量子场反应维度γB（gR）与横动量标度分布

非微扰（短距离）量子场论的横动量标度分布Ｑ＾－⊥＾ｖＫｖ（β⊥Ｑ⊥／〈Ｑ⊥〉）与实验数据（√Ｓ－５～１８００ＧｅＶ）符合复活很好,在固定多重数Ｎ用快度截断技术后的质量证认数据（单个强子源,√Ｓ＝１８００ＧｅＶ）与低能ｐ⊥－分布重合（√Ｓ＝５ＧｅＶ）,低能ｐ⊥－分布反常的困难消失。这里量子场反常维度－２γＢ（ｇＲ）＝０．０８４±０．００２（α２＝０．１２６±０．００３,ＱＣＤ）。强子源的相对论性多普     

强子物理中动量的(aQ)~νK_ν(aQ)标度分布(英文)

对固定的Ｎ在紫外固定点（β（ｇ※Ｒ）＝０）,γＢ（ｇ※Ｒ）＝－０．０４５±０．０１２（－３γＢ＝αｓ,ＱＣＤ）,单个发射源之内,陶标度（ａＱ⊥）νＫν（ａＱ⊥）分布成立（Ｓ＝２～１８００ＧｅＶ）,这是强相互作用的非线性关联〈ｐ⊥（Ｎ）〉Ｎ／〈Ｎ〉,〈ｐ⊥（Ｍｉ）〉Ｍｉ／〈Ｍ〉与〈Ｎ（ｐ⊥）〉ｐ⊥／〈ｐ⊥〉存在的缘故．实验上适当迭代地截除动量可得枚举平均标度动量分布．Ｊ源作为整体而运动,质心系中的的罗仑兹因子为γＪ．     

强子物理学中的非线性关联〈p⊥(Mi)〉-Mi/〈M〉与质量产生(英文)

强子质量与横动量间的非线性关联依赖于质量反常维度γｍ（ｇＲ）,βｍ（ｇＲ）＝３［１＋γｍ（ｇＲ）／２］／２π（α※Ｓ＝０．１２８［ＱＣＤ］）与普适量〈Ｍ〉（０．１９２ＧｅＶ／ｃ２）．能量极小（动量极大）定理与强相互作用饱和性造成几个强子发射源的形成．关联链〈ｐ⊥（Ｍｉ）〉Ｍｉ／〈Ｍ〉,〈ＮＫＭＫ（ＮπＭπ）〉Ｎπ／〈Ｎπ〉,〈Ｎ（ｐ⊥）〉ｐ⊥／〈ｐ⊥〉反映的是非线性效应．质量质量关联则揭示强子物理中的质量产生过程都是非线性的     

非弹性散射和总截面的反常质量维度(S=10-100GeV)(英文)

在紫外不动点处,反常质量维度的实验值γｍ（ｇ※Ｒ）＝０．０７７２（Ｓ＝１０ＧｅＶ—１．８ＴｅＶ）,γｍ（ｇＲ）＝０．０５１７＋０．０００２（Ｓ＝２－１００ＴｅＶ,质子空气核）表明,电强相互作用的关系（ｇ※Ｒ～ｅ※Ｒ）普遍存在,且在ｇ※Ｒ＝０．３４８２３２（ＱＣＤ）,（ｅ※Ｒ）２／ｈｃ＝１／１２６．３０４９６２．     

强子物理中的电荷不对称性与高p^2⊥处的粒子数比

在能区Ｓ＝２０～１８００ＧｅＶ，π介子，Ｋ介子与质子反质子间的粒子数比与电荷不对称性作为横动量ｐ２⊥的函数可用标度分布（ａＱ⊥）νＫν（ａＱ⊥）中的〈ｐ⊥（Ｍｉ）〉Ｍｉ／〈Ｍ〉关联与都普勒效应得到解释．都普勒速度ＶＪ／ｃ为：Ｋ介子发射源的速度比π介子发射源的小，但比质子发射源的速度大．这是强子物理中的新的质量效应．     

强子物理中核磁子与同位旋—自旋耦合

费米强子磁矩与磁子都是在强子发射源中产生的，玻尔源半径ａＢ取重整化群紫外固定点（β（ｅ※Ｒ，ｇ※Ｒ）＝０）的值，ａＢ＝ｈ／２αｓＭｐＣ，且μｈ／μＮ＝ａＢｃ＋２αＩ·Ｊ＋δ（ｇ※Ｒ，ｅ※Ｒ），强电相互作用关系（ｇ※Ｒ＋ｂｅ※Ｒ）２成立（（α※ｓ＝０．４０７，ＱＣＤ；α※ｅ＝１／１３７，ＱＥＤ）．     

介子与核碰撞的B—E关联及其方向性

本文研究了２５０Ｇｅｖ／ｃ下π＾＋（Ｋ＋）同质子，核碰撞的Ｂｏｓｅ－Ｅｉｎｓｔｅｉｎ关联，用Ｑ＾－ｖＫｙ（Ｑ）分布拟合实验数据得出：当靶粒子为ｐ时，ｒ０＝２．１ｆｍ；发靶为Ａｌ核时，ｒ０＝３．５ｆｍ；当靶为Ａｕ核时，ｒ０＝４．１ｆｍ。     

SmAlGe结构中的Al—Ge共价成键网络

用电弧熔炼法合成ＳｍＡｌＧｅ，以单晶Ｘ射线衍射法测定晶体结构．晶体学及结构修正参数：化学式ＳｍＡｌＧｅ，Ｍｒ＝２５０．０，正交晶系，ＬａＰｔＳｉ类型，（１０９）Ｉ４１ｍｄ，ａ＝０．４１９５７（３）ｎｍ，ｃ＝１．４５８８（２）ｎｍ，Ｖ＝０．２５６７９（４）ｎｍ３，Ｚ＝４，Ｄｘ＝６．４６４ｇ／ｃｍ３，μ＝３５．２７ｍｍ－１（λＭｏＫ＝０．０７１０７ｎｍ），Ｆ（０００）＝４２８，Ｔ＝２９６Ｋ，对于１２个最小二乘修正参数和１２０个独立可观察衍射点Ｒ＝０．０３０，ｗＲ＝０．０２５．此化合物中主要是Ａｌ－Ｇｅ的共价结合并形成三维网络，经典极限情况下结构式可写成Ｓｍ３＋Ａｌ２－Ｇｅ１－，可称为“ｍｅｔａｌｉｃＺｉｎｔｌｐｈａｓｅ＂．而ＹＡｌＧｅ中Ａｌ－Ｇｅ准二维网络为共价到金属结合过渡，几何堆积因素占了很重要地位．     

部分取代苯定量结构-生物降解相关性(QSBR)研究

采用Ｃｈｅｍｓ３Ｄ中量子化学ＭＯＰＡＣ－ＡＭ１法计算了７种间苯胺类和８地苯酚的分子量高占有轨道能ＥＨＯＭＯ、分子最低空轨道能ＥＬＵＭＯ。用ＱＳＡＲ程序软件包查得分子体积Ｖｍ。结合分子连接性指数（＾３Ｘ,＾３Ｘ＾ｖ）对生物降解二级速率常数对数ｌｇＫｂ进行定量结构－生物降解相关性（ＱＳＢＲ）分析,通过回归分析,得到如下两个回归方程：ｌｇＫｂ＝－０．８３２－０．１１８Ｖｍ＋１．７４８＾３Ｘ＾ｖ,ｎ＝１５,Ｒ＾２＝０．８３２,ＳＥ＝０．５７７,Ｆ＝２９．７,ｐ＝０．０００。（１）ｌｇＫｂ＝０．１２４Ｖｍ＋１．７４９＾３Ｘ＾ｖ,ｎ＝１５,Ｒ＾２＝０．９９８,ＳＥ＝０．５５９１,Ｆ＝４１４８．９９,ｐ＝０．０００．（２）     

掺锑α－Fe_2O_3超微粉材料的晶粒生长、微结构与气敏特性

用化学共沉淀法制得掺有一定量锑离子的α－Ｆｅ２Ｏ３，超微粉料．ＴＧ－ＤＴＡ、ＸＲＤ及ＳＥＭ等分析表明，掺锑量（Ｓｂ／Ｆｅ原子比）小于０．２时，材料仍保持α－Ｆｅ２Ｏ３的晶体结构，但其晶化温度随Ｓｂ含量的增加向高温区移动；在低温段纯α－Ｆｅ２Ｏ３的晶粒生长活化能（Ｑ＝１０．３ｋＪ／ｍｏｌ）远小于Ｓｂ／Ｆｅ＝０．１（Ｑ＝３５．３ｋＪ／ｍｏｌ）粉料的活化能；Ｓｂ５＋取代α－Ｆｅ２Ｏ３晶粒中Ｆｅ３＋格位与在４５０℃下长期工作粉料颗粒不易长大，是造成掺锑α－Ｆｅ２Ｏ３元件电阻降低一个多数量级及气敏性能显著改善的主要原因．     

量子场反常维度γB（gR）与海森堡测不准关系

高能粒子·粒子碰撞与强子产生过程中（ｓ＝４～１８００ＧｅＶ）,非线性场量子的测不准关系ΔｘΔｐ＝４［１－（２／３）２γＢ（ｇＲ）］１／２成立,没有被破坏．海森堡测不准关系的Ｌｉｅｂ形式不存在．强子发射源的定域性需要进一步研究,但它们的运动不影响测不准关系．     

高能粒子碰撞中强子质量的产生(s=4～1800GeV)

近阈实验指出π＋π－介子在ｘμ＜２／３Ｍπ的球内产生，入射质量与新生质量的差别在Ｎπ±≥３时消失。本文研究了固定多重数Ｎ的能量—质量求和规则与强子质量的约束条件，得出在ｓ＝４～１８００ＧｅＶ范围内强子平均质量服从重正化群方程：〈ｍｃｈ〉＝ｍπ±ｅｘｐ［（０．０５１±０．００４）／αｓ］，强子的质量反常维度在固定点处为γｍ（ｇ∞Ｒ）＝０．０８０８，且对所有粒子是普适的     

H2SO4介质中Ce（Ⅲ）在铂电极上的氧化及其对Mn（Ⅱ）催化氧 …

在１ＭＨ２ＳＯ４，Ｃｅ（Ⅲ）在铂电极上的氧化－还原伏安图表明，电位扫描速度为０．０５０Ｖｓ＾－１时氧化峰电位Ｅｐａ＝０．９２Ｖ还原峰电位Ｅｐｃ＝０．６４Ｖ，△Ｅｐ＝０．２８Ｖ，能峰电位随扫描速度而变化，峰电流Ｉｐａ和电位扫描速度的平方根√ｖ不成线性关系：Ｃｅ（Ⅲ）在铂电极上的电荷迁移为准可逆过程，生成的Ｃｅ（ＩＶ）对Ｍｎ（Ⅱ）有均能催化氧化作用，催化电流峰电位在１．２６Ｖ处，催化反应受Ｍｎ（Ⅱ）。     

强子物理中质量证认粒子的〈p⊥（N）〉—N／〈N〉动力学关联

由于存在几个强子发射源，做动量截除后，对于固定点的反常维度γＤ（ζ※Ｒ），γＢ（ζ※Ｒ），π介子、Ｋ介子与质子反质子的动力学标度关联〈ｐ⊥（Ｎ）〉Ｎ／〈Ｎ〉成立．动量的截除技巧必需是迭代的，这是由于非线性关联〈Ｎｐ（Ｎ）〉Ｎ／〈Ｎ〉，〈Ｎｐ（ｐ⊥）〉ｐ⊥／〈ｐ⊥〉，〈ＮＫ（ｐ⊥）〉ｐ⊥／〈ｐ⊥〉与〈ＮＫ（Ｎπ）〉Ｎπ／〈Ｎπ〉存在的缘故．     

LaH分子基态X^1∑^＋的量子力学计算

有考虑相对论有效原子实势近似下,用Ｇ９４Ｗ程序的ＱＣＩＳＤ方法计算了ＬａＨ分子基态Ｘ＾１∑＾＋的Ｍｕｒｒｅｌｌ－Ｓｏｒｂｉｅ解析势能函数及其对应的平衡几何与光谱参数,计算得到的Ｒｅ,Ｄｅ,Ｂｅ,ｃｅ,ωｅ和ωｅｘｅ的理论计算值分别为：０．２１２５ｎｍ,２．６２３ｅＶ,３．７３３３,０．０７２３,１４６１．７２和２１．３８３（ｃｍ＾－１）,该结果与实验数据及理论数据符合得比较好。     

酞菁铁—表面活性剂薄膜修饰电极及其催化性能

将酞菁铁（ＦｅＰｃ）掺入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵（ＤＤＡＢ）的氧仿溶液，并涂布于热解石墨电极表面，待氯仿挥发后即制得ＦｅＰｃ－ＤＤＡＢ薄膜电极，循环伏安实验表明，在ＫＢｒ溶液中该薄膜电极有２对还原氧化峰，第１对峰的Ｅｐｃｌ＝－０．６４Ｖ，Ｅｐａｌ＝－０．２９Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）第２对峰的Ｅｐｃ２＝－１．０４Ｖ，Ｅｐａ２＝－０．９４Ｖ着重探讨了第２对峰的电化学行为，估计了该体系的电化学参     

Ga＿（0．5）In＿（0．5）P外延薄膜的近红外光致发光

在本工作中，首次用近红外光致发光法观察到在ＧａＡｓ衬底上用金属有机化学相沉积方法（ＭＯＣＶＤ）生长的Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ外延薄膜所发射的１．１７、０．９９及０．８５ｅＶ的个新发光峰。其中只有１．１７ｅＶ发射与Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ外延薄膜的部分有序结构有关。实验获得的１．１７ｅＶ发射的变温与变激发强度特性可用受主－施主对复合来很好地给予解释。该受主－施主对系由镓空位作为受主及与其最邻近的镓子格子上的碳作为施主所组成。在考察Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ外延薄膜的部分有序结构与其受主－施主对复合能间关系的基础上，导出了受主－施主对跃迁的新的能量方程。     

▽n(G)={1}的有限群

设Ｇ满足标题的条件。１、若ｎ＝４,则下述结论之一成立;;（１）Ｇ可解;;（２）Ｇ≌Ａ~５;;（３）Ｇ≌ＰＳＬ（２,１３）;;（４）Ｇ≌ＰＳＬ（２,ｐ）,满足ｐ＝４ｐ１＋１＝６ｐ２－１,这里ｐ１≥４３,ｐ２≥２９;;（５）Ｇ≌ＰＳＬ（２,ｐ）,满足ｐ＝６ｐ１＋１＝４ｐ２—１,这里ｐ１≥７,ｐ２≥１１;;２、若ｎ＝５且Ｇ与ＰＳＬ（２,ｐ）无关,则下述结论之一成立：（１）Ｇ可解;;（２）Ｇ≌ＰＳＬ（２,２~３）;;（３）Ｇ≌ＰＳＬ（２,３~３）;;３、设３　π（Ｇ）,８≤ｎ≤２ｐ＋１．若对任ｑ＜ｐ,Ｇ与Ｓｚ（２~ｑ）无关,则Ｇ可解。     

GaAs（100）面上气相淀积生长GaS钝化膜

用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的ＧａＳ／ＧａＡｓ异质结能带结构图,即价带偏移１．５ｅＶ,导带偏移０．３ｅＶ,界面附近存在０．４ｅＶ的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为ＧａＡｓ器件制作的有用工艺。     

4－（8－氨基喹啉－5－偶氮）－苯磺酸钠的极谱行为研究

研究了４－（８－氨基喹啉－５－偶氮）－苯横酸钠（ＳＡＯＡＢＳ）的极谱行为。在０．０２ｍｌ／ＬＮＨ＿３·Ｈ＿２Ｏ－０．３６ｍｏｌ／ＬＮＨ＿４Ｃｌ的缓冲溶液中，ＳＡＱＡＢＳ产生两个明晰的阴极化极谱波，其二次导数波的峰电位分别为－０．５２Ｖ和－１．３０Ｖ（Ｖｓ．ＳＣＥ）。用ＳＡＱＡＢＳ的第一个波作为定量分析的基础，其线性范围为１．０×１０￣（－６）～８．０×１０￣（－５）ｍｏｌ／Ｌ。氧不干扰ＳＡＱＡＢＳ的测定。还研究了ＳＡＱＡＢＳ的电极过程及反应机理。