劳厄斑点指数化和单晶定向的电子计算机方法

自１９７２年以来，国内外先后提出了一些用电子计算机自动标注劳厄斑点指数和确定单晶体取向的方法，但都没有得到理想的结果。本文提出了一个新的原理，即在心射投影的基础上通过旋转倒易坐标系找出待定晶体的取向和全部劳厄斑点指数。根据这一原理编排了电子计算机程序 （采用ＢＡＳＩＣ语言），并利用小型电子计算机１３０对若干立方、六方和菱形晶体的劳厄照片进行了分析计算，得到了比较满意的结果。和现有方法相比，本法的优点是：（１）普遍：适用于任意晶系、任意晶体取向和任意照相方法（包括平底片透射和回射照相，圆柱底片照相等），也适用于各种不同准确度的劳厄照片。（２）可靠；没有假解。（３）准确；可利用最小二乘法原理使误差最小。（４）迅速；一般标注一张劳厄照片只要数分钟。（５）能给出任意参考方向和参考面（如滑移面、孪生面、惯析面等）的密勒指数。（６）有发展潜力；目前可实现整个照片分析过程（包括斑点初始坐标的读数）全部自动化。进一步可发展为用衍射仪法自动测定晶体取向，以取代目前的照相法。     

快速冷凝Al＿（47）Cu＿（25）Fe＿8Mg＿（20）合金粉末的TEM研究

本文用透射电子显微镜研究了快速冷凝Ａｌ＿（４７）Ｃｕ＿（２５）Ｆｅ＿８Ｍｇ＿（２０）合金粉末。在淬火态粉末中，发现并确定了四个晶体相，在８００℃热处理的粉末中，观察到了Ｆ型二十面体准晶相。     

BaFCl：Eu^2＋的正电子湮没谱研究

利用正电子湮没谱研究了不同离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比ＢａＦＣｌ：Ｅｕ＾２＋系列粉末样品。实验结果表明：当晶体中的离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）〈１时，可以有效地产生Ｆ离子空位缺陷，当离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比值在０．９２附近的空位缺陷浓度最大。     

BaFCl:Eu~(2 )的正电子湮没谱研究

利用正电子湮没谱研究了不同离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋系列粉末样品．实验结果表明：当晶体中的离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）＜１时，可以有效地产生Ｆ离子空位缺陷，当离子数（Ｆ）／离子数（Ｃｌ）比值在０．９２附近的空位缺陷浓度最大．     

愈创木酚甘油醚晶习的影响因素

通过改变溶剂、过饱和度以及原料杂质3个条件，得到了愈创木酚甘油醚的不同的晶习．利用扫描电子显微镜对所得到的晶体进行了测定，从而确定了溶剂、过饱和度和杂质对愈创木酚甘油醚晶习的影响．研究结果表明，它们主要通过影响各个晶面的生长速率来改变晶习．当改变溶剂和初始过饱和度时（110）面和（-↑110）面之间的晶棱也随之改变甚至消失．随着过程过饱和度的减少晶体生长沿z轴方向趋于长度增加，并且晶体的（001）面和（0-↑01）面由四边形向六边形发展．没有杂质时晶体的晶习为长方体．     

CZT晶面蚀坑的形貌分析

在对面心立方晶体（１１１）面上的显微蚀坑作形貌分析中，提出此晶面内缺陷的侵蚀势概念，这种侵蚀势具有严格的Ｓｉｅｒｐｉｎｓｋｉ垫的自相似结构。侵蚀过程具有复制的特征。在对红外焦平面列阵用晶膜的衬底材料碲锌镉（写作Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ，或缩写式ＣＺＴ）晶体选材中，发现所得的蚀坑形貌图样满足Ｓｉｅｒｐｉｎｓｋｉ三角的全部几何性质。这可为选材研究提供判据。     

cis-(QH)_2[M_0O_2(C_2O_4)_2](Ⅵ)的晶体和分子结构

草酸与钼（Ⅵ）反应可以生成多种络合物。根据文献［１］方法，我们制得无色透明块状的ｃｉｓ－（ＱＨ）２［ＭｏＯ２（Ｃ２Ｏ４）２］晶体（式中ＱＨ＋＝Ｃ９ＮＨ８＋）。该晶体属斜方晶系，空间群为Ｐｃｃ２；晶胞参数：ａ＝１２．４９７（４），ｂ＝１０．２６２（３），Ｃ＝１６．７５０（３）Ａ；Ｖ＝２１４８．０８Ａ；Ｍ＝５６４．３２；晶体密度：ｄｏｂｓ＝１．７３ｇｃｍ－３；晶胞分子数Ｚ＝４（ｄｃａｌｃ＝１．７４５ｇｃｍ－３）。晶体在ＣＡＤ－４ 四园衍射仪上用Ｍ０Ｋａ射线收集三维衍射点强度数据，通过三维Ｐａｔｔｅｒｓｏｎ函数和Ｆｏｕｒｉｅｒ函数合成方法，确定了ｃｉｓ－（ＱＨ）２［ＭｏＯ２）Ｃ２Ｏ４）２］的晶体和分子结构。最后，根据Ｉ＞２σ（Ｉ）的１３６３个独立衍射点的强度数据、用最小二乘法把结构精修到Ｒ＝０．０６０，Ｒｗ＝０．０５９。该晶体的阴离子由六个氧原子围绕着Ｍ０原子形成扭曲的八面体。分子具有Ｃ２对称性（ＱＨ）＋和［Ｍ０Ｏ２）Ｃ２Ｏ４）２］２－之间组成了Ｎ－Ｈ…Ｏ类的氢键。     

Ca_8Mg（SiO_4）_4Cl_2中Ce~（3＋）的光谱与晶体学格位

合成了新型蓝色光致发光材料Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ（３＋），并对其进行了光谱测试．分析了Ｃｅ（３＋）在Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中应占据的晶体学格位．测试结果表明，在紫外光激发下，Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ（３＋）的发射光谱为一峰位在４１０ｎｍ～４２５ｎｍ之间的宽谱带，经分析确认作为发光中心的Ｃｅ（３＋）占据Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中多面体八配位的Ｃａ（Ⅱ）格位．     

不变线应变原理及其在相应晶体学研究中的应用

介绍了固态相变的晶体学特征（主要包括位向关系、惯习面、晶体生长方向以及相变应变）的形成机制，以及有关相变不变线应变的前期理论工作，着重阐述了“三维不变线应变模型”的原理、计算方法及其对相变晶体学特征的预测方法。实验研究结果表明，具有针状、棒状或板条状析出相的ＦＣＣ〈＝〉ＢＣＣ和ＨＣＰ〈＝〉ＢＣＣ析出相变的晶体学特征与不变线应变模型预测的几乎完全一致，表明不变线应变模型实际上已成为一个扩散型相变晶体     

微波等离子体CVD金刚石薄膜的显微结构

用扫描电镜（ＳＥＭ）和透射电镜（ＴＥＭ）对６种微波等离子体ＣＶＤ金刚石薄膜的表面形貌和显微结构进行了研究，结果表明：在金刚石晶粒长大过程中，（１１１）面方向长大时产生密度很高的微挛晶缺陷，而（１００）面方向长大时产生的晶体缺陷较少。     

二（二茂铁基）二胺金属配合物的合成与表征

本文用Ｎ，Ｎ′─二（二茂铁甲基）─１．２─乙二胺与二价铁、钴、镍、铜、锌、镉和汞的氯化物或醋酸盐反应，合成了十一种新的配合物，经元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱及热重─差热分析，确定了配合物的组成为：Ｌ＿２ＭＸ＿２·ｎＨ＿２Ｏ（Ｌ＝Ｆｃ─ＣＨ＿２ＮＨＣＨ＿２ＣＨ＿２ＮＨＣＨ＿２Ｆｃ；Ｍ＝Ｆｅ（Ⅱ）、Ｃｏ（Ⅱ）、Ｎｉ（Ⅱ）、Ｃｕ（Ⅱ）、Ｚｎ（Ⅱ）、Ｃｄ（Ⅱ）、Ｈｇ（Ⅱ）；Ｘ＝Ｃｌ￣－、Ａｃ￣－；ｎ＝０～４）。并且，用晶体场理论，结合所有的分析结果，对这些新配合物可能的结构进行了探讨。     

巷道围岩关键块体分布概率研究

本文假定结构面迹线和巷道的位置是相互独立的，研究了结构面迹线的分布；将巷道的位置看成结构面迹线的相对变量，对巷道中关键块体的分布概率进行了研究。     

（C_6H_5）_3PO·p－ClC_6H_4OCH_2COOH的晶体结构

合成了（Ｃ６Ｈ５）３ＰＯ·ｐ－ＣｌＣ６Ｈ４ＯＣＨ２ＣＯＯＨ并解析了其单晶体结构。结果表明该晶体属于正交晶系，空间群是Ｐｂｃａ，ａ＝１．７１２２（４）ｎｍ，ｂ＝２．３８０３（７）ｎｍ，ｃ＝１．１３２８（４）ｎｍ，该晶体由三苯基氧膦和对氯苯氧乙酸组成，但晶体中对氯苯氧乙酸同单独的对氯苯氧乙酸晶体结构比较，相应的键长和键角有明显的差异。     

RbCdF3：Cr^3^＋的EPR 参量和Cd^2^＋空位研究

本文采用叠加模型和对角化哈密顿矩阵的方法，研究了ＲｂＣｄＦ３：Ｃｒ３＋晶体的电子顺磁共振（ＥＰＲ）参量Ｄ与Ｃｒ３＋－Ｖｃｄ中心结构参量的关系，在此基础上分析并计算了Ｃｄ２＋空位和由它产生的晶格畸变的晶体场，发现Ｃｄ２＋空位的贡献不可忽略，同时，得出（０，０，１）方向的下向中心Ｃｒ３＋离子移动△≈０．０５Ａ。     

光电子能谱在钒酸钇晶体生长中的应用

应用光电子能谱分析了钒酸钇（YVO4）多晶斜与单晶之间的关系，成功生长出低缺陷的YVO4晶体，并对晶体进行检测。由检测结果得出，YVO4晶体的小角晶界，散射中心等缺陷与多晶斜的Y,V质量比有密切的关系，晶体的外形变形、与晶体温度场关系较大。     

C_3A 的 Al-O,Ca-O 键与水化活性关系的量子化学研究

通过量子化学的ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘα计算方法，分别研究了Ｃ３Ａ分子结构中２种ＡｌＯ４四面体和３种ＣａＯｘ（ｘ＝６，６，９）多面体的价键特性与活性。原子净电荷、键强、电子态密度、ＥＬＵＭＯ以及ΔＥ（ＬＵＭＯ－ＨＯＭＯ）等的计算结果表明：与水反应时，多面体活性大小顺序为Ｃａ（４）Ｏ９＞Ｃａ（１）Ｏ６（或Ｃａ（３）Ｏ６）＞Ａｌ（１）Ｏ４＞Ａｌ（２）Ｏ４。Ｃ３Ａ具有高水化活性主要与弱的Ｃａ－Ｏ键和空洞缺陷有关。     

铜双晶体及其组元单晶体循环变形行为的比较：Ⅱ.晶界附近形变？…

在铜双晶体（ＣＢ，ＲＢ）及其组元单晶体（Ｇ１，Ｇ２）循环应力－应变响应比较的基础上，观察了双晶体（ＣＢ，ＲＢ）及其组元单晶体循环变形后表面滑移形貌及疲劳裂纹萌生，结果表明实际双晶体ＲＢ晶界附近组元晶体Ｇ２中出现以次滑移为主的晶界影响区，且晶界区随应变幅增加而变宽。     

纺锤菌素－DNA相互作用的分子力学分析

文章介绍了纺锤菌素－ＤＮＡ相互作用分子力学研究的最新成果，对纺锤菌素－ＤＮＡ相互作用的性质、相互作用能作了详细的叙述，并与ｘ射线晶体衍射结果作了比较．在此基础上，我们对纺锤菌素ＤＮＡ相互作用进行了分子力学分析、考察了纺锤菌素与ｄ（Ａ６）、ｄ（Ｔ６），ｄ（ＴＡＴＡＴＡ）２、ｄ（ＣＧＣＧＣＧ）２和ｄ（ＣＧＣＧＡＡＴＴＣＧＣＧ）２的相互作用，得到了一些有益的结论．     

新型双氧钒—西佛碱酸合物的合成及晶体结构研究

本文以苯酰丙酮，吉拉尔特试剂Ｔ及（Ｃ２Ｈ５）４ＮＶＯ３为原料在无水乙醇溶液中合成了一种新型的钒－西佛碱配合物，用ＤＭＳＯ溶剂进行重结晶，得到结构式为［ＶＯ２（ＰｈＣ（Ｏ）ＣＨＣ（ＣＨ３）ＮＮＣ（Ｏ）ＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）３）］０．５ＤＭＳＯ的黄色晶体，该晶体属三斜晶系，空间群为Ｐ１，晶胞参数ａ＝９．８４３（２），ｂ＝１４．１３０（２），ｃ＝１５．９４０（３）Ａ；α＝６７．３７（２），β＝８０．０８（３     

八配体CdF_2和CaF_2中掺杂Co￣(2+)的电子光谱和g因子研究

在晶体场理论基础上，考虑到掺杂离子引起晶休局域结构畸变和利用Ｃｏ￣（２＋）离子的３ｄ轨道函数，研究了八配位立方晶体ＣｄＦ２和ＣａＦ２中掺杂Ｃｏ￣（２＋）离子的ｄ－ｄ电子光谱和ＥＰＲ＿ｇ因子．研究表明，局域结构畸变对ｇ因子的影响不应忽略。