化学浴沉积法制备纳米氧化亚铜薄膜及其表征

以五水硫代硫酸钠和五水硫酸铜配制冷溶液,氢氧化钠配制热溶液,利用氧化铟锡导电玻璃基底在两种溶液中循环浸泡的化学浴沉积法制备氧化亚铜薄膜。对沉积过程中所发生的化学反应进行了讨论,并将制成的薄膜样品分别利用X射线衍射仪、扫描电镜、场发射扫描电镜和紫外-可见分光光度计进行表征,表征结果从多方面证实了合成的材料为纳米量级的氧化亚铜薄膜。构成薄膜的颗粒粒径约为十几纳米,每经过一次循环,薄膜厚度增加11～12nm.氧化亚铜对波长在200nm到500nm范围内的光有较高吸收率,禁带宽度计算值约为2.18eV.     

化学浴沉积法制备ZnS薄膜的研究

基于化学浴沉积法,采用硫酸锌、硫脲、水合肼和氨水混合溶液于适当温度下在玻璃衬底上沉积得到表面均匀的ZnS薄膜.对在不同沉积时间以及退火时间下得到的ZnS薄膜运用X射线衍射法观测其晶型结构,发现较长的沉积时间(5 h)和退火时间(3 h)制得的薄膜结晶度好,且检测出为闪锌矿晶型.并对其透光性能做了检测,发现pH值对透光度有显著影响.     

化学浴法沉积SnS薄膜的机理分析

研究了以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物，氯化铵作缓冲剂，采用化学浴法制备SnS薄膜的化学反应机理，分析了络合剂和氯化铵对反应的影响。结果表明，硫代乙酰胺和氯化亚锡主要为SnS薄膜的形成提供Sn^2 与S^2-，三乙醇胺作为络合剂可以维持溶液中Sn^2 的浓度，氯化铵的加入可使反应液PH值在反应中平稳变化，有利于高品质薄膜的形成。     

化学沉积法制备CdS纳米薄膜及成膜机理

分别以Cd(NO_{3)2和(NH2)2CS作为镉源和硫源, 用化学沉积法(CBD)在ITO玻璃上生长CdS半导体纳米薄膜. 考察了Cd^{２＋浓度、 沉积温度、 沉积时间和后处理温度对CdS成膜的影响. 紫外 可见吸收谱和原子力显微镜结果表明, 改变溶液浓度和后处理温度都能有效调节CdS的吸收带边, 得到均一致密的CdS纳米薄膜. 探讨了膜形成机理, 给出了成核过程模型, 进一步修正了传统成膜机制. 认为ITO玻璃基片表面活性位和晶核的形成是均一致密CdS纳米膜形成的关键. 晶核的形成是电学、 热学、 力学和化学等因素共同作用的结果.}}     

纳米氧化亚铜薄膜的制备及光电性能研究

采用水热法制备n型和p型Cu2O薄膜,并采用电化学法制备p型Cu2O薄膜。通过X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等方法对Cu2O薄膜进行表征,研究了p型Cu2O薄膜的光电性能。实验结果表明:在弱酸性溶液中,用水热法制备的Cu2O薄膜导电类型为n型;在碱性溶液中,Cu2O薄膜导电类型为p型;电化学法制备的p型Cu2O为立方型晶体。     

应用化学溶液沉积法制备薄膜

本文介绍应用化学溶液沉积法制备超导薄膜的方法．原则上应用这种方法可以广泛制备诸如氧化物铁电薄膜、氧化物介质薄膜、半导体薄膜、金属化合物薄膜等各类薄膜，广泛应用于科研和生产中．其方法成本低廉、工艺简单、制备周期短、且可在较低温度下成相，是一种制备薄膜的好方法．这里从理论与实践的结合上给以论述．     

CdOHCl薄膜的制备及形貌控制

用化学浴沉积方法以CdCl2.2.5H2O和乌洛托品为前驱体制备了CdOHCl薄膜,并用X射线衍射、扫描电镜、场发射扫描电镜等方法进行了表征.结果表明,反应时间和反应物浓度对薄膜形貌具有重要影响.在反应过程中,随着反应的进行首先在基片表面生成球状粒子,进而球状粒子分解成片状并在基片上进行组装,然后生成六方结构的晶粒,最后形成由棒状晶体排列的薄膜.     

中频等离子体化学气相沉积法制备ZnO薄膜

ZnO是一种多功能材料,目前处于世界范围的研究热潮中。为了拓展和改善ZnO的应用,采用中频等离子体化学气相沉积法(MF-PCVD)制备了ZnO薄膜,并研究了衬底温度对晶型和成膜速率的影响．     

化学气相沉积法合成ZnS纳米球

以碳纳米管层作为空间限制反应的模板，采用化学气相沉积法（CVD）生长ZnS纳米球。透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD）实验结果显示出其生成物为β－ZnS纳米球，直径为70nm左右，具有颗粒均为、纯度高、产率大、成本低、适于批量化生产等特点。     

纳米氧化亚铜光催化剂制备方法的研究进展

Cu2O是一种典型的p型窄带隙半导体功能材料,可见光区吸收系数大,具有较高的可见光催化活性,是一种极具开发前景的绿色环保光催化剂.结合前人的研究成果,对纳米Cu2O的制备方法研究进展进行综述,探讨目前制备方法的优缺点和未来研究的发展方向.     

单源化学气相沉积法制备In2O3纳米线

以乙酰丙酮合铟[In（acac）3]（acac=acetylacetonate）作为单源前驱体,Au为催化剂,采用化学气相沉积法,于较低温度（550℃）下成功制得了In2O3纳米线．用X射线粉末衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和能量分散光谱（EDS）对In2O3纳米线进行了表征;制得的In2O3纳米线具有单晶结构,平均直径约为80nm,长度达十几微米,其生长服从气一液一固机理．光致发光研究发现,In2O3纳米线在483nm处有一个强的发射峰,这可归因于氧空位的存在．     

化学溶液沉积Bi2Sr2Co2O8热电薄膜及其激光诱导电压效应研究

利用化学溶液沉积技术在LaAlO3（001）单晶基片上外延生长了Bi2Sr2Co2O8热电薄膜并对其激光诱导电压效应进行了研究．热电性能测试表明该外延薄膜的室温电阻率和塞贝克系数均可以和优质单晶样品相比拟．此外,实验发现当用308nm,532nm,1064nm及10．6gm的激光辐照生长在斜切LaAlO3上的Bi2Sr2Co2O8外延薄膜表面时,可以在薄膜中观测到很强的横向开路电压信号．分析认为当入射激光光子能量（308,532和1064nm激光输出）大于Bi2Sr2Co2O8禁带宽度时,在Bi2Sr2Co2O8外延薄膜中观测到的激光诱导横向开路电压信号源于该薄膜热电效应和光电效应的综合贡献;而当入射激光光子能量（10．6μm激光输出）小于Bi2Sr2Co208禁带宽度时,在Bi2Sr2Co2O8外延薄膜中观测到的激光诱导横向开路电压信号主要源于薄膜的热电效应．以上结果表明Bi2Sr2Co2O8热电薄膜不仅在热电器件领域而且在宽波段激光光探测器领域都具有潜在的应用前景．     

化学气相沉积法制备光谱选择性碲膜

用化学气相沉积法制备碲薄膜,其步骤为：通过电化学方法制得碲化氢,碲化氢在室温下分解后在聚乙烯塑料箔上沉积得到碲薄膜.用傅里叶红外光谱仪、紫外/可见/近红外光谱仪、X射线衍射仪及扫描电镜表征碲薄膜的光学性能和结构.结果表明,化学气相沉积法在Mn-O覆盖的聚乙烯塑料箔上沉积得到的碲薄膜在大气窗口（8～13μm）光谱区域具有很高的透过率,同时能阻挡几乎所有的太阳光谱,表明碲薄膜是适用于辐射制冷装置的太阳光辐射屏蔽材料.     

沉积方式对HfO2薄膜激光损伤阈值的影响

分别采用电子束蒸镀、离子束辅助沉积、离子束反应辅助沉积、双离子束溅射技术制备了二氧化铪薄膜,研究了薄膜的光学特性、缺陷、残余应力、弱吸收和抗激光损伤阈值.发现离子束反应辅助沉积的二氧化铪薄膜具有低的缺陷密度和高的损伤阈值;双离子束溅射的二氧化铪薄膜具有高的折射率、高的残余应力和低的损伤阈值.对二氧化铪薄膜的损伤阈值与上述特性之间的依赖关系进行了讨论,发现残余应力是影响薄膜抗激光损伤阈值的一个重要原因.     

化学水浴法制备ZnO阵列及其光伏性能研究

采用溶胶旋转涂覆技术和化学水浴两步工艺法制备了ZnO阵列,研究了种晶层对ZnO阵列的形貌、晶体结构的影响,并考察了所制备的ZnO阵列用作染料敏化太阳电池光电极的光伏性能.结果表明：沿（O02）晶面择优生长的种晶层,可为ZnO阵列的有序生长起到诱导作用,尤其是当种晶层面朝下放置时,ZnO阵列基本保持了种晶的结晶取向和尺寸大小,棒状阵列直径为50100nm.由此阵列作为光电极构成的DSCs的短路电流和填充因子较低,从而使得光电转换效率处于较低水平,主要原因可能是阵列太致密、薄膜厚度小,使得染料的吸附量低所致.     

玻璃陶瓷基板上铜薄膜的化学气相沉积

使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性。采用乙酰丙酮铜作为前驱体,在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行Cu薄膜金属化。利用热重分析、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、Cu薄膜进行分析观察。结果表明:影响Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度。在温度为290～310℃,N2气流量为200～350mL/min和H2气流量为450～600mL/min的条件下,获得了致密的Cu薄膜,Cu导体方块电阻为25mΩ。     

硅基氧化钆薄膜的生长及结构

采用脉冲激光沉积方法(PLD)在不同温度的Si(100)衬底上制备了Gd2O3栅介质薄膜,利用X射线衍射、X射线反射率以及光电子能谱等方法对它的结构、组成以及价带偏移等进行了研究.结果表明:衬底温度为300℃时,Gd2O3薄膜呈非晶态;当衬底温度为650℃时,形成单斜相的Gd2O3薄膜.XPS和XRR 结果确定其界面主要是由于界面反应形成的钆硅酸盐.通过XPS分析得到Gd2O3与Si之间的价带偏移为(-2.28±0.1)eV.     

退火温度对ZrW2O8薄膜结构和结合力的影响

采用纯ZrW2O8陶瓷靶材,以射频磁控溅射法在石英基片上沉积制备了ZrW2O8薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、划痕仪和表面粗糙轮廓仪研究了薄膜的相组成、表面形貌、薄膜与基片之间的结合力和薄膜厚度.试验结果表明:磁控溅射制备的薄膜为非晶态,在740℃热处理3 min后得到三方相ZrW2O8薄膜,在1 200℃封闭试样的条件下热处理8 min淬火得到立方相ZrW2O8薄膜;随着热处理温度的提高,薄膜的晶粒逐渐长大,平滑致密的表面出现了一些孔洞和缺陷,同时薄膜与基片之间的结合力也逐渐降低.