稀疏晶场作用的键无规BC模型的相变特性

运用切断近似的方法，在有效场框架下，对稀疏晶场作用的键无规Blume-Capel（BC）模型的相变进行了研究。具体分析了三种键无规分布的BC模型。分别探讨了系统三临界点（TCP）随稀疏晶场和键无规这两种无序因子的变化关系及相变曲线呈现的一些新特征，对不同键无规分布的BC模型的相图进行了比较，并给出相应的相图。     

稀疏晶场作用的键无规BCM的相变特性和自发磁化

在有效场框架下,就三维稀疏晶场作用的键无规BC模型(BCM)的相图进行了研究。具体分析了三临界点(TCP)随稀疏晶场和键无规这两种无序因子的变化关系及相变曲线呈现的一些新特征,给出相应的相图,并给出自发磁化曲线。     

正负晶场作用的键稀疏BC模型的相变特性

在有效场框架下,对正负晶场作用的键稀疏BC模型(BCM)的相变进行了研究.具体分析了三临界点(TCP)随正负晶场和键稀疏这两种无序因子的变化关系及相变曲线呈现的一些新特征,给出了相应的相图.     

Blume-Capel模型的相变特性研究

在有效场框架下,就三维稀疏晶场作用的键尤规Blume-Capd模型(BCM)的相网进行了研究,具体分析了三临界点(TCP)随稀疏晶场和键无规这两种尤序因子的变化关系及相变曲线呈现的新特征,给出了相应的相图.     

外场作用下稀疏晶场分布和对称晶场分布的BC模型相变特点研究

在有效场框架下,运用切断近似的方法,对有外场作用的Blume-Capel模型的相图进行研究,探讨外场对2种晶场分布形式(稀疏晶场分布和对称晶场分布)的BC模型相图的影响,并给出相应的相图.在晶场稀疏分布情况下,外场的存在,系统的三临界点(TCP)存在的晶场稀疏浓度范围变大;有序相的区域变大;系统基态晶场简并模式数减小.而对于对称晶场分布情况,外场的存在,三临界点存在的晶场随机浓度范围和系统基态晶场简并模式均没有发生变化.     

基于无序Blume-Emery-Griffiths模型的铁磁材料临界性质研究

在有效场理论的框架内,基于无序Blume-Emery-Griffiths模型研究铁磁材料的临界性质,模型中同时考虑键稀疏和随机晶场两种无序分布,所给出的相图显示二级相变线中存在由双三临界点确定的一级相变区,一级相变区将随键稀疏浓度的增加而扩大,晶场的两种不同随机行为显著地影响一级相变区和重入相变.     

随机晶场作用的Blume-Capel模型的相图研究

在有效场框架下,运用切断近似的方法,取自旋S为1的三维简立方格子,对随机晶场作用的Blume-Capel模型(BCM)相图进行研究,重点探讨随机晶场浓度和不同的晶场分布形式(晶场比率参数α)对相图的影响,具体分析了4种晶场分布形式:晶场稀疏分布,正负晶场对称分布,正负晶场非对称分布和负晶场随机分布,并给出相应的相图。在晶场稀疏情况下,三临界点(TCP)存在于一定的晶场浓度范围内,低温区域出现相变线的重入现象和晶场简并模式;α=-1.0和α=-0.4时,临界点存在的晶场浓度范扩大,相图出现正晶场分布,特别当α=0.4时,三临界点始终存在,重入现象和晶场简并模式消失,二级相变线始终与晶轴没有交点,相变线均无趋于∞,磁有序相范围减小。     

键稀疏和随机晶场作用的铁磁系统的三临界性质研究

在伊辛模型的框架内考虑键稀疏和随机晶场作用的铁磁自旋系统的三临界特性，采用有效场理论推导磁化表达式，重点研究方格子的三临界特性随键稀疏和随机晶场的改变呈现出的一些新的变化，并给出了相应的相图．     

三维横向晶场稀疏Ising模型的相变行为及磁化

在有效场理论和切断近似的框架内,研究自旋S=1横向晶场稀疏Ising模型的相变行为和磁化.研究发现晶场稀疏情况下,相图的负晶场方向存在临界温度的峰值,正晶场方向随晶场浓度的降低出现重入现象,高温和低温下的磁化存在许多差异.     

S=1伊辛模型的有限集团近似

用有限集团近似法（ＦＣＡ）研究了存在晶场的情况或无规键情况下Ｓ＝１横向伊辛模型的特性,数值计算了蜂窝状格子的相图,由有限集团近似得出的结果要比标准的平均场近似得出的效果好。     

具有单离子各向异性场的键稀疏混合横向伊辛自旋系统的相图(英文)

本文在有效场理论的框架内研究了具有单离子各向异性场的键稀疏混合横向伊辛自旋系统的相图。重点给出了蜂窝晶格的相图。如果负单离子各向异性场参数不大且横场值较小,我们观察到在目前的系统中重入相变可能发生。横场对重入相变行为的影响在本文中也进行了讨论。     

简立方晶格键和座稀疏横向伊辛系统的临界特性

本文在有限集团近似的框架内分别研究了自旋１／２简立方晶格键和座稀疏横和同伊辛自旋系统的临界特性。     

混合自旋无规律键横向伊辛模型的有限集团近似

用有限集团近似（FCA）研究了自旋为－1／2与－3／2的混合自旋向无规键伊辛模型,讨论了相图与其它的临界性质,发现了来自于交换作用起伏的重入现象。     

各向异性混合自旋海森堡模型的临界性质

本文将双粒子集团近似和分离路径积分表示结合起来,对于具有交换各向异性和单粒子单轴向向异性的混合自旋海森堡磁性系统临界性质进行了研究,得到了系统的磁化曲线和相图。     

具有掺杂界面的磁超晶格的磁相变研究

采用蒙特卡罗模拟方法研究具有无序掺杂界面的复杂磁性系统的磁特性,重点计算了系统掺杂界面层(ApB1-p)上A类原子的掺杂浓度p及界面交换耦合常数对磁相变的影响.通过模拟,获得了系统的相图以及磁化强度、磁化率等随温度的变化规律.模拟结果表明,纳米磁性薄膜的无序掺杂界面极大地决定了系统的相图.