CdO—Fe2O复合氧物半导体气敏材料的制备和性能

采用化学共沉淀法，制备了系列ＣｄＯ－Ｆｅ２Ｏ复合氧化物气敏半导体材料，研究了制备条件对电导和气敏性能的影响。     

ZnO-CdO二元体系的导电机制和气敏效应￣①

采用化学共沉淀与固相反应相结合的方法，合成了一系列不同Ｚｎ／Ｃｄ比氧化物粉料。研究了不同Ｚｎ／Ｃｄ比对相结构、电导与气敏性能的影响．没有发现Ｚｎ，Ｃｄ氧化物形成明显的置换固溶体或第三相，但存在间隙固溶体现象。Ｚｎ／Ｃｄ比为８／２时，元件对Ｈ２和Ｃ２Ｈ２有较高的灵敏度和选择性。     

YFeO3复合氧化物半导体材料的制备,掺杂和气敏性能研究

用化学共沉淀法制备了ＹＦｅＯ３及其掺锌固溶体Ｙ１－ｘＺｎｘＦｅＯ３气敏材料，并对其制备条件、相结构、电导和气敏性能进行了研究。结果表明：Ｆｅ与Ｙ物质的量比为１：１，８５０℃以上热处理一定时间可得钙钛矿结构的纯相ＹＦｅＯ３；电导测量显示，该系列材料呈ｐ型半导体导电行为，且固溶体导电优于纯相。Ｙ０．９４Ｚｎ０．０６ＦｅＯ３电导突变温度４００℃，较纯相ＹＦｅＯ３低７０℃，９００℃下热处理４ｈ所得微粉制作     

SnO2—ZnO薄膜的热处理效应

用电子束蒸发的方法,在1.33×10~(-3)Pa的真空中蒸发SnO_2-ZnO陶瓷及掺杂荆,获得超微粒结构的SnO_2-ZnO薄膜,薄膜在氮气和氧气气氛中进行热处理。经热处理后,薄膜的结构、电学及光学性能得到改善。由这种薄膜制备的气敏元件,经掺杂和600℃热处理后,对乙醇气体有很高的灵敏度。     

钛镁共掺氧化锌透明导电薄膜的制备及其光电性能

采用磁控溅射工艺制备了钛镁共掺氧化锌(TMZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜,通过紫外-可见分光光度计和四探针仪的测试以及光学表征技术,研究了气体压强对薄膜样品光学和电学性能的影响.结果表明:所有薄膜样品在可见光区域具有正常色散性质,其折射率曲线均遵循单振子色散模型;同时TMZO薄膜的光电性能与气体压强密切相关.当气体...     

Al_2O_3掺杂对ZnO纳米粉体气敏性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了ZnO及掺铝ZnO纳米粉体.利用X射线粉末衍射仪、透射电镜对材料的结构进行了表征.结果表明制备的ZnO及掺铝ZnO纳米材料均属于六方晶系,纤锌矿结构.用纯ZnO和掺铝ZnO做成气敏元件,研究了不同掺杂量对材料的气敏性能的影响.结果表明,铝掺杂均使ZnO对体积分数30×10-6的Cl2的灵敏度有很大的提高,当铝含量为Al2O3/ZnO=0.5%(mol)时,对30×10-6Cl2的灵敏度最高可达800左右.并讨论了纳米氧化物的气敏机理.     

Cr掺杂ZnO薄膜的制备及磁性机制研究

采用磁控交替溅射方法以及真空退火处理制备了Zn1-xCrO薄膜,采用X射线衍射、X射线光电子能谱、物理性质测量仪对样品的结构、表面形态以及磁学性质进行了测试与分析．测试结果表明所有掺杂样品在室温下均具有微弱的铁磁性,并初步给出了其磁性机制．     

SnO2—ZnO陶瓷热敏特性的实验研究

本文研究了不同原料配比对SnO_2-ZnO陶瓷的结构及其热敏特性的影响,通过改变SnO_2和ZnO的比例可以获得室温电阻率为10~(-3)Ω-cm到10~6Ω-cm,B值为200到22000,工作温度范围在70到1200K的热敏电阻材料。     

铝掺杂对CdFe2 O4体系物相、电导和气敏性能的影响

 按化学式Cd(Al_x Fe_1-x)₂ O₄进行化学计量配比,以化学共沉淀法制备了系列掺铝CdFe₂ O₄固溶体粉料。XRD测量结果表明,掺铝Cd(Al_x Fe_1-x)₂ O₄固溶体的固溶x值范围为0