AlN和AlSiN薄膜的制备工艺及其光学特性

研究了反应溅射ＡｌＮ和ＡｌＳｉＮ薄膜的制备工艺，讨论了它们的光学性能与溅射工艺参数的关系，实验结果表明，在优化制备工艺基础上能制备出具有优良光学性能（高折射率、低消光系数、高透射率）的ＡｌＮ及ＡｌＳｉＮ薄膜。     

TiAlN保护膜的制备及结构研究

用反应磁控溅射方法制备了ＴｉＡｌＮ薄膜，结构分析表明，当Ｔｉ的含量小于０．２５时，ＴｉＡｌＮ薄膜是Ａｌ基氮化物的闪锌矿结构，但晶格常数随Ｔｉ原子含量的增加而增大，Ｘ射线光电子能谱分析表明，ＴｉＡｌＮ薄膜有与ＡｌＮ和ＴｉＮ不同的电子结构特征。     

nmAl粒子多层复合膜的电磁波散射特性

用射频溅射工艺制备了ｎｍＡｌ粒子的多层复合膜，通过控制Ａｌ粒子和ＡｌＮ膜的生长时间，成功地控制了Ａｌ粒子的粒径和在复合膜中的纵向分布。用ＴＥＭ，暗场法并结合ＴＶ图像分析测得了Ａｌ粒子的粒径，并导出了粒径和生长时间的经验公式。     

对向靶反应溅射制备AlN薄膜的结构及物性

用对向靶反应溅射制备的ＡｌＮ薄膜,高气压为取向,低气压下为取向,精确测量ＸＲＤ衍射峰位可看出ＡｌＮ薄膜有较大应力。对硬度的测量发现ＡｌＮ薄膜硬度较大,取向对硬度没有影响。     

TiAlN 保护膜的制备及结构研究

用反应磁控溅射方法制备了ＴｉＡｌＮ薄膜,结构分析表明,当Ｔｉ的含量小于０．２５时,ＴｉＡｌＮ薄膜是Ａｌ基氮化物的闪锌矿结构,但晶格常数随Ｔｉ原子含量的增加而增大．Ｘ射线光电子能谱分析表明,ＴｉＡｌＮ薄膜有与ＡｌＮ和ＴｉＮ不同的电子结构特征．     

水热法制备氢氧化铝晶须研究

采用水热法制备了形貌良好的氧化铝晶须的前驱体——氢氧化铝晶须。利用SEM对氢氧化铝晶须的形貌进行分析,研究了氯化铝浓度、氨水浓度、溶液pH值、反应温度及反应时间对材料氢氧化铝晶须形貌的影响,并探讨了氢氧化铝晶须的生长机制。在C[AlCl3]=0.1 mol/L、C[NH3.H2O]=0.3 mol/L、水热溶液pH值为5.2、240℃水热反应22 h的条件下可制备形貌良好、大长径比、且粒径分布范围窄的氢氧化铝晶须。     

生长时间对水热微乳液法制备氧化锌晶须形貌的影响

采用水热微乳液法制备了纳米级尺寸的四针氧化锌晶须,利用热重及X射线衍射对产物结构进行了分析,着重探讨了生长时间对晶须尺寸和形貌的影响.在较短的生长时间下,产物主体结构为四针状氧化锌晶须,随着生长时间的增加,花状晶须含量逐渐增多,并且晶须出现了二次生长,针体上富集了大量微细晶须.     

纤锌矿GaN和AlN声子态的面间力常数模型在六角GaN／AlN超 …

用面间力学数模型计算了（０００１）方向纤锌矿结构ＧａＮ与ＡｌＮ的纵向振动特性，并利用该模型对（０００１）方向生长的六角结构的ＧａＮ／ＡｌＮ超晶格的纵向声子态进行了研究，着重讨论了超晶格子声子的限制效应。     

TiN/AlN纳米混合膜的微结构及力学性能

通过双靶轮流反应溅射的工艺方法制备了ＴｉＮ／ＡｌＮ纳米混合膜．采用ＸＲＤ衍射、ＴＥＭ和显微硬度等测试方法对ＴｉＮ／ＡｌＮ纳米混合膜的微结构和力学性能进行了研究．结果表明,ＴｉＮ／ＡｌＮ纳米混合膜的晶粒大小为１０～２０ｎｍ;薄膜总体表现出硬度增强效果,在ＴｉＮ∶ＡｌＮ（体积比）≈１∶１时,薄膜硬度获得极大值ＨＫ３２．２５ＧＰａ．     

Zn_2SO_4(OH)_2·2H_2O与ZnO晶须的制备及其生长机制

以Zn2SO4·7H2O为原料,Na OH为沉淀剂,采用液相沉淀及烧结方法制备了Zn2SO4(OH)2·2H2O与Zn O晶须,样品采用XRD、SEM及TG-DTA等对样品物相、形貌及热行为进行了表征,结果表明晶须品质优良:其分散性好,粒度分布均匀、表面光滑。又从"生长基元"角度出发,讨论了Zn2SO4(OH)2·2H2O晶须的形成机制,其生长过程是生长基元八面体[Zn-(OH)6]4-与HSO-4往某一晶面稳定叠合生长的结果,Zn2SO4(OH)2·2H2O晶须经热分解后,其形貌不变,最终变为Zn O晶须。     

晶须的制备

本文叙述了晶须材料的各种制备方法，包括从气相，水溶液及熔体中生长晶须的多种方法，以及这些方法应用于金属，无机化合物，有机及聚合物晶须的制备，其中特别详细地讨论了气相沉积，ＶＬＳ机理制备晶须的原理和方法。     

铝对FeN薄膜结构和磁学特性的影响

铝的添加使ＦｅＮ薄膜变成非晶，并在ＦｅＡｌＮ薄膜中形成某些柱状物，材料粒度变小，ＦｅＡｌＮ薄膜矫顽力也变小．多层膜的效果，阻断了微粒沿垂直于膜面方向的生长，从而进一步降低其矫顽力．同时铝的添加，也增加了样品饱和磁化强度的热稳定性．     

氧化镁晶须的制备

对文献报道过的有关ＭｇＯ晶须的制备方法进行了分类和综述，指出了各种制备方法的优缺点及所得晶须的特征     

AlN／GaN异质结的价带偏移计算

用平均键能方法，研究了ＡｌＮ与ＧａＮ自由应变生长、以ＡｌＮ为衬底和以ＧａＮ为衬底等三种不同应变状态下ＡｌＮ／ＧａＮ应变层异质结的价带偏移．着重尝试了能带中含浅ｄ态的情况下，用平均键能方法计算异质结的△Ｅｖ值．由于目前还没有可供比较的实验值或理论计算结果，为检验平均键能方法计算的可靠性，又采用能同时计入各种影响△Ｅｖ因素的较严格的超原胞（ＡｌＮ）ｎ（ＧａＮ）ｎ（００１），（ｎ＝１．３，５）界面自洽计算方法，验证超晶格中平均键能Ｅｍ的“对齐”程度和价带偏移△Ｅｖ的计算结果．     

涂覆草酸钇薄膜改善氮化铝粉耐水性及其机理

研究了表面涂覆草酸钇薄膜对氮化铝（ＡｌＮ）粉耐水性的影响。结果显示：涂膜后ＡｌＮ粉在１００℃沸水中回流４５ｍｉｎ不与水反应，温度降至７８℃时可耐水３ｈ以上；耐水时间随涂覆量增加而增加，随温度升高而下降。水分子通过薄膜的扩散过程是影响ＡｌＮ耐水性的决定因素。用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）和红外光谱测定了表面草酸钇与ＡｌＮ界面形成的化学键。     

Al掺杂四针状纳米ZnO生长机制分析

采用热物理法制备不同量Al掺杂的ZnO纳米材料,利用XRD分析掺杂前后试样的物相结构,并通过TEM鉴定粉体中的四针状纳米氧化锌(T-ZnO)结构.结果表明,Al掺杂纳米T-ZnO晶须的结晶过程是气液固(VLS)方式,晶须生长具有择优取向.透射电镜高分辨图像揭示凝固过程中晶须沿[0001]轴向生长,随着时间的延长,Zn原子首先形成核心部分并向外在晶须表面呈台阶状生长,从Al液中带走部分Al原子,进而促成纳米晶须的不断伸长且直径变大.     

SiC晶须增强Al－2．0％Li合金的拉伸性能

研究了压力铸造法制备的ＳｉＣ晶须增强Ａｌ－Ｌｉ合金的时效硬化行为与拉伸性能．结果表明，ＳｉＣ晶须的引入不仅可以加速δ′相的长大，使时效峰提前，而且ＳｉＣ晶须的加入还明显提高Ａｌ－Ｌｉ合金的强度，而拉伸延伸率降低较少；ＳｉＣｗ／Ａｌ－Ｌｉ复合材料的拉伸断口呈穿晶韧窝状，不存在通常Ａｌ－Ｌｉ合金中因时效引起的断口形貌由穿晶型向沿晶型过渡的现象     

自蔓延燃烧合成氮化铝晶须及其生长机理

本文采用自蔓延高温合成技术(SHS)成功合成了氮化铝晶须。研究了氮气压力、Al:Al N质量比和稀土氧化镓含量对最后产物氮化铝物相、晶须形貌的影响,结果表明在氮气压力为5MPa,Al:Al N质量比为2:1,氧化镓的掺杂量为4wt%的条件下,获得氮化铝晶须较多。氮化铝晶须在没有添加稀土物质时,按照VS生长方式形成具有本征结构的氮化铝晶须;添加氧化镓之后,晶须顶端容易形成液相,为VLS生长方式创造条件。     

气体放电增强准分子激光溅射反应沉积 AlN 膜

使用氦气放电增强准分子激光溅射反应沉积了ＡｌＮ薄膜．讨论了脉冲能量密度、氮气放电、基底温度等因素对膜的性能的影响．实验结果发现,当ＤＥ＝１．０Ｊｃｍ－２,ＰＮ２＝１００×１３３．３３Ｐａ,Ｔｓｕｂ＝２００℃,Ｖ＝６５０Ｖ,ｆ＝５Ｈｚ,ｄＳ－Ｔ＝４ｃｍ时,高质量的ＡｌＮ薄膜被成功沉积于Ｓｉ（１００）基片上．Ｘ射线衍射和光谱分析表明,所制备的薄膜是具有高取向性的ＡｌＮ（１００）多晶膜,禁带宽度约为６．２ｅＶ．     

气体放电增强准分子激光溅射反应沉积AlN膜

使用氦气放电增强准分子激光溅射反应沉积ＡｌＮ薄膜,讨论了脉冲能度,氮气放电基底温度等因素对膜的性能的影响,实验结果发现,当ＤＥ＝１．０Ｊ．ｃｍ＾－２,Ｐｎ２＝１００×１３３．３３Ｐａ,Ｔａｕｂ＝２００℃,Ｖ＝６５０Ｖ,ｆ＝５Ｈｚ,ｄｓ－Ｔ＝４ｃｍ时,高质量的ＡｌＮ薄膜被成功沉积于Ｓｉ（１００）基片上,Ｘ射线衍射和光谱分析表明,所制备的薄膜具有高取向性的ＡｌＮ（１００）多晶膜,禁带宽度约为６．２ｅＶ