用AFM研究杜仲抗真菌蛋白的晶体生长

随着后基因组时代的到来以及蛋白质组学研究的深入开展,研究蛋白质晶体生长成为生物化学和结构生物学领域一个广泛关注的课题.通过使用原子力显微镜(Atomic Force Microscope,简称AFM)对杜仲抗真菌蛋白(eucommia antifungal protein,简称EAFP)的晶体在有母液存在下原位实时动态地进行了晶面生长观察.研究结果表明:不同过饱和度对EAFP晶体生长形貌的影响较大,较高的过饱和度下生长很快,生长台阶密度高,较高的过饱和度下主要进行各向异性二维台阶的发生、发展,较低的过饱和度下主要采用螺旋位错的生长方式,当过饱和度极低时生长缓慢,且晶体表面有很多小孔存在,晶面生长很不完整;还对不同过饱和度下晶体生长速率进行了定量的测量,也反映了过饱和度对EAFP晶体生长的影响;同时对在AFM观察过程中由探针的扫描速度和方向对表面形貌的影响进行了讨论.     

二水甲酸锶晶体生长机制

采用静态体视显微法测定了在３．０３．１５Ｋ下，二水甲酸锶晶体的（１１０）和（０１１）面的生长速率，通过用生长速率（Ｒ）与过饱和度（σ）的关系，计算了生长参数，发现其生长机制符合水溶液中晶体生长的ＢＣＦ面扩散模型。研究了体扩散对生长速率的影响，结果表明：在低过饱和度下，体扩散影响很小，当过饱和度σ≥０．２００时，体扩散影响显著。     

NaAP·HAP晶体在乙醇溶液中的生长机理

本文测定了２，４－二硝基苯丙氨酸钠·２．４－二硝基苯丙氨酸（ＮａＡＰ·ＨＡＰ）晶体在乙醇溶液中的溶解度、过饱和度曲线和（２０１）、（１１０）晶面的生长速率，由溶液热力学计算了界面熵因子（α）．根据α值讨论了该晶体在溶液中的界面状况，并用ＢＣＦ模型和Ｂ＋Ｓ模型联合影响的生长机理来解释晶体生长速率与过饱和度之间的关系。     

用AFM观测凝胶法下KClO4晶体的生长机理

用原子力显微镜(atomic force microscopy,AFM)对凝胶法生长的KClO4晶体的最重要面{001}面微观形貌进行了研究。结果表明,在不同的过饱和度下,KClO4晶体分别表现为二维成核生长、三维成核生长、层核生长以及多层堆垛生长等生长机理。从热力学角度解释了过饱和度对KClO4晶体生长机理的影响。对二维成核生长机理,揭示了KClO4晶体生长中二维核的形状和取向,及生长台阶的取向。研究结果还表明,杂质的存在将阻止台阶的向前推进,并导致聚并台阶及弯曲台阶的形成。     

TGFB晶体在混合溶剂中的生长和动力学研究

用定态体视显微镜法测量了ＴＧＦＢ晶体在５％,８％,１０％的甘油—水混合溶剂中的生长速率（Ｒ）与相对过饱和度（σ）的函数关系,Ｒ与σ的关系符合Ｂｕｒｔｏｎ,Ｃａｂｒｅｒａ和Ｆｒａｎｋ提出的关于晶体生长的螺旋位错机制的面扩散模型．根据Ｂｅｎｎｅｍａ修正的ＢＣＦ模型估算了ＴＧＦＢ生长的动力学参数．     

谷氨酸阴离子和晶种对晶体成核与生长的影响

研究了谷氨酸阴离子（Ｇ－）和晶种对其晶体二次成核与生长的影响．结果表明成核速率随晶种粒度和晶种量减少而减少；在高过饱和度时Ｇ－对成核有促进作用，而在低过饱和度时则有抑制作用；晶体生长速率随粒度减小而增大；Ｇ－对晶体生长有抑制作用；结晶时使用粒度小的晶种可得到粒度分布较均匀的晶体．     

甲酸锂晶体生长动力学

本文介绍并讨论了在３１３．３５Ｋ和３０６．４６Ｋ情况下－水甲酸锂晶体不同晶面的生长速率与过饱和度之间关系的动力学数据，以及观察到的母液包藏情况．说明了测量的（Ｒ、σ）曲线能够用ＢＣＦ表面扩散模型──应用于溶液中的晶体生长加以解析．计算了不同阶段活化能的数值并跟在水溶液中生长的其它物质相比较．只有在过饱和度小于１％的情况下才能生长出无母液包藏的一水甲酸锂晶体．     

愈创木酚甘油醚晶习的影响因素

通过改变溶剂、过饱和度以及原料杂质3个条件，得到了愈创木酚甘油醚的不同的晶习．利用扫描电子显微镜对所得到的晶体进行了测定，从而确定了溶剂、过饱和度和杂质对愈创木酚甘油醚晶习的影响．研究结果表明，它们主要通过影响各个晶面的生长速率来改变晶习．当改变溶剂和初始过饱和度时（110）面和（-↑110）面之间的晶棱也随之改变甚至消失．随着过程过饱和度的减少晶体生长沿z轴方向趋于长度增加，并且晶体的（001）面和（0-↑01）面由四边形向六边形发展．没有杂质时晶体的晶习为长方体．     

磷酸二氢铵单晶培养的一些问题

研究了ＡＤＰ晶片的截面大小,表面状况和转动方式以及溶液的过饱和度等因素对“成锥” 过程的影响。初步得出了在晶片边界完整性较好和采用定时换向的条件下,溶液的过饱和度略高 一些对“成锥”比较有利。对深液的ｐＨ值和晶体的转动方式对晶体成长的影响也进行了初步探 讨。另一方面比较详细地研究了晶体在培养器中的取向对ＡＤＰ晶面生长速率和晶体生长习性的 影响,初步确定了维持晶体匀称生长较好的空间取向。最后对上述ＡＤＰ晶体培养的一些规律提 出了初步讨论。     

水热法KTP晶体生长及形貌特征

晶体宏观形态和表面微形貌特征是晶体生长机制的具体反映,通过对晶体形貌特征的研究,探寻晶体生长的规律,为进一步改善晶体的质量打下基础。通过对水热法KTP晶体(磷酸钛氧钾,KT iOPO4,KTP)宏观形态和表面微形貌的研究,首次发现了KTP晶体中高指数晶面和{100}单形晶面上的螺旋生长纹,探讨发现高指数晶面和{100}单形晶面上螺旋纹的形成原因主要是溶液的过饱和度偏低以及籽晶的悬挂方式,为生长高质量的KTP晶体,提出了增大原材料溶解区与晶体生长区的温度差、改变籽晶的切向和悬挂方向等建议。     

地塞米松磷酸钠的反应结晶动力学

利用连续稳态法在混合悬浮混合产品排除(MSMPR)结晶器中研究了地塞米松磷酸钠反应结晶动力学。以粒数密度衡算方程为基础，由实验得到的晶体粒度分布数据，采用非线性最优化方法直接进行参数估计，确定了地塞米松磷酸钠晶体的成核和生长速率方程．动力学方程的分析结果表明，地塞米松磷酸钠晶体生长速率与粒度相关，合适的过饱和度、悬浮密度和温度是得到理想地塞米松磷酸钠晶体的关键因素．     

ADP点状籽晶(100)面的生长

ADP晶体点状籽晶生长实验结果表明:生长温度处于20~40℃,相变驱动力介于0.005KT/ωs~0.03KT/ωs之间时,籽晶(100)晶面的生长速率随过饱和度的增加而线性增加;在相变驱动力一定时,晶面生长速率随温度的升高而呈指数增加;晶面的生长动力学规律与体扩散输运机制下的螺位错生长机制相符;相变驱动力低于临界驱动力时,晶体生长存在着热力学因素造成的死区。相变驱动力介于相变驱动力介于0.05KT/ωs~0.11KT/ωs之间时,(100)晶面的生长速率随过饱和度的增加而呈非线性增加,晶面生长趋近于多二维核生长,但同时也有其它生长机制并存。     

计算机模拟法研究光滑面和邻位面生长

本文详细地介绍了如何用计算机模拟法研究晶体的光滑面生长机制——二维成核,及邻位面生长机制——台阶推移。计算机模拟法不仅能得出可与理论推导结果相比较的满意结果,而且能得出各种晶体生长过程中的一系列直观图象.     

BaB2O4单晶快速生长时的界面形态与表面台阶形貌

利用微分干涉显微镜和原子力显微镜, 分别研究了快速生长的BaB₂O₄单晶固液界面形状的演化和晶体(0001)显露面上的台阶形貌. 结果显示, 在快速生长条件下, 晶体固液界面会由平坦状向骸晶状界面转变; 而晶体表面台阶的形貌与晶体生长的方向密切相关, 沿着<1010>方向运动的台阶束构成台阶流形貌, 而沿着<0110>方向运动的台阶束则表现为台阶片段的形貌. 通过AFM分别计算了表面上不同方向排列的纳米尺度上台阶的高度, 从而估算了晶体生长构造单元的尺寸, 结果说明在快速生长时溶液过饱和场的极度不均匀性造成的构造单元尺度和台阶聚并行为的各向异性是引起台阶流形貌各向异性的主要原因.     

琥珀酸十八酯晶体过饱和溶液的成核研究

研究了琥珀酸十八酯（ＯＳＯ）晶体过饱和溶液的成核过程，测量了以诱导期表示的成核速率，讨论了温度、过饱和度和溶剂对成核速率的影响。ＯＳＯ过饱和溶液的成核速率随着温度的升高和过饱和度的增大而增大，溶剂不同其数值也不同，实验结果根据经典成核理论进行了分析。     

硅凝胶体系中碳酸钙晶体生长实验

为了得到不同晶型的碳酸钙晶体,采用凝胶法生长出了碳酸钙的三种同质异象体：方解石、文石、球霰石．讨论了反应物浓度和杂质离子（Na^＋）对碳酸钙晶体生长的影响．结果表明：通过改变反应物浓度和利用不同的反应物可以生长出不同晶型的碳酸钙晶体．同时,利用原子力显微镜对生长的方解石晶体表面的形貌观察发现：晶体生长是以台阶簇（大台阶）的方式推进,不同高度的堆垛层错呈现在表面上．     

稀土四硼酸双盐体系晶体的探索和研究

四硼酸铝钇钕晶体是一种接近实用的激光自倍频晶体,但存在均匀性问题。研究和总结了ＮＹＡＢ晶体的生长和缺陷。根据影响晶体生长均匀性各种因素的实验对比及对ＮＹＡＢ晶体缺陷的观察,认为ＮＹＡＢ的均匀性与其结构及缺陷的特性密切相关。为了扩展稀土硼酸铝盐晶体体系,提出了探索新的自倍频晶体的考虑。     

新型紫外倍频材料LAP晶体生长特征的研究

本文研究了LAP晶体的结晶形态和生长特征,从微观基元和晶体结构上分析了LAP晶体的生长机制。讨论了影响LAP晶体生长的主要因素和条件。     

Bottlenecked ABR信源对ABR速率算法的影响(英文)

比较研究了一种特殊信源,Ｂｏｔｔｌｅｎｅｃｋｅｄ ＡＢＲ信源在ＡＴＭ 网络中对ＡＢＲ拥塞控制算法性能的影响．Ｂｏｔｔｌｅｎｅｃｋｅｄ ＡＢＲ信源由于某些原因无法做到根据交换网络提供的信息相应改变信元发送速率．由于网络交换节点对此不了解,必然导致对Ｂｏｔｔｌｅｎｅｃｋｅｄ 信源分配的速率过大而浪费网络资源．当Ｂｏｔｔｌｅｎｅｃｋｅｄ 信源不再发生信源拥塞情况时,网络又会因为瞬间增加的速率而发生拥塞．本文对不同的ＡＢＲ拥塞控制算法进行了仿真,并对结果进行了分析     

二水硫酸钙成核及生长现象的研究

研究了过饱和溶褐蠧aSO4*2H2O晶体成核及生长现象,同时对垢的形成机理进行了探讨.实验表明,成核延迟时间随溶液过饱和度增大而减小;CaSO4*2H2O晶体生长属于表面反应控制,且与粒径相关,晶体生长速度在(0.5×108～5.8×108)m/s之间(30℃,粒径(28～67)μm,Ca2+浓度0.035mol/L).乙