有限群表示的本征方程

本文根据投影算符关系和广义投影算符关系,用简单的代数方法,导出有限群不可约表示的本征方程。由此可求得群的不可约表示特征标和不可约表示矩阵。     

非互易媒质的本征导磁率和本征波

导出了平面波在非互易媒质中传播时,起本质作用的本征导磁率和基本传输模式本征波,本征导磁率对应本征波中的传输常数。且一切传输模式均可认为最本征波的线性组合,文中还证明了:一般情况下,本征波是椭圆极化.     

自伴算子本征值问题的积分形式

本文研究一类自伴算子的积分形式,利用这种形式证明这类自伴算子的谱集是离散的,然后推出几个性质。     

算符的本征值的求解

本文介绍了研究生资格考试题中,几种常见的算符的本征值问题及其求解方法.     

用变分法求解氦原子的基态能量

本文用变分法求解出氦原子的基态能量为 - 77 55eV ,与实验值 - 79 0eV比较 ,误差仅为 1 84% ,说明用变分法计算氦原子的基态能量是比较成功的     

非晶硅薄膜太阳能电池结构中本征膜的初步研究

本文介绍在近代物理实验室现有设备的基础上,利用等离子刻蚀机改装为成膜主机,用射频辉光放电方法制备了本征非晶硅膜,并利用激光喇曼光谱仪等设备进行了初步分析。     

非线性本征值问题的一个新结果

对一类非线性本征值问题进行了新的探讨，改进了已有结果。     

重掺砷衬底氧本征吸杂能力的探讨

虽则集成电路级单晶衬底的氧本征吸杂工艺已作过广泛的探讨,重掺衬底的氧本征吸杂研究还仅是近年来才开始的.与体材料相比,采用P/P~ 和n/n~ 外延材料加工MOS电路有很多优点.自从得克萨斯仪器公司在81年首先成功地在工业上采用硅外延片加工64k RAM以来,MOS电路的衬底已开始从体单晶向外延片的过渡.同时,也激发了研究重掺衬底氧本征吸杂(IG)工艺的兴趣.本实验室通过对重掺砷衬底氧本征吸杂工艺的摸索,体内缺陷的观察,外延层上MOS C-t寿命以及二极管反向特性曲线的测定,以探讨高掺杂情况下,衬底硅材料的本征吸杂能力.     

一种求解电磁场本征值问题的新方法

在齐次Ｈｅｌｍｈｏｌｔｚ方程的右端加上一个已知的激励函数，并给未知的本征值赋一个猜值，就得到的原本征值问题对应的定解问题，文中证明当这个猜值趋近正确的本征值时，定解问题解的范数将趋近于远穷大，用这一结论为判据就可将本征值问题的求解转化为定解问题的求解，这一新方法的主要特点是可以利用解释疏矩方程的算法求解非标准的稀疏矩阵本征方程。     

不变本征算符法求解三模坐标-动量耦合量子谐振子的能级间隔

利用不变本征算符法给出了坐标-动量耦合的三模耦合量子谐振子的能级信息.计算结果表明:不同坐标-动量耦合形式的三模耦合量子谐振子的能级间隔是相同的.     

不变本征算符法在耦合摆系统中的应用

利用不变本征算符法研究了不同耦合摆系统的角频率及其对应的简正坐标.耦合摆系统的不变本证算符其物理实质是耦合力学系统的简正坐标.利用量子力学中的不变本征算符法可以非常简便地解决耦合摆系统的简正模及其对应的角频率.以二维耦合摆系统和三维耦合摆系统为例利用不变本征算符法解决了该系统的角频率及其对应的简正坐标.     

非简谐谐振子湮灭算符四次幂的本征态和性质

本文给出了非简谐谐振子湮灭算符四次幂的正交归一本征态,并研究了它的Ｎ次方压缩和反群聚效应。     

旋转参照系中Maxwell方程的进一步讨论

应用结构方程的协变式，可以找到出现在介质中的辅助场跟基本场之间的关系，即结构方程．然后将结构方程代入旋转系中普遍的场方程之中，就得到了以基本场量表示的Maxwell方程．这里分两种情况进行了讨论．     

关于在P表象中((^x)=I(-h)(a)/(a)p)算符的推导

对算符(^x)在p表象中的形式作了简要推演,指出量子力学中表象理论的价值所在,以及在具连续本征值的x及p表象中,矩阵表示的一种等价表述.     

关于在P表象中x^=ih / p算符的推导

对算符x^在P表象中的形式作了简要推演，指出量子力学中表象理论的价值所在，以及在具连续本征值的X及P表象中，矩阵表示的一种等价表述．     

赝角动量算符体系的构造

介绍了一种类似角动量关系找到升降算符的办法——赝角动量法,详细讨论了赝角动量算符体系的构造,并给出二阶线形算符本征值能用赝角动量方法求解的一般形式.