电沉积聚苯胺纳米线及其电化学性质

采用恒电流法在不同浓度的苯胺与1mol·L-1高氯酸的混合溶液中,在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上制备了聚苯胺纳米线.系统研究了苯胺浓度、合成时间对其形貌及电化学性能的影响.SEM结果显示,在不同条件下制得的聚苯胺为线状,直径大约在100～500nm.采用恒电流充放电、循环伏安和交流阻抗谱对聚苯胺纳米线电极的电化学性能进行了表征.结果表明,其在3mol·L-1NH4Cl和2mol·L-1ZnCl2的混合溶液中恒电流充放电(电压范围-0.2～0.5V)的比容量最高可达746.7F.g-1.     

脉冲电沉积法制备Pd-Pt合金纳米线及吸氢性能的研究

氢气易燃易爆,在工业生产中,快速、准确地对其进行检测是非常必要的.采用AAO模板法制备Pd-Pt合金纳米线,电化学沉积溶液的配制如下:60 mmol/L的PdCl2+40 mmol/L的H2PtCl6·6H2O+0.2 mol/L的H3BO3,pH值为5.9.实验参数选择设置为-0.4V(1s),0 V(3 s),沉积...     

超声对电解法制备高铁酸钠反应速率的影响

以铁为工作电极,通过电解NaOH溶液(12.0mol·L-1)制备高铁酸钠,在体系温度为20～50℃,电流密度为500～2000A·m-2条件下,探讨了超声作用对高铁酸钠反应速率的影响.实验结果表明,超声能够提高高铁酸钠的生成速率;超声作用的效应随着操作电流密度的增加而增强,在实验条件下,40℃时超声作用对高铁酸钠生成的影响最大.     

电解磁铁矿制备高铁酸盐

以精选的磁铁矿粉末为原料,制备磁铁矿块状多孔电极用于电解制备高铁酸盐.所用磁铁矿多孔电极在经过阴极极化等一系列预处理过程,在16 mol·L-1 NaOH溶液中表现出了很高的电流效率.在这一电解液中,通过对阳极电流密度、高铁酸盐的生成速率、电流效率、槽内电解温度等影响因素的研究,找到了较为适宜的电解条件:J=3.3 mA·cm-2,30 ℃, 16 mol·L-1 NaOH溶液.     

掺杂石墨烯分子印迹传感器对色氨酸的手性识别

以掺杂了石墨烯纳米片的壳聚糖为功能基体,L-色氨酸为模板分子,利用恒电位沉积法制备对L-色氨酸具有手性识别功能的分子印迹传感器.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)等方法表征印迹膜的形成过程.探讨印迹传感器的电化学性能,并优化了最优检测条件.研究结果表明:石墨烯掺杂量为1mg.mL-1,沉积时间为300s,工作电压为+0.85V,溶液pH值为6时,所制备的石墨烯-壳聚糖印迹传感器具有良好的手性识别性能,且对L-色氨酸的浓度线性响应范围为0.17～25μmol.L-1,检测限(S/N=3)达0.04μmol.L-1.     

氢氧化镍/过氧化聚吡咯修饰电极的制备及电催化氧化

采用电化学方法制备了纳米氢氧化镍/过氧化聚吡咯复合膜修饰电极(Nano-Ni(OH)2/PPyox),研究了该修饰电极的电化学性质及其电催化活性.结果表明:在0.10 mol·L-1 NaOH溶液中,该修饰电极对葡萄糖具有较强的电催化活性,且具有良好的抗干扰性.在优化实验条件下,安培法检测葡萄糖的线性范围为2.0×10-7 ～5.0×10-5 mol·L-1(r =0.999 7)和5.0×10-5～1.0×10-3 mol·L-1(r=0.999 4),灵敏度分别为1017 μA·mM-1 ·cm-2和733 μA·mM-1·cm-2.     

多孔氧化铝成膜条件的研究及其应用

为了研究多孔氧化铝的成膜条件,以0.3 mol/L草酸为电解液,通过两次阳极氧化制备出多孔氧化铝模板.通过扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD)对模板形貌进行观察,研究了多孔阳极氧化铝的制备和成膜条件.以制备的氧化铝膜为阴极,铂电极为阳极,硝酸锌和六亚甲基四胺为电解溶液,采用溶液沉积制备点阵列氧化锌晶体并讨论发光性能...     

水热法制备Co3O4及其超电容性能的研究

以硝酸钴为原料、尿素为沉淀剂、柠檬酸三纳为模板,用水热法制备了Co3O4,并采用循环伏安、恒流充放电等方法研究了样品的电化学性能.结果表明,Co3O4电极在6mol·L-1KOH溶液中、在0～0.4V电位范围内、电流密度为5mA·cm2时,单电级比电容可达900F·g-1.     

介孔二氧化锰的合成与表征

以MnCl2和(NH4)6Mo7O24· 4H2O为原料,制备了MnO2/MoO3复合物,并将其用氢氧化钠溶液溶解,得到介孔MnO2.用X射线粉末衍射、透射电镜和比表面进行了表征,样品为介孔α-MnO2.电极循环伏安研究表明:在1 mol· L-1 Na2SO4溶液中,电位窗口为-0.2-0.8 V(vs SEC)范围内,5 mV·s-1的扫描速度下,制备的介孔α-MnO2的比电容为345 F·g-1.     

反式双氨基四苯基卟啉修饰电极用于汞离子的测定

采用滴涂法制备了反式双氨基四苯基卟啉修饰电极(trans-d-A-TPP/GCE),并用原子力显微镜(atomic force microscopy)对其进行了表征,用循环伏安法研究了该修饰电极的电化学性质.建立了一种识别汞离子的溶出伏安分析方法,在0.2 mol·L-1NaAc-HAc(pH 3.6)支持介质中,在-0.5 V电位下富集200 s,汞离子响应的线性范围为1.0×10-8mol·L-1～1.0×10-6mol·L-1,检出限1.0×10-9mol·L-1.对实际水样进行了测定,结果满意.