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相似文献
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1.
极值模1分布的全变差距离   总被引:1,自引:0,他引:1  
考虑独立同分布随机变量列{Xj,j≥1}。设U(0,1)是具有(0,1)上均匀分布的随机变量,ξ(x)表示x的小数部分。适当的条件下,ξ(max1≤jn Xj)依分布收敛到U(0,1)。估计全变差距离sup B∈B| P (ξ(max1≤jnXj)∈B)-P(U(0,1)∈B) | 。  相似文献   

2.
 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,研究了闪锌矿型CdS和ZnO1-xSx(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的电子结构和光学特性.计算并分析了闪锌矿型CdS和ZnO1-xSx的复介电函数、光电导率、吸收系数和损失函数.研究结果表明,闪锌矿型CdS和ZnO1-xSx(x=0,0.25,0.5,0.75,1)均为直接带隙半导体材料.ZnO中一定浓度的硫掺杂,导致带隙宽度变窄,而晶格常数随掺杂基本呈线性变化.就目前制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池普遍使用CdS缓冲层而言,ZnO1-xSx具有与CdS类似的电子结构,但光学特性上高频特性有明显改善.这些特性对于改善电池吸收层表面性能和光吸收特性、制备高效CIGS薄膜太阳能电池非常有利.  相似文献   

3.
令{Xn, n≥1}是一列独立同分布的随机变量,其共同分布为F(x). X1, n≤…≤Xn, n}是其次序统计量。QF的分位函数。对任何分布函数F,只要λ和1-λQ 的连续点且σ(λ)>0,重截和的重对数律成立。而且在这种情形下获得了强逼近结果。  相似文献   

4.
 研究不同浓度西帕依固龈液对白细胞介素-1β(Interleukin-1β,IL-1β)刺激人牙龈成纤维细胞(Human Gingival Fibroblast,HGF)产生前列腺素E2(Prostaglandin E2,PGE2)水平的影响。采用健康人牙龈组织原代培养的HGF细胞,以1ng/mL的IL-1β作为刺激因子,将HGF细胞按5×104/mL的细胞密度接种到24孔培养板中,每孔200μL的细胞悬液。孵育24h贴壁后,弃原培养液,清洗2次后加药,分组为空白对照组(用含20mL/L的胎牛血清的DMEM培养液),IL-1β组(浓度为1ng/mL),IL-1β+西帕依固龈液组(西帕依固龈液终末浓度分别为12.5、25、50、100、200μg/mL),IL-1β+消炎痛(消炎痛浓度为100ng/mL)。用酶联免疫法测定PGE2含量,观察不同浓度的西帕依固龈液(分别为12.5、25、50、100、200μg/mL)对HGF培养上清中PGE2水平的影响。结果显示,5种不同浓度的西帕依固龈液均能显著抑制1ng/mL的IL-1β刺激后HGF产生PGE2,随着浓度的增加,抑制效果也增加,但5种浓度的西帕依固龈液抑制效果均低于100ng/mL的消炎痛。由此得出,HGF具有合成和分泌PGE2的功能,IL-1β能有效刺激HGF产生PGE2;西帕依固龈液对IL-1β刺激HGF合成和分泌PGE2具有显著抑制作用,其抑制作用在一定范围内呈浓度依赖性。  相似文献   

5.
一类具有正负系数的中立型方程的振动性   总被引:1,自引:0,他引:1  
给出中立型方程d/dt[x(t)-R(t)x(t-r)]+P(t)x(t-τ)-Q(t)x(t-δ)=0振动的充分条件。这里R(t)+∫tt-τ+δQ(u)du-1可以是变号的,并且不要求∫t0s[P(s)-Q(s-τ+δ)]∫s[P(u)-Q(u-τ+δ)]duds=∞.  相似文献   

6.
Szász-Mirakjan算子的加权逼近   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用ωφ2λ(f, t)w研究Szász-Mirakjan算子的加权点态逼近,得到一个更完美、广泛的结果。  相似文献   

7.
采用柠檬酸溶胶-凝胶法制备了Ce-Y-O固溶体,并用XRD和Raman对Ce-Y-O固溶体的物相结构进行了表征,发现当n(Ce)/n(Ce+Y)(摩尔比)≥0.6时,Ce-Y-O固溶体为面心立方结构,而n(Ce)/n(Ce+Y)≤0.5时为体心立方结构。固溶体的生成有利于提高氧化还原性能。Ce-Y-O固溶体担载PdO催化剂的CH4氧化活性表明,n(Ce)/n(Ce+Y)对担载PdO催化剂的CH4氧化活性影响很大,当n(Ce)/n(Ce+Y)=0.8时催化剂活性最高,CH4转化率50%的温度为350℃,完全转化温度为600℃。  相似文献   

8.
 采用高能球磨法在800℃保温2h预烧合成MgNb2O6粉体,研究了MgNb2O6陶瓷的相结构、显微结构和微波介电性能随烧结温度的变化关系。实验结果表明,高能球磨法有效促进MgNb2O6粉体的低温合成,降低MgNb2O6陶瓷的烧结温度。1220℃保温2h烧结MgNb2O6陶瓷,密度为4.80g/cm3,平均粒径为3.5μm,介电常数εr为19.7,品质因数(Q·f)为29444GHz的优良微波介电性能,MgNb2O6粉体有望成为新一代中温烧结高频微波介质基板材料。  相似文献   

9.
 以五水硫酸铜、甘氨酰甘氨酸(Gly-Gly)、咪唑(Im)为原料,制备了甘氨酰甘氨酸咪唑铜配合物,通过X射线单晶衍射测定了配合物的结构。该晶体属单斜晶系,P21/n空间群,a=1.0213(6)nm,b=0.7023(4)nm,c=1.5911(9)nm,β=102.393(9)°,V=1.1147(11)nm3,Z=4。用溶解量热法分别测定了CuSO4·5H2O(s)+Gly-Gly(s)+Na2SO4(s)、Im(s)和[Cu(Gly-Gly)(Im)]·2H2O(s)、NaHSO4·H2O(s)在2mol/L HCl中的溶解焓。根据Hess定律设计了一个热化学循环,计算得到CuSO4·5H2O(s)+Gly-Gly(s)+Im(s)+Na2SO4(s)=[Cu(Gly-Gly)(Im)]·2H2O(s)+2NaHSO4·H2O(s)+H2O(l)的反应焓ΔrHmθ (298.15K)=(36.7634±1.1325)kJ/mol,进而求出[Cu(Gly-Gly)(Im)]·2H2O(s)的标准生成焓ΔrHmθ{[Cu(Gly-Gly)(Im)]·2H2O(s), 298.15K}=(-1770.3±1.4)kJ/mol。  相似文献   

10.
dk(n)为k重除数函数(k≥2)。证明了:对充分大正数x, 同时使等式组{dk(n)=dk(n+1), k≥2}成立且不超过xn的个数为≥x(loglogx)-2.5。  相似文献   

11.
根据自然邻点插值(NNI)方法的思想,基于Voronoi cells的几何特性,从自然邻点(Natural Neighbors)的概念出发,对C插值基函数Ni(x)的数学性质进行了研究,给出了Ni(x)的一阶导数的一种数学表达式及其数学性质。将Voronoi cells和C插值基函数应用于流体力学有限元方法(即自然元方法),通过对二维Burgers方程的数值算例说明了该方法在计算流体力学中的良好应用前景。结合实例讨论了该基函数的插值效果,同时说明了插值方法可很好地应用于计算流体力学的可视化(Visualization)处理。  相似文献   

12.
利用大气等离子喷涂技术(APS),在7.5m螺杆泵螺杆基体表面上制备纳米掺杂30%AT13(Al2O3+13%TiO2)陶瓷涂层,采用Philips XL-30型扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)和Philips X-port型X射线衍射仪(XRD)等现代分析手段对纳米掺杂AT13等离子喷涂粉末及螺杆表面等离子喷涂涂层的显微组织、物相进行了观察测定。结果表明:纳米掺杂等离子喷涂粉末结构呈微米级粒子表面包覆纳米粒子的麻团状,尺寸在50~70μm内,流动性好,适用于大气等离子喷涂。纳米掺杂使等离子喷涂涂层元素分布均匀性提高,孔隙度降低,涂层内出现(Al2O35.333与斜方晶态的Al2TiO5物相。涂层断口分析证明:在纳米掺杂30%的涂层中,出现大量直径约为10nm的蠕虫状晶须,断裂方式变为韧性的穿晶断裂,为纳米掺杂螺杆使用寿命成倍的提高提供了理论依据。  相似文献   

13.
采用强迫振动方法对La2Cu1-xLixO4+δ(0.02≤x≤0.15)系列氧化物超导体的母体化合物的低频内耗和模量进行了研究.结果表明,当x=0.02,0.05时,La2Cu1-xLixO4+δ在250 K附近存在一个弛豫型内耗峰P1,为共价氧对形式的额外氧跳跃弛豫运动的结果;当x=0.10,0.15时,La2Cu1-xLixO4+δ除了存在内耗峰P1外,在200 K附近还出现了内耗峰P2;La2Cu1-xLixO4+δ在高温区域的模量反常现象反映了体系的正交与四方结构转变,其相变温度随Li的掺杂量的增加而向低温区域移动.  相似文献   

14.
采用低温液相法以廉价的TiCl4、SrCl2、CaCl2为原料,以NaOH溶液为沉淀剂一步合成了纳米SrxCa1-xTiO3固溶体粉体。为了提高粉体颗粒结晶度,改善形貌,进行了水热后处理。通过XRD,TEM,FT IR,TG和ICP等表征手段对所得粉体的物相、形貌、颗粒尺寸及分布、杂质含量、Ca2+与Ti4+摩尔比进行了分析和测试。结果表明,SrxCa1-xTiO3在0.1≤x≤0.9范围形成了固溶体,且随x的增大相结构从斜方相逐渐过渡到立方相。水热处理前粉体结晶度低,形貌不规整,而进行水热处理后粉体中O—H缺陷和CO32-杂质显著减少,结晶度提高,形貌规整均匀,随着x从0.3增加到0.9,颗粒粒径从230nm减小到65nm(水热处理前:从220nm减小到45nm)。  相似文献   

15.
采用反应性熔盐法以n(K2Se3 )∶n(Cu)∶n(In)∶n(Se) =2∶2∶1∶6的摩尔比,在773K下反应5d,得到四元金属硒化物K2CuIn3Se6。该晶体属于单斜晶系,空间群为C2/c ,晶胞参数a =1 .1484(2)nm,b =1.1458(2)nm,c =2.1327(4)nm,β =97.81(3)o,V=2.7802(1)nm3,Z=8.K2CuIn3Se6具有层状结构,含有二维共价结构的负离子,2∞[CuIn3Se6]2-.2∞ [CuIn3Se6]2-由配位四面体[CuSe4]和[InSe4]共顶点连接而成。2∞[CuIn3Se6]2-和K+ 以静电力堆积成晶体。漫反射光谱研究表明,该晶体具有1.6eV的光学能隙,属于半导体,对太阳能有选择吸收的特性。  相似文献   

16.
分式化时模的模型论性质的保持性   总被引:2,自引:0,他引:2  
将环R的分式环S-1R上的模MS-1R“限制”到R上时,模理论的纯性、纯入射性、初等等价、初等嵌入等模型论性质都是保持的。还讨论了(S-1M)S-1RMR之间模型论性质的保持性。  相似文献   

17.
采用低频内耗仪,以强迫振动方法测量了锂离子导体Li5La3Ta2O12在升温过程中的内耗和相对模量,并结合晶体结构分析其形成机制.结果表明:在大气环境的升温过程中,Li5La3Ta2O12出现2个明显的弛豫型内耗峰,其弛豫元(锂空位)之间存在相互作用,由Debye峰拟合得到其激活能和弛豫时间指数前因子分别为0.80~1.00 eV和10-14~10-26 s,利用耦合模型处理得到弛豫峰的激活能约为0.60~0.70 eV,与锂离子电导率的激活能(0.50~0.60 eV)接近;2个弛豫型内耗峰分别对应于锂离子在相邻四面体和八面体间(24d48g)以及相邻八面体间(48g48g)的扩散;随着Li5La3Ta2O12在空气中的放置时间增加,其内耗峰逐渐向高温区域移动,且其峰高度和激活能逐渐增大;Li5La3Ta2O12经室温时效处理后,水进入其晶格替代Li2O而形成新的锂离子化合物Li5-xLa3Ta2O12-x(OH)x(0相似文献   

18.
采用4-氰基吡啶和Co(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)、Fe(Ⅲ)离子进行溶剂热反应,合成了两种由配合物形成的超分子化合物[Co(C5H4NCOO)2(H2O)4](1)、[Ni(C5H4NCOO)2(H2O)4](2)及一种配位聚合物[Fe(C5H4NCOO)2](3),并对其晶体结构和紫外 可见近红外(UV-Vis-NIR)漫反射光谱进行了研究。结果表明,化合物1的晶体结构属于三斜晶系,空间群Pī,a=0.6334(13)nm,b=0.68904(14)nm,c=9.2428(18)nm,α=960791(3)°,β=1046394(3)°,γ=113.2359(3)°;化合物2的晶体 结构属于三斜晶系,空间群Pī,a=0.62878(7)nm,b=0.69008(8)nm,c=0.92240(10)nm,α=96.500(10)°,β=105.130(10)°,γ=113.320(10)°;而化合物3的晶体结构属于单斜晶系,空间P21/n,a=0.49562(3)nm,b=1.31293(9)nm,c=106436(8)nm,α=90°,β=101.307(1)°,γ=90°。UV-Vis-NIR漫反射光谱结果表明化合物1和2的能隙值均为3.5eV,属于绝缘体; 化合物3的能隙值为2.5 eV,属于半导体。  相似文献   

19.
 微波烧结是一种新型、高效的陶瓷烧结工艺,具有升温速度快、节能省时、改善微观结构以及降低烧结温度等特点.本文采用微波烧结工艺制备了Fe2O3掺杂的0.55Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-0.45Pb(Zr0.3Ti0.7)O3(简写为0.55PNN-0.45PZT)压电陶瓷,烧结温度为1200℃、保温时间为2h.利用X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)、扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)、阻抗分析仪及铁电分析仪等测试表征方法,研究了Fe2O3掺杂对陶瓷的结构、介电以及压电性能的影响.结果表明,所有陶瓷样品均为钙钛矿结构,随着Fe2O3掺杂量的增加,压电和介电性能呈先增加后减小趋势.当Fe2O3掺杂量为0.8%(质量分数)时,陶瓷达到最优电学性能:压电常数(d33)、平面机电耦合系数(kp)、相对介电常数(εr)和介电损耗(tanδ)分别为d33=520pC/N,kp=0.51,εr=4768,tanδ=0.026.  相似文献   

20.
采用固相反应法制备CaCu3Ti4O12陶瓷材料,用阻抗分析仪测定其介电常数和内耗.结果表明:在频率一定的条件下,CaCu3Ti4O12陶瓷的内耗在某一温度时出现了一个最大值,偏离该温度时内耗迅速下降;随着频率增加,内耗峰向高温区域移动.在低温条件下,CaCu3Ti4O12陶瓷的介电常数较小;当达到某一温度后,介电常数发生突变;当大于该温度后,介电常数基本维持在较高值,且随频率增加,所对应的温度逐渐升高.CaCu3Ti4O12陶瓷的介电常数与其内禀结构、阻挡层电容有关,内耗和频率与温度的关系满足极化子模型;而在一定温度下介电常数发生的突变亦与极化子本身的特性有关.  相似文献   

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