二维非极性晶体中声学激子的性质

本文研究了二维非极性晶体中通过形变势与声学声子强、弱耦合激子的性质,采用线性组合算符和简单的么正变换,得到了强、弱耦合情形的非极性晶体中表面激子的有效哈密顿量、激子的自陷能和电子—空穴通过形变势与声子作用诱生的作用势表示为电子(空穴)一声子耦合参量α_1(α_2)的降幂级数,其首项为α_1(α_2)的一次方。     

极性晶体中激子的性质

从文所得到的激子的有效哈密顿 H=-ahω(2-(β_1~2+β_2~2)/(2β_1β_2)-h~2/(2μ*)■-e~2/(∈_or)-(1/∈_∞-1/∈_0)e~2/re~(-ur)+ahωe~(ur) (1)出发用变分法计算激子的基态能量。选尝试波函数φ=1/π~(1/2)(Z/α)~(3/2)e~(-(z/α))r (2)则     

半导体中的激子-声子耦合:基本理论

半导体的物理性质很大程度受到激子-声子耦合的影响,共振拉曼光谱是一种研究激子-声子耦合的有力手段。文中首先介绍固体中的元激发(电子、声子、激子)以及电子(激子)-声子相互作用。随后介绍激子-声子相互作用对拉曼选择定则的影响,二维层状材料的层间振动模式,以及与电子-声子耦合相关的黄昆因子的理论。最后,介绍了基于激子-声子耦合的声子辅助荧光上转换光制冷和光学声子的可分辨边带拉曼制冷的基本理论。     

一维激子-光学声子系统

本文讨论一维晶体中激子通过形变势和光学声子的相互作用,分别导出强,弱耦合激子基态的有效哈密顿量和重正化有效质量。在强耦合情况下,一维激子的自能及重正化有效质量是α的降幂级数,其首项为α的一次方。在弱耦合情况下,一维激子的自能及重正化有效质量是α的一次函数。     

一类L—Fuzzy集的逻辑结构

设L={0,α,β,1}为链或布尔格,L~n中L—模糊集由(?)L(L~n)=={μ|μ~2L~n→L}定义的。本文主要结果为: (1)对μ∈(?)L(L~n),μ可写成如下形式μ=μ~0·0 μ~1·1 μ~2·α μ~3·β=sum from j=0 to 4n-1 α_jm_j其中,α_j∈{0,α,β,1} m_j=multiply from i=1 to n X_i~(ji) (X_i~(ji)为X_i逻辑分量) (2){X|μ(x)=α_i}=sum from pi to m_i (3)L~n中L—模糊集的α—水平集为N_μ(α_i)={X|μ(X)≥α_i,X∈L~n)N_μ(α_i)具有如下性质: 1°、当α_1≥α_2时,N_μ(α_1)相似文献   

三元混晶中激子的结合能

导出了三元混晶中电子－穴穴对有效相互作用势（哈肯势）,研究了混晶效应对激子结合能的影响,讨论了三元混晶中激子的性质,计及激子与声子的相互作用采用变分法利用哈肯势研究了三元混晶AxB1-xC中的激子问题,出了系统的有效哈密顿量,得出激子的结合能,激子－声子耦合常数随分x的变换关系,对几种三元混晶材料进行了数值计算,结果－声子相互作用对激子结合能起着重要作用,激子－声子耦合常数随组分x的变化存一极小值。     

用代数方程求射影向量

设■=L(α_1,α_2,…,α_m)是R~n的一个子空间,α_1,α_2,…,α_m,β∈R~n是列向量,则β_0=X_10α_1+…+X_m0α_m是β在W上的正(内)射影,当且仅当(X_10,…,X_0)′是线性方程组的解,此处A′是A的转置矩阵。     

Bernstein算子在C_Ω上的逼近定理

由于对0<α<2, φ~(α/2)是上凸连续函数,所以选取Ω(x)=φ(2)_(α/2)时,便是Berens-Lorentz在[1]中得到的,取Ω(x)=1,它是Lorentz-Schumaker和Ditzian得到的而选取Ω(x)=φ(x)_(β/2)(0<β<α),则是[4]中得到的。因此,本定理可作为     

谈一个极限问题

考虑α_1=2~(1/2),α_2=2~(1/2)~(α_1),…,α_(n+1)=2~(1/2)~(α_n),…。这个序列{α_n},容易证明是单调上升的有界序列,因而有极限,记为A。对α_(n+1)=2~(1/2)~(α_n),两边取极限,即有A=2~(1/2)~A,解得A=2。但一般地,如果序列的底数不是2~(1/2),而是x>0时,能否仍有收敛性呢?其极限是什么?下面谈谈这个问题。今讨论x>0时,α_1=x,α_(n+1)=x~(α_n),n=1,2,…,所成的序列{α_n}的极限问题。如果{α_n}收敛,并把这个极限记为A,即limα_n=A。因为α_(n+1)=x~(α_n),两边取极限得     

氢原子间范德华引力的计算

自从1930年伦敦发表了关于氢原子的范德华引力计算,到现在已经三十年了,但利用伦敦公式: △E_2=(-12/(R/α_0)~6)(e~2/α_0)∑(f_(1n1)f_(1n2))/((1-(1/n_1~2))(1-(1/n_2~2))(2-(1/n_1~2)-(1/n_2~2))) (1)仅能求出偶极项△E_2=6.47e~2(α_0~5/R~6)。利挪一琼斯根据下列公式对氢原子的范德华引力进行了计算: △E_2=-1/(2|E_0|)∫ψ_1~2(1)V~2φ_1~2(2)dt_1dt_2-12e~2/α_0(R/α_0)~6∑f_(1n′)f_(1n″)((1/n′~2) (-1/n″~2))/2(1-(1/n′~2))(1-(1/n″~2))(2-(1/n′~2)-(1/n″~2)) (2)所得结果与伦敦相近。马琴拿利用了一种近似的方法,得到二级摄动的能量表示公式     

关于平面上二阶椭圆型方程解的Hlder估计

本文讨论了平面有界区域上,散度形式的二阶椭圆型方程的Dirichlet问题:■的弱解的全局Hlder估计。其中,α~(if)(x)是Ω上的有界可测函数,且满足■对一切x∈Ω,ξ=(ζ1,ξ2)∈R~2成立;λ_1>0,λ=λ_1/λ_2。本文证明了(1)、(2)的解u∈W~(1.2)(Ω)∩C°■在φ∈C~β(■Ω)和边界满足适当条件时,可以有βrπ/2(2π-α)(r<1/2(1 λ)λ~(1/2),0≤α≤π)的全局Hlder连续性,比K. O. Widman 1969年两种情况的结果都好。     

一类分数阶微分方程m点边值问题正解的存在性

研究一类非线性分数阶微分方程m点边值问题:D_(0+)~αu(t)+h(t)f(t,u(t),D_(0+)~βu(t))=0,0t1,其中,u(0)=u'(0)=…=u~(n-2)(0)=0,D_(0+)~βu(1)=sum from j=1 to m-2 (η_jD_(0+)~βu(ζ_j)).D_(0+)~αu(t)和D_(0+)~βu(t)是标准Riemann-Liouville分数阶导数,α≥2,n-1α≤n,β≥1,α-β≥1,0≤η_j(j=1,2,…,m-2),0ζ_1ζ_2…ζ_(m-2)1,1-sum from j=1 to m-2 (η_jζ_j~(α-β-1)0).利用不动点理论,得到正解的存在性、唯一性和多解性的一些充分条件,最后,通过一些具体的数字例验证了结果.     

具有不正确设计阵和散布阵的随机回归系数和参数的G-M估计

考虑随机效应线性模型Y=Xβ+ε,E（β′,ε′）=0,Cov（（β′,ε′）′）=diag（б_1~2,б_2~2）,其中X,V≥o U≥0及A均为已知阵,α,б_1~2和б_2~2为参数,记此模型为 L（Xβ,Aα;б_1~2V,б_2~2U）,在 L（X_0β,Aα;б_1~2V_0,б_2~2U_0）下,假定X_0Aα和X_0β的G-M估计存在,我们求解下列问题:在什么条件下, L（X_0β,Aα; б_1~2V_0,б_2~2U_0）下的每个可估函数ω′_1α,ω′_2β及ω′_1α+ω′_2β的G-M估计也是L（Xβ,Aα;б_1~2V,б_2~2U）下相应待估函数的a）无偏估计;b）G-M估计     

Schauder不动点定理在分数阶m-点边值问题中的应用

用Schauder不动点定理研究了分数阶m-点边值问题﹛D_0~α+u(t)+f(t,u(t))+e(t)=0,0t1;u(0)=0,u(1)=m-2∑i-1β_iu(η_i).其中1α2,0β_i1(i=1,2,…,m-2),0η_1η_2…η_(m-2)1,K=m-2∑i-1β_iη_~(a-1)1,D_0~α+是标准的Riemann-Liouville微分,f的第一或第二个变量可以具有奇性,e可以为负.分别给出了γ_*0,γ_*=0,γ_*0γ~*,γ~*≤0四种情形时正解的存在性结果.     

Toader型平均的调和、几何、形心和反调和平均界

通过研究Toader型平均T(A,G)与调和平均H(或几何平均G)和形心平均E(或反调和平均C)凸组合的序关系,发现了最佳参数α_1,α_2,α_3,α_4,β_1,β_2,β_3,β_4∈(0,1),使得双向不等式α_1E(a,b)+(1-α_1)G(a,b)T[A(a,b),G(a,b)]β_1E(a,b)+(1-β_1)G(a,b),α_2E(a,b)+(1-α_2)H(a,b)T[A(a,b),G(a,b)]β_2E(a,b)+(1-β_2)H(a,b),α_3C(a,b)+(1-α_3)G(a,b)T[A(a,b),G(a,b)]β_3C(a,b)+(1-β_3)G(a,b),α_4C(a,b)+(1-α_4)H(a,b)T[A(a,b),G(a,b)]β_4C(a,b)+(1-β_4)H(a,b)对所有a,b0且a≠b成立.作为应用,得到一个新的第二类完全椭圆积分的确界.     

三元混晶AxB1—xC中强束缚极化子的能量

目前人们广泛地研究超晶格和量子阱结构,这种研究在理论上和实验上以及高技术产业方面发挥着很大的作用.在超晶格和量子阱结构中.三元混晶材料得到了广泛的应用.所以,研究三元混晶材料的物理性质,对进一步研究超晶格和量子阱在高速数字运算和高频微波等器件中的应用.有着深远的意义和用途.我们讨论的对象是三元混晶中的束缚极化子,根据文献束缚极化子的哈密顿可写为其中以上各式中,a_k~ (a_k),b_q~ (b_q)分别是两支LO声子的产生(湮灭)算符.ω_(1L),ω_(2L)和α_1,α_2分别是两支LO声子的频率和耦合常数,这四个量与组分x的关系参看文献.ε_(10),ε_(20)和m_(AC),m_(DC)分别是二元晶体AC,BC中的静态介电常数和电子带质量,m和ε_0分别是三元混晶中电子带质量和静态介电常数,V     

H_α中函数的从属性

设H是单位园盘D={z;|z|<1}中的正则函数族。其中的函数满足f(0)=f′(0)-1=0;用H_α表示H的一个子族。其中的函数具有如下的形式: f(z)={z/(1-w(z))~2 (α=0) [1/α∫_0H~(1/α-1)/((1-w(H))~(2/α))du]~α (α>0) (z∈D)此处w(z)是D中的正则函数,且|W(z)|<1,(z∈D)W(0)=0,对于f(z)∈H_α,本文主要证明了:若f(z)∈H_α,α≥1.则 f(z)/z—G(z)/z其中 G(z)=[1/α∫_0H~((1/α)-1)1/(1-u)~(2/α)dH]~α从而把我们在文献[2]中α=1和α=2的结果推广到a≥1的一般情形。     

声子之间相互作用对量子点中弱耦合激子基态能量的影响

采用线性组合算符方法研究了半导体量子点中弱耦合激子的性质.讨论了声子之间相互作用对激子基态能量的影响.数值结果表明:声子之间相互作用对激子基态能量的影响不能忽略.     

极性晶体中界面强耦合激子的性质

采用线性组合算符和变分法研究了极性晶体中激子与IO声子强耦合、与LO声子弱耦合体系的基态能量,推导出了激子的自陷能和诱生势的表达式,并以AgCl/AgBr晶体为例进行了数值计算。结果表明,轻空穴激子的自陷能不仅与激子的坐标z有关,而且电子—空穴间距离ρ对激子自陷能的影响也十分显著;轻空穴激子和重空穴激子的诱生势不仅与电子—空穴间距离ρ有关,而且激子距离晶体界面的位置z对诱生势的影响也十分显著。     

乡村振兴背景下城镇化进程与村落保护的耦合度研究

考虑到城镇化与村落保护之间存在着复杂的耦合关系,构建了城镇化与村落保护的耦合协调度模型.利用该模型定量计算了芜湖市城镇化与村落保护的耦合协调程度,并分析了其变化趋势.计算了芜湖市城镇化贡献份额α与村落保护贡献份额β在3种情况下(分别为:α=2/3,β=1/3;α=1/2,β=1/2;α=1/3,β=2/3)的耦合协调度...