还原气氛热处理对 BaTiO_3 热敏电阻性能的影响

对常温阻值大于标称阻值ＰＴＣＲ热敏电阻在还原气氛中（氧分压ｌｇ｛ｐＯ２｝Ｐａ＝－４．１１０６～－４．０５４７）于６００℃，８００℃和９００℃分别处理２ｈ，４ｈ和６ｈ，对处理后的热敏电阻电性能及老化特性进行了研究．结果表明，在满足产品电性能要求的前提下，还原气氛热处理在一定程度上可以调整ＰＴＣＲ热敏电阻的常温阻值，提高产品的合格率．     

Ca^2＋掺杂对PTCR元件电性能的影响

研究了Ｃａ＾２＋取代Ｂａ＾２＋后对ＰＴＣＲ材料电性能的影响，发现随着Ｃａ＾２＋含量的增加，ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣＲ样品的平均晶粒直径单调下降，耐电压性能单调上升。Ｃａ＾２取代量在一定范围内，常温电阻率变化不大，但超过一定值后，常温电阻率急剧上升，这种现象与晶界缓冲效应有关。     

添加剂BN对钛酸锶铅基陶瓷材料性能的影响

研究了添加剂ＢＮ对（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ型ＰＴＣＲ陶瓷材料电性能和显微结构的影响，试验结果表明，ＢＮ含量在０．１％￣０．４％范围内可以改善材料的显微结构，降低室温电阻率和烧结温度，从而使材料获得良好的Ｖ型ＰＴＣＲ电性能。     

精制玉米蛋白粉的制备及在灌肠中的应用

玉米蛋白粉经氯仿常温浸泡２．５ｈ,７５℃抽提１．５ｈ;ｐＨ６．０,温度４０℃,４％β－ＣＤ溶液浸泡４ｈ脱臭;ｐＨ５．５,温度５５℃,２０％磷酸三钠浸泡改性处理后,制得玉米蛋白精粉。此精粉在灌肠中的添加量小于４％时,产品质量良好。     

2,4—二硝基五环[4.3.0.0^2.5.0^3,8.0^4,7]壬烷^1H和^13C…

利用＾１Ｈ－＾１ＨＣＯＳＹ，＾１３Ｃ－＾１ＨＣＯＳＹ，＾１３Ｃ－＾１Ｈ远程ＣＯＳＹ以及选择性远程ＤＥＰＴ＾１３ＣＮＭＲ谱，对２，４－二硝基五环［４．３．０．０＾２．５，０＾３．８．０＾４，７］壬烷的＾１Ｈ和＾１３ＮＭＲ谱进行了完全的归属。     

铬酸钒为基的PTC陶瓷的研究

本文使用ＳＥＭ、ＥＤＳ、ＥＡＳ、ＸＲＤ和电阻率测量技术，研究了工艺参数和加入（Ｃｏ，Ｆｅ２Ｏ３）对ＰＴＣ（Ｖ１－ｘ，Ｃｒｘ）２Ｏ３陶瓷的显微结构和电性能的影响。实验结果表明，为了制造优良性能、高可靠的热敏电阻器，必须精确控制陶瓷组份和工艺。引人象Ｃ。这样的添加物是重要的，它主要以金属形式分布在基体中，同时发现添加物对试样致密度和电性能的影响也是有益的。     

PTCR半导陶瓷老化后的复阻抗研究

根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数．计算结果表明，老化后室温阻值增加，这主要是电极氧化引起的．对实验结果进行了物理本质的初步探讨．     

2，4－二硝基五环［4．3．0．0~（2，5）．0~（3，8）．0~（4，7）］壬烷~1H和~（13）C NMR的完全归属

利用１Ｈ－１ＨＣＯＳＹ，１３Ｃ－１ＨＣＯＳＹ，１３Ｃ－１Ｈ远程ＣＯＳＹ以及选择性远程ＤＥＰＴ１３ＣＮＭＲ谱，对２，４－二硝基五环［４．３．０．０２，５．０３，８．０４，７］壬烷的１Ｈ和１３ＣＮＭＲ谱进行了完全的归属．     

生物化学法制备负载型钯催化剂

菌株Ｒ０８（Ｂａｃｉｌｌｕｓ）具有强吸附还原Ｐｄ２＋ 的能力． 用Ｒ０８ 将Ｐｄ２＋ ／γ－ Ａｌ２Ｏ３ 表面的Ｐｄ２＋ 完全还原为Ｐｄ０,制成高分散度的Ｐｄ０／γ－ Ａｌ２Ｏ３ 催化剂． 该催化剂对ＣＯ催化转化为ＣＯ２ 表现出高的活性,在１５０ ℃,通ＣＯ（２％ ）空气混合气、ＧＨＳＶ ３０ ０００ ｍ Ｌ·ｇ－ １·ｈ－ １的条件下,ＣＯ转化率１００％ ;而且已测单程寿命为８０ ｈ．     

陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究

陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究樊玉薇，贾连娣，吴冲若（东南大学电子工程系，南京２１００１８）为使钛酸钡系陶瓷正温度系数热敏电阻（ＰＴＣＲ）的电阻率在一定范围内，一般方法是通过控制原材料纯度、微量元素分布均匀性与工艺过程一致性来减小阻值分散［１］，而对烧...     

CaCl2法质粒转化最佳条件的探讨

ＣａＣｌ２法质粒转化中的一些关键性步骤的实验条件进行了探讨结果表明，ＣａＣｌ２处理对制备感受志受体菌是至关重要的，ＣａＣｌ２处理后的受体菌在４℃放置１６～２４ｈ是必要的．ＣａＣｌ２处理浓度以０．０７５ｍｏｌ·Ｌ－１最佳．为了得到足够的转化菌落，质粒加入量不应低于０．２μｇ．     

原位反应生成Al-Fe/Al_2O_3,Al-Cu/Al_2O_3复合材料的过程原理

采用喷射共沉积法制备了Ａｌ－Ｆｅ２Ｏ３及Ａｌ－ＣｕＯ复合体，Ｆｅ和Ｃｕ的质量分数分别为９．６０％和５．５０％．在热处理过程中，随着温度由６００℃升高到８００℃和１０００℃，Ｆｅ３Ｏ４按Ｆｅ３Ｏ４ＦｅＯＦｅ顺序被还原，得到Ａｌ－Ｆｅ／Ａｌ２Ｏ３复合材料，其中Ｆｅ以Ａｌ１３Ｆｅ４相及ＡｌＦｅ相形式存在．Ａｌ２Ｏ３粒度为２～４μｍ均匀分布在基体中．Ａｌ／ＣｕＯ复合体在９００℃处理后，形成Ａｌ－Ｃｕ／Ａｌ２Ｏ３复合材料．文中对显微结构形成、反应进行的过程作了分析．     

氧化钒与聚合物复合的热敏电阻材料

将过渡金属氧化物（Ｖ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５）分别与高密度聚乙烯（ＨＤＰＥ）、低密度聚乙烯（ＬＤＰＥ）、聚丙烯（ＰＰ）复合制备热敏电阻材料，其室温电阻率最低可达０．４Ω·ｃｍ，ＰＴＣ效应（ρｍａｘ／ρ２５℃）高达１０１０数量级。本文研究了导电微粒、聚合物的种类、数量对室温电阻率和ＰＴＣ效应的影响规律，并对复合材料的微观结构进行分析，用电子隧道效应理论解释了材料的ＰＴＣ效应。     

纳米级热敏电子陶瓷材料钛酸钡的合成

以ＴｉＣｌ４,ＢａＣｌ２－２Ｈ２Ｏ,ＫＯＨ,ＮａＯＨ为原料在ＰＨ值１０－１２,反应温度６０－１５０℃压力０．１－０．３５ＭＰａ、反应时间１－４ｈ下经凝胶 晶转变合成钛酸钡,经有关厂家进行了半导化试验产物借助于ＸＲＤ、ＴＥＭ及化学分析,证明产物达到纳米级钛酸钠水平。     

BaO—PbO—Bi_2O_3－Nd_2O_3－TiO_2系陶瓷的物相和电性能

研究ＢａＯ－ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２五元系统在８００～１２００℃烧结中物相变化和电性能．ＸＲＤ测试数据：１０００℃时ＢａＴｉＯ３消失，主晶相为ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２和Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７，ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４开始出现，１１００℃到１１５０℃，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２在ＸＲＤ图上消失，ＢａＴｉ４Ｏ９和Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７含量逐渐减少，ＢａＮｄ２ＴｉＯ１４逐渐增加；１２００℃时，ＸＲＤ图谱全部为ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４，证明该系统的主晶相ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４是由Ｎｄ２Ｏ３、ＴｉＯ２对具有微波特性的ＢａＴｉ４Ｏ９改性而得：铅含量增加，主晶相的ａ、ｂ二晶轴缩短．调整各组分及玻璃的含量，获得ε＝９０±５、损耗ｔｇδ≤３×１０－４、绝缘电阻ρｖ≥１０１２Ωｃｍ、电容量温度系数αｃ＝０±１５×１０－６／℃、中温（１１５０℃）烧结的ＮＰＯＭＬＣ瓷料．     

聚乙二醇用作改善亲核取代反应的相转移催化剂

研究了将聚乙二醇用作相转移催化剂及其对亲核取代反应的改善，先将雌二醇经溴化制得２－或４－溴雌二醇，再分别氯仿中以聚乙二醇（ＰＥＧ－４００）作相转移催化剂（ＰＴＣ）进行亲核取代反应制备２－呈４－甲氧基雌二醇，发现其适条件为：反应温度６－６５℃，搅拌反应时间１．５ｈ，试剂比例底物为甲醇：ＫＯＨ：ＰＥＧ＝１：２０：８０：０．８，获得较高亲核取代产率；２－氧基雌二醇６６．７％及４－甲氧基雌二醇７０．３％，     

熔盐法制备PMN—PT陶瓷的烧结条件对显微结构和介电 …

采用ａＣＩ－ＫＣＬ熔盐法制备了单一钙钛矿相结构的０．８ＰＭＮ－０．２ＰＴ陶瓷样品,研究了烧温度和烧结时间对其显微结构和介电性能的影响。结果表明,烧结温度对陶瓷的显微结构和介电性能影响非常显著,其最佳烧结温度、时间分为１２００℃,３０ｍｉｎ。     

钨─钴混合氧化物直接气相还原／碳化相变过程

用ＸＲＤ和ＳＥＭ对钨－钴混合氧化物（Ｗ２０Ｏ５８＋Ｃｏ３Ｏ４）的氢还原及在不同组成的Ｈ２／ＣＨ４混合气体中的碳化过程进行了研究．结果表明，在８５０℃以上氢还原产物是α－Ｗ＋Ｃｏ３Ｗ＋Ｃｏ７Ｗ６三相混合物．纯蓝钨（Ｗ２０Ｏ５８）或钨－钴混合氧化物都能在较低的温度下（９００～１０００℃）被甲烷气相碳化成ＷＣ，碳化速度和游离碳的析出均与碳化温度及Ｈ４／ＣＨ４混合气相的组成有关．作者给出了最佳的碳化工艺条件     

PTCR半导陶瓷老化后的复阻抗研究

根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数，计算结果表明，老化后室温阻值增加，这主要是电极氧化引起的，对实验结果进行了物理本质的初步探讨。     

ZnCr2O4陶瓷烧结反应机理的探究

用ＴＧ,ＤＴＡ及ＸＲＤ等方法研究了ＺｎＣｒ２Ｏ４－Ｃｒ２Ｏ３陶瓷传感材料,在常温－１０００℃程序升温过程中的化学反应机理及烧结产物的物相结构。