共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
静电感应晶体管(SIT)的I-V特性(包括类三极管、类五极管以及三一五极管的混合特性)与器件的结构密切相关.沟道长度lc、沟道宽度dc、比值lc/dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT运用方式的重要参数.如何控制这些参数并达到最佳匹配进而实现优良的I-V特性,是个关键而且困难的问题.本文给出了上述参数控制的一般原则、方法,还给出了控制的判据,引人了一个控制因子β,特别是对混合特性的控制问题进行了详细的讨论.由于混合特性低的通态电阻和高的AC功率效率,它更为适于低阻负载直接驱动电路. 相似文献
2.
3.
讨论了SIT的基本电性能参数以及它们之间的关系。通过这些电参数对器件I-V-特性的影响,系统地研究了为改善器件电性能应对各参数进行怎样的调控,以便为在SIT的制造中调整好器件的结构,工艺以及材料等制造参数提供理论依据。 相似文献
4.
我们提出一种新型的表面肖特基栅的a-Si∶H静电感应晶体管.这种管子制备工艺简单,界面特性良好.计算机模拟结果表明,隙态密度和沟道宽度是影响管子性能的主要参量,当隙态密度为10~(16)cm~(-3)ev~(-1)时,电流开关效应达10~8,工作频率为几兆周. 相似文献
5.
6.
提出一种新颖的横向槽栅双极晶体管( L T G B T) 结构.此结构可明显改善器件的闩锁效应.通过数值模拟,比较了 L T G B T 结构与 L I G B T 结构的闩锁电流密度大小,讨论了 L T G B T 结构闩锁电流密度与该结构的n + 和p + 阴极区域设计的关系.在相同5 微米n + 阴极长度下, L T G B T 结构闩锁电流密度比 L I G B T 结构提高了7 .7 倍, L T G B T结构闩锁电流密度大小随槽栅与p + 阴极之间距离减小而增大. 相似文献
7.
8.
运用半导体器件数值模拟中的漂移-扩散模型,对静电感应晶闸管(SITH)的负阻转折特性进行了模拟和分析.通过对器件内场和载流子分布的模拟,揭示了SITH的负阻转折特性是源于高电平下双注入的加强以及伴随的耗尽层的收缩.模拟结果与实验结果吻合较好,对器件的设计与优化具有指导意义. 相似文献
9.
建立了电热耦合和损耗热场耦合计算模型,采用该模型,获得了相同外部条件下的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片结温波动特性及温度分布特征,完成了使用红外热成像实时探测短时脉冲工作方式下IGBT芯片表面温度波动及分布特性的预测.探测结果表明,在一定散热条件和占空比不大的情况时,短时脉冲间歇等非周期瞬态工作方式下芯片表面温度快速上升之后,进入一个缓慢的上升周期,实验也表明,在特殊工作场合时可突破器件手册推荐使用的最大电流值.利用建立的热分析模型,还可以实现对不同工作方式下器件结壳温差和结温波动幅度的预测. 相似文献
10.
采用简化热阻模型和一维稳态有内热源的热传导方程,对有机电致发光(OLED)器件的热传导特性进行了研究.为了改善OLED器件的性能,设计并实现了一种新型结构的OLED器件.在给定OLED器件的结构、输入功率、对流换热和热物性参数等因素情况下,推导得出OLED器件运行时温度升高与输入功率,基片及各功能层薄膜的热导系数、厚度、面积等之间的关系式,建立了OLED器件内部的温度分布关系.研究结果表明,器件内的有机层和基底的传热性能是影响器件温度分布的重要因素,在功率密度为1.167×104W/m2、外界温度为300 K时,OLED器件在发光层AlQ3中可获得最高温度,其温度值比环境温度高29 K.在研发OLED器件过程中,要提高OLED器件的热稳定性,改善焦耳热效应对OLED器件性能的影响,则需要选用热物性较好的OLED有机材料,使有机层与导热性能良好的电极保持良好接触.通过实验研究,验证了理论分析的正确性.在相同的输入功率情况下,对自制备的若干Al阴极厚度不同的OLED器件进行了比较分析,验证了理论模型的有效性.研究结果对于OLED研发具有重要的价值. 相似文献
11.
12.
The organic thin-film field effect transistor was prepared through vacuum deposition by using teflon as di-electric material. Indium-tin-oxide acted as the source and drain electrodes. Copper phthalocyanine and teflon were used as the semiconductor layer and dielectric layer, respectively. The gate electrode was made of Ag. The channel length between the source and drain was 50 μm. After preparing the source and drain electrodes by lithography, the copper phthalocyanine layer, teflon layer and Ag layerwere prepared by vacuum deposition sequentially. The field effect electron mobility of the device reached 1.1×10ˉ6 cm2/(V@s), and the on/off current ratio reached 500. 相似文献
13.
基于有限元法的发动机曲轴静强度分析 总被引:4,自引:0,他引:4
针对某单缸发动机曲轴断裂问题,在CATIA里进行了三维实体建模,通过导入Hypermesh进行划分网格等前处理,利用MSC.Patran /Nastran对其进行有限元分析.结果表明:在使用球墨铸铁为材料的情况下,曲轴的疲劳强度安全系数未满足要求,从理论上验证了曲轴会发生断裂;将材料更换为40Cr的曲轴,其疲劳强度安全系数满足要求,理论上不会发生断裂,最后通过400 h发动机可靠性试验验证了仿真的正确性. 相似文献
14.
文章借助ANSYS有限元软件建立了某砌体烟囱的有限元模型,为充分考虑砌体结构承载的实际情况,运用等效体积单元法进行烟囱砌体结构的静、动力特性分析,并与理论计算结果进行了对比,所得结果为现有的砌体烟囱的改造加固提供了理论依据。 相似文献
15.
针对龙门式机床横梁结构的静刚度问题,通过建立龙门式机床横梁的三维实体模型和有限元模型,利用ANSYS软件对横梁进行了有限元分析,得出了横梁在最不利工况下的应力和变形分布情况。通过将横梁上移动部件进行拟静态化处理和载荷等效,获得了横梁上移动部件不同位置对横梁受力和变形的影响。 相似文献
16.
17.
18.
随着工程技术的发展,桩在建筑领域的应用愈加广泛;但是由于沉桩引起的土体中超孔隙水压力的变化却少有研究。首先采用室内模型试验的方法,对比研究了静压沉桩以及锤击沉桩对饱和砂土中超孔隙水压力的影响范围,在不同沉桩工法下砂土中超孔隙水压力产生的规律;同时,采用数值模拟的方法比较了不同沉桩速度以及不同的桩体表面粗糙度对饱和砂中超孔压的影响。通过以上研究,定量地对比研究了静压沉桩以及锤击沉桩对饱和砂土中超孔压的影响;同时研究了不同施工因素对超孔压的影响,对实际的施工有一定的指导意义。 相似文献
19.
基于模型试验结果,通过有限元数值模拟软件研究静载作用下模型尺寸对埋地管道力学性能与形变性能的影响.数值分析结果表明:模型箱水平边界在距管壁20D以内变化时,随着模型尺寸逐渐增大,土体极限承载力不断增加,并且相同荷载水平下加载板沉降与管道径向变形比也随之变大,而管周土压力、管周径向和环向应力均随之减小,边界对管道的约束作用逐渐减弱;模型尺寸不同时,管道径向变形比在加载过程中的变化规律差异明显;地表静载作用下,管道以环向受压为主,并且由于管顶产生土拱效应,管周土压力中管侧处最大,管顶处次之,管底处最小;当模型箱外壁水平向扩展超出20D时,管道上方土体承载力、管道受力和形变规律基本一致.表明为减少或消除水平边界效应,模型箱外壁水平向扩展边界选20D为宜. 相似文献
20.
采用有限元分析法建立真空平板玻璃的简化模型,研究了真空平板玻璃的静态与模态特性,得到静态载荷作用下真空平板玻璃的应力场、应变场及其前6阶模态,分析了真空平板玻璃的表面挠度变形、应力分布的规律及其各阶自然频率、振型等模态特性.研究结果表明:真空平板玻璃前6阶频率比较明显,静态载荷下真空平板玻璃中心处表面应力值与挠度变形程度较大,随着与真空平板玻璃中心处距离的增加,应力值与挠度变形呈现减小趋势. 相似文献