电微晶粉料在铁电转变中不显露出宏观的介电常数居里峰,对钛酸钡粉粒的测量证实了理论结果,实验表明,TSC测量可觉察粉料的极性转变,在经历顺电至铁电相变后,微晶粒间自发极化电偶极矩的相互作用使粉料中出现组团现象。     

PbTiO3铁电薄膜的应力与尺寸效应

用推广的Landau Devonshire理论研究了应力与尺寸效应对PbTiO3(PTO)薄膜的铁电/介电性质的影响.研究表明:在外推长度δ>0时,张应力使膜的相变温度降低、自发极化减小,压应力使膜的相变温度升高、自发极化增加.在温度一定时PTO薄膜存在一个临界应力σc,当应力大于σc时,任意膜厚都保持顺电相.当应力小于σc时,存在尺寸驱动的相变,即当膜厚大于临界尺寸Lc时,膜进入铁电相;而当膜厚小于临界尺寸Lc时,膜处于顺电相.     

与畴界有关的介电损耗、介电常数和内耗研究 1实验部分

对KDP和TGS晶体的介电研究(f=1KHz～10KHz)表明,在Tc附近存在两个介电损耗峰(P_1′,P_2′),P_1′峰总是出现在Tc,表明它与相变有关,p_2′峰出现在Tc以下5℃左右,是与畴界粘滞运动有关的驰豫蜂,KDP晶体的内耗研究同样表明,在Tc附近存在两个内耗峰(P_1,P_2),p_1峰出现在Tc,与相变有关;P_2峰在Tc以下10℃左右,与畴有关的静滞后内耗峰,对TGS晶体,在铁电相观察到与畴界运动有关的介电常数增加,并且对此进行了讨论。