共查询到20条相似文献,搜索用时 585 毫秒
1.
近20年以来,薄膜科学得到迅速发展,不仅得益于薄膜材料可能具有力、热、光、电、磁、仿生或化学等各种特性,可以使器件小型化,而且也得益于各种薄膜制备手段的进步.其中,溅射技术已成为几种重要的制备薄膜的手段之一.广泛应用于制备超硬涂层、耐磨涂层、耐腐蚀涂层以及具有电学、光学、半导体等性质的薄膜,SiC薄膜就是其中很有发展前景的一种.本文将介绍溅射原理、薄膜制备技术,着重介绍溅射法在制备SiC薄膜中的应用和前景展望. 相似文献
2.
3.
4.
CIGS薄膜太阳电池具有低成本、高效率、性能稳定等优点,是最有发展前途的太阳能电池之一,受到了广泛关注.阐述了CI(G)S材料特性,分别介绍了多种制备方法,其中着重介绍共蒸发三步法这一制备小面积高效率电池的通用方法和在产业化生产中更理想的溅射后硒化法. 相似文献
5.
磁控溅射法中影响薄膜生长的因素及作用机理研究 总被引:2,自引:0,他引:2
磁控溅射法是制备薄膜材料的重要手段,薄膜属性受其制备参数的制约,诸参数相互关联,共同影响薄膜的沉积、成核及生长。本文在简要介绍了磁控溅射制备薄膜的基本原理及基本流程的基础上,讨论了溅射参数影响薄膜属性的基本规律和作用机理,并简述了使用磁控溅射法制备薄膜的注意事项。 相似文献
6.
《信阳师范学院学报(自然科学版)》2017,(4):667-671
铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜是一种n型半导体光学透明薄膜,具有优异的光电转换特性.综述了磁控溅射法制备AZO薄膜的研究现状.介绍了衬底温度、溅射功率、氧分压、溅射角度、衬底类型和退火温度等工艺参数对AZO薄膜的微结构、表面形貌和光电性能的影响.展望了其今后的研究方向和应用前景. 相似文献
7.
利用直流磁控溅射法,在玻璃衬底上制备掺锰氧化锌(ZnO ∶Mn)透明导电薄膜.研究了溅射功率对薄膜结构、力学性能和光电性能的影响.功率对薄膜应力影响不是很大,且应力均为负值,表现为压应力.溅射功率通过改变晶粒尺寸和结晶程度而影响薄膜的导电性能:当溅射功率为135 W 时,薄膜的电阻率具有最小值为1.10×10-2Ω·cm.实验表明,功率是影响 ZnO ∶Mn 薄膜性能的一个重要参量. 相似文献
8.
金属硅化物在电阻薄膜材料中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了金属硅化物在电阻薄膜材料中的应用.用真空感应熔炼精密浇铸方法制备含铬和镍的硅化物,作为溅射沉积电阻薄膜的溅射阴极靶材.发现随着硅含量的增加,溅射得到的薄膜电阻值变大,Si含量在50%(质量分数)以上时,溅射阴极靶材的组成由CrSi2,NiSi两相变成Si,CrSi2和NiSi2三相.所研制的三种型号的溅射阴极靶材适用于不同电阻值范围的电阻薄膜的溅射沉积,可在金属膜和金属氧化膜电阻器上应用. 相似文献
9.
10.
在SPF-430H射频磁控溅射系统上用反应溅射方法制备TiN薄膜.研究了制备工艺,讨论了薄膜的光学性能与溅射工艺参数的关系.实验结果表明,在优化制备工艺基础上能制备出具有优良光学性能(高折射率、高透射率)的TiN薄膜. 相似文献
11.
溅射法制备ZnS:Er^3+薄膜的微结构研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用射溅射控溅射法制备掺铒硫化锌薄膜,用X射线衍射和X射线光电子能谱技术。研究薄膜微结构,发现薄膜中多晶沉积有择优取向趋势,掺杂的铒有表面集聚现象,这将对薄膜的发态产生影响。 相似文献
12.
热处理对离子束溅射Ni-Cr薄膜性能和结构的影响 总被引:2,自引:1,他引:2
采用低能离子束溅射技术制备Ni-Cr合金薄膜,并对Ni-Cr合金薄膜进行快速热处理.用小角度X射线衍射仪、扫描电镜、原子力显微镜、α-台阶仪、四探针仪等测量薄膜的结构、形貌、厚度及电子学特性.研究结果表明:采用低能离子束溅射技术结合快速热处理工艺可以制备性能优良的Ni-Cr合金薄膜,薄膜的厚度与溅射时间呈正比;经过350℃及以上温度快速热处理后,溅射非晶态Ni-Cr合金薄膜发生晶化;溅射态合金薄膜方块电阻与溅射时间呈反比;薄膜方块电阻随热处理温度的升高而降低,经450℃/600 s热处理后薄膜方块电阻不发生变化. 相似文献
13.
射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了在玻璃衬底上射频磁控溅射SiO2薄膜的工艺技术,给出了薄膜淀积速率,膜内组分与工艺条件特别是溅射气压的关系。实验证明,和其他镀膜技术相比,射频磁控溅射可以在更低的温度下制备致密、均匀、重复性好的SiO2薄膜。 相似文献
14.
15.
采用热丝化学气相沉积法在Si(111)、Ti(101)衬底上制备了SiC薄膜,并利用X射线衍射和傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析.XRD结果表明,制备的SiC薄膜呈现3C-SiC结晶相,有很好的择优取向性.HIR谱显示,薄膜的吸收特性主要为Si-C键的吸收,其吸收峰为804.95cm^-1.从原子力显微镜对SiC薄膜表面形貌的测试分析可以看出,样品表面呈规则精细颗粒状结构且薄膜结构致密.此外,在高真空系统中(6.0×10^-4Pa)对生长的SiC薄膜进行场敛发射特性测试,结果表明生长的SiC薄膜具有场致发射特性:样品的开启电压为82.1V/μm,最大电流密度为631.5μA/cm^2. 相似文献
16.
在Pt/Ti/SiO2/Si(110)衬底上利用射频磁控溅射法制备了Ba1-xSrxTiO3(BST)薄膜.基于薄膜的形核理论,研究了成膜时间、衬底温度、溅射功率、溅射气压、氧氩比、退火热处理等参数对薄膜的表面形貌和介电性能的影响.结果表明:在其他溅射参数一定的条件下,薄膜的厚度随溅射时间成指数关系增长;在退火温度600℃下热处理20min薄膜完全晶化;调节衬底温度、溅射功率、溅射气压等参数有助于制备出表面致密、晶粒大小均匀、具有高介电常数和低损耗的BST薄膜. 相似文献
17.
氧化锌是一种重要的压电与光电材料,用粉靶代替常规的固体陶瓷靶溅射沉积ZnO薄膜,对基底的加热温度、溅射气压和氧气的混合比率等沉积条件对氧化锌薄膜特性的影响进行了研究,主要对沉积在玻璃基片上的ZnO薄膜进行了X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)以及台阶仪的测量和分析比较,用粉靶溅射的ZnO薄膜具有很好的C轴长相和很窄的衍射峰半宽(0.2°~0.27°)。因为ZnO膜在C轴方向有很强的压电性,从而也说明了用粉靶溅射的ZnO薄膜具有很好的压电特性。分析和测量结果显示用粉靶溅射ZnO薄膜的最佳条件是:(1)基片加热温度为300~400℃。(2)氧气的混合含量为0.5~0.8.(3)溅射气压为1~2 Pa。得出了利用粉靶溅射制备的ZnO薄膜与用陶瓷靶制备同样具有很好的性能。 相似文献
18.
SiC薄膜具有结构不易控制,透明性较差的特点,采用PECVD方法淀积的纳米SiC薄膜经光学透过率测试表明,在637nm和795nm处高的光透过率,并且当薄膜的厚度增大时,仍然具有高透过率的特性,这一结果表明,PECVD技术具有制备结构均匀,透明的纳米SiC薄膜的优势,同时,在与非晶SiC薄膜进行对比中发现非晶SiC薄膜的透过率不如纳米SiC薄膜。 相似文献
19.
20.
宋娟 《盐城工学院学报(自然科学版)》2009,22(3):24-27
梯度薄膜是一种涂覆型梯度材料,具有均质薄膜无法比拟的优越性。溅射法效率较高且环保,较广泛地应用于梯度薄膜的制备。对于反应溅射,可通过连续改变反应气体流量制得化学成分比连续变化的梯度薄膜。对于非反应溅射,可通过溅射一系列不同成分比的靶材制得梯度薄膜,但成本较高,且梯度层有限。而通过连续改变溅射参数来制备梯度薄膜是较常用的方法。 相似文献