随机晶场作用的Blume-Capel模型的相图研究

在有效场框架下,运用切断近似的方法,取自旋S为1的三维简立方格子,对随机晶场作用的Blume-Capel模型(BCM)相图进行研究,重点探讨随机晶场浓度和不同的晶场分布形式(晶场比率参数α)对相图的影响,具体分析了4种晶场分布形式:晶场稀疏分布,正负晶场对称分布,正负晶场非对称分布和负晶场随机分布,并给出相应的相图。在晶场稀疏情况下,三临界点(TCP)存在于一定的晶场浓度范围内,低温区域出现相变线的重入现象和晶场简并模式;α=-1.0和α=-0.4时,临界点存在的晶场浓度范扩大,相图出现正晶场分布,特别当α=0.4时,三临界点始终存在,重入现象和晶场简并模式消失,二级相变线始终与晶轴没有交点,相变线均无趋于∞,磁有序相范围减小。     

稀疏晶场作用的键无规BC模型的相变特性

运用切断近似的方法,在有效场框架下,对稀疏晶场作用的键无规Blume-Capel（BC）模型的相变进行了研究.具体分析了三种键无规分布的BC模型.分别探讨了系统三临界点（TCP）随稀疏晶场和键无规这两种无序因子的变化关系及相变曲线呈现的一些新特征,对不同键无规分布的BC模型的相图进行了比较,并给出相应的相图.     

稀疏晶场作用的键无规BC模型的相变特性

运用切断近似的方法，在有效场框架下，对稀疏晶场作用的键无规Blume-Capel（BC）模型的相变进行了研究。具体分析了三种键无规分布的BC模型。分别探讨了系统三临界点（TCP）随稀疏晶场和键无规这两种无序因子的变化关系及相变曲线呈现的一些新特征，对不同键无规分布的BC模型的相图进行了比较，并给出相应的相图。     

正负晶场作用的键稀疏BC模型的相变特性

在有效场框架下,对正负晶场作用的键稀疏BC模型(BCM)的相变进行了研究.具体分析了三临界点(TCP)随正负晶场和键稀疏这两种无序因子的变化关系及相变曲线呈现的一些新特征,给出了相应的相图.     

具有三模外场和晶场作用的横场Ising模型的临界性质研究

在有效场理论和切断近似的框架内,研究三模外场和晶场作用自旋S=1横场Ising模型的临界性质,在T-h空间中横场和三模外场参数的变化对三l临界点、二级相变以及基态时外场简并均有很大的影响,横场与合适的三模外场参数能有效地抑制三临界点;T-D空间中三模外场及合适的三模外场参数在无横场时呈现出另一类三临界点和重入相变,横场的引入可很好地抑制三临界点和重入相变,在一定的横场作用范围内三临界点可出现起伏.     

稀疏晶场作用的键无规BCM的相变特性和自发磁化

在有效场框架下,就三维稀疏晶场作用的键无规BC模型(BCM)的相图进行了研究。具体分析了三临界点(TCP)随稀疏晶场和键无规这两种无序因子的变化关系及相变曲线呈现的一些新特征,给出相应的相图,并给出自发磁化曲线。     

三维横向晶场稀疏Ising模型的相变行为及磁化

在有效场理论和切断近似的框架内,研究自旋S=1横向晶场稀疏Ising模型的相变行为和磁化.研究发现晶场稀疏情况下,相图的负晶场方向存在临界温度的峰值,正晶场方向随晶场浓度的降低出现重入现象,高温和低温下的磁化存在许多差异.     

Blume-Capel模型的相变特性研究

在有效场框架下,就三维稀疏晶场作用的键尤规Blume-Capd模型(BCM)的相网进行了研究,具体分析了三临界点(TCP)随稀疏晶场和键无规这两种尤序因子的变化关系及相变曲线呈现的新特征,给出了相应的相图.     

基于无序Blume-Emery-Griffiths模型的铁磁材料临界性质研究

在有效场理论的框架内,基于无序Blume-Emery-Griffiths模型研究铁磁材料的临界性质,模型中同时考虑键稀疏和随机晶场两种无序分布,所给出的相图显示二级相变线中存在由双三临界点确定的一级相变区,一级相变区将随键稀疏浓度的增加而扩大,晶场的两种不同随机行为显著地影响一级相变区和重入相变.     

键稀疏和随机晶场作用的铁磁系统的三临界性质研究

在伊辛模型的框架内考虑键稀疏和随机晶场作用的铁磁自旋系统的三临界特性，采用有效场理论推导磁化表达式，重点研究方格子的三临界特性随键稀疏和随机晶场的改变呈现出的一些新的变化，并给出了相应的相图．     

向列相液晶由外场引起的相变

利用一刚性液晶分子简化模型,将分子问相互作用抽象为棒与棒间相互作用的叠加,并考虑到外场的作用,得到系统的相图．结果表明,由于外场的诱导作用,对于单轴性分子,系统可在较高温度下诱导出准单轴相．增加分子的双轴性,可使系统在较高温度下诱导出准双轴相,降低温度,系统连续地进入双轴相．     

液晶的磁旋光特性

为深入了解液晶的磁旋光特性，利用矩阵方法分析研究了液晶的旋光效应，导出了液晶旋光的矩阵表示．通过测量磁场作用下向列型液晶的旋光角及透射比，研究了液晶的磁旋光特性．详细分析了磁场对液晶分子轴旋转和透射比的影响，做出了液晶分子轴旋转角和透射比与磁场强度关系的曲线．通过改变磁场方向进行实验测试．发现液晶的旋光方向与垂直入射液晶盒的磁场方向无关。     

一维磁控光子晶体

利用传输矩阵研究结构为(AB)ⁿD(BA)ⁿ和(AB)ⁿDF(BA)ⁿ的一维光子晶体透射特性, 其中D和F层均为旋磁材料, 通过改变其外加磁场, 分析其对透射率的影响. 结果表明： 随着外加磁场强度的变化, 可产生和消灭缺陷模, 且缺陷模的位置、 数目以及缺陷模的光谱宽度均发生变化. 表明通过改变外加磁场强度可实现光子晶体透射的可调节性.     

一 维 磁 控 光 子 晶 体

利用传输矩阵研究结构为(AB)ⁿD(BA)ⁿ和(AB)ⁿDF(BA)ⁿ的一维光子晶体透射特性, 其中D和F层均为旋磁材料, 通过改变其外加磁场, 分析其对透射率的影响. 结果表明： 随着外加磁场强度的变化, 可产生和消灭缺陷模, 且缺陷模的位置、 数目以及缺陷模的光谱宽度均发生变化. 表明通过改变外加磁场强度可实现光子晶体透射的可调节性.     

变形晶粒三叉晶界迁移过程的晶体相场模拟

【目的】研究纳米多晶材料受力变形过程中微观结构(如内部晶界,位错等)的演化过程,揭示纳米多晶材料受应力作用的微观机理。【方法】通过晶体相场(Phase field crystal,PFC)模型,模拟多晶样品在外加应力作用下的变形过程,分析内部畸变能的变化情况。【结果】在外加双轴动态加载作用下,当应变较小时,样品中的晶粒没有发生较大的变形,以位错沿着晶界运动为主。随着应变的增加,样品开始出现晶粒旋转、晶粒吞并、大小角晶界迁移运动、三叉晶界发射和接收位错等现象。晶界释放位错有助于减少晶界表面能;吸收位错则增加了晶界表面能。【结论】晶体相场方法可以有效模拟多晶体材料塑性变形过程的微观结构演化。     

Nd~(3+)的稳定能与晶场参数及磁交换作用的关系

基于单离子模型,通过对Nd3+磁晶各向异性哈密顿数值的求解,研究了温度趋于0 K时,Nd3+离子稳定能与晶场参数及磁交换作用的关系.结果表明,对于强磁物质(如NdCo5,Nd2Co17,Nd2Fe14B等),Nd3+贡献的稳定能与晶场参数B20近似成正比,而对磁交换作用的变化不敏感.     

在外磁场中对铁磁体、反铁磁体、亚铁磁体的自旋波谱的讨论

在外磁场中我们用量子理论方法计算了铁磁体、反铁磁、亚铁磁体的自旋波谱,并对自旋波的特点进行了讨论。我们发现亚铁磁体既有类似于反铁磁体的磁序特性,又有类似于铁磁体的波谱特性。     

外磁场中二维XY模型的动力学相变

考察了外磁场中二维ＸＹ模型的两个伦形之间的Ｄａｍａｇｅ相距随时间的演化,类似于零场情况,二维ＸＹ模型在外磁场中出现动力学相变、并存在３个温度区域     

具有Dzyaloshinskii-Moriya作用和晶体场作用的Heisenberg模型的临界性质

利用平均场近似的方法,研究了具有Dzyaloshinskii-Moriya(DM)作用和纵向晶体场作用的自旋S=1的Heisenberg 模型的临界性质,得到了该系统的相图.研究结果表明:所研究系统存在三临界点,并且约化晶体场作用参量和约化 DM作用参量分别连续变化时,系统的三临界温度不随相应参量单调变化,约化三临界温度分别存在一个最小值.系统的这种临界性质可以解释为系统的交换耦合作用、晶体场作用DM作用之间相互竞争的结果.     

基于缺陷磁流体光子晶体的磁场传感器研究

基于磁流体的折射率可随外磁场的变化而变化,提出利用传统的电介质材料和磁流体构成含缺陷的光子晶体结构来实现磁场传感。光子晶体缺陷层可以是传统的电介质,也可以是磁流体。利用传输矩阵法比较研究了两种情况下的磁场传感特性。计算结果表明,两种结构的缺陷模特性随光子晶体结构参数的变化规律基本相同,但以磁流体为缺陷层的缺陷光子晶体结构具有相对较高的探测灵敏度。研究结果为实际磁场传感器的设计、制备提供了参考。