MSnO3系气敏材料的研究：Ⅱ NiSnO3气敏材料的制备及特性 …

报道了ＮｉＳｎＯ气敏材料的制备及气敏特性，研究表明ＮｉＳｎＯ３是一好的气敏材料。     

MSnO3系气敏材料的研究(Ⅱ)NiSnO3气敏材料的制备及特性研究①

报道了ＮｉＳｎＯ３气敏材料的制备及气敏特性，研究表明ＮｉＳｎＯ３是一好的气敏材料。     

提高SnO2／ZnO薄膜气敏特性的穆谱研究

二次溅射薄膜ＳｎＯ２／ＺｎＯ是一种有用的气敏材料，本文用内转换电子穆谱（ＣＥＭＳ）方法，研究了它的气敏特性，实验结果表明，穆谱参数（同质异能移ＩＳ和四极分裂ＱＳ）随溅射时间和退火温度变化．与气敏特性变化规律相对照，由此找出了材料的最佳工艺参量，并讨论了气敏机理．     

聚苯胺/酞菁铜有机半导体杂化材料的制备及气敏性能

以4-硝基邻苯二腈和对甲基苯酚为苯环源物质,采用二步反应的模板反应合成法合成了酞菁铜(CuPc);以苯胺为聚苯胺(PANI)源物质,采用一步反应的化学氧化聚合法合成,并通过掺杂高氯酸、硫酸、硝酸获得半导化的掺杂态PANI.选取反应过程中的中间体物质,以分子杂化修饰方法将二者聚合形成一种新的有机半导体材料CuPcxPANI1-x.以磁控溅射、真空镀膜、激光微加工工艺实现了芯片与新型敏感材料的有机结合,利用SEM观察薄膜表面形貌;薄膜气敏特性测试采用静态配气法.结果表明:通过改变酸化掺杂及比例系数,新型有机半导体杂化材料对SO2,NO2,Cl2等气态毒气有较好的气敏性和选择性.     

MSnO_3系气敏材料研究(Ⅰ)CdSnO_3气敏材料的制备及特性研究①

报道了ＣｄＳｎＯ＿３气敏陶瓷的制备及气敏特性，研究表明，微细ＣｄＳｎＯ＿３是制作乙醇和丙酮气敏元件的良好材料。     

MSnO3系气敏材料的研究：Ⅰ CdSnO3气敏材料的制备及？…

报道了ＣｄＳｎＯ３气敏陶瓷的制备及气敏特性。研究表明，微细ＣｄＳｎＯ３是制作乙醇和丙酮气敏元件的良好材料。     

纳米CoTiO3的气敏特性

文章通过实验研究了纳米CoTiO3材料的气敏特性，结果发现纳米CoTiO3对C2H5OH非常敏感，而且选择性，响应和恢复时间也很好。利用表面吸附理论，文章分析认为纳米CoTiO3材料的气敏机理源于其极高的表面活性；气敏选择性则源于气体的稳定性和被吸附的量。     

CO气体敏感元件的研究①

介绍了作者当前ＣＯ敏元件的研究进展，采用ＳｎＯ＿２材料和ｙ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３材料研制的旁热式ＣＯ气敏元件的基本特性，以及用ＳｎＯ＿２Ｆｅ＿２Ｏ＿３材料制作的常温电阻型和振荡型气敏元件的特点。     

CO气体敏感元件的研究

介绍了作者当前ＣＯ敏元件的研究进展，采用ＳｎＯ２材料和γ－Ｆｅ２Ｏ３材料研制的旁热式ＣＯ气敏元件的基本特性，以及用ＳｎＯ２．ｌｎＯ３材料制作的常温电阻型和振荡型气敏元件的特点。     

酞菁铜NO_2气敏元件的研制

采用旁热式烧结工艺制成了酞菁铜NO_2气敏元件.该元件的灵敏度比较高,在低浓度范围内线性较好,可检测浓度为5ppm的NO_2;响应速度快(小于25s),有极高的选择性,对其它气体基本不响应,且具有一定的抗湿性.     

环糊精类LB膜新材料的合成和性质

将环糊精与集中人有非线性光学性质官能团的化合物相连合成相应的ＬＢ膜材料，并对它们的性质进行了初步研究。结果表明，它们既保留了环糊精类衍生物出色的成膜性，又有良好的非线性光学性质，是一类有用的ＬＢ膜材料。     

CuInSe2薄膜太阳电池

ＣｕＩｎＳｅ２是极具潜力的太阳电池新材料,其能量转换效率、使用寿命和抗辐射性能力是当今复晶及非晶薄膜太阳电池研究中的最高纪录。本文从材料科学的观点来介绍ＣｕＩｎＳｅ２薄膜的特性及制作过程并提及其材料品质可改善的程度。这方面的了解将有助于我国对于高效率薄膜太阳电池的研究。     

MOCVD法制备TiO_2薄膜的光电化学性质研究

采用金属有机化学气相沉积 (MOCVD)法制备了TiO2 薄膜 ,测定了TiO2 薄膜的晶体结构 ,以 p -Si为基底电极 ,研究了TiO2 薄膜的光电化学性质 .经TiO2 修饰的p-Si电极 ,开路光电位增加近 2 0倍 ,并表现出很强的稳定性 ,是较理想的光电极材料及光电极修饰材料 .     

四氧化三铁薄膜的电子输运性能

20世纪80年代后期,人们对电子器件小型化、高集成度以及高运算速度提出了更高的要求,以此为目标,通过对磁性多层膜、磁性颗粒膜、磁性半金属材料的巨磁电效应、霍耳效应等自旋相关电子输运性能的研究,逐渐形成了一门新兴的交叉学科-自旋电子学[1].自旋电子学将电子的自旋特性引     

自组单分子纳米膜提高驱油效率及微观机理研究

鉴于某些含阳离子基团的物质可通过静电吸附作用在带负电的硅质矿物表面上形成无润湿纳米膜,使油湿或水湿变为中间润湿或弱水湿,明显提高驱油效率.作者提出在注入水中加入一种含阳离子基团物质的塞段,该物质可在带负电荷的砂岩矿物表面形成可在后续水中脱附的自组单分子纳米膜,通过取代水膜和沥青膜除去各种形式的残油.室内试验表明,该法无论在水湿或油湿,高渗或超低渗储藏中均可获得良好的驱油效果.     

提高金属膜熔断电阻器的熔断性能

通过分析金属膜熔断电阻器熔断原理，主要从选择最佳的热处理温度、采用低碱瓷基体、锡镀层的铁帽盖材料等几方面论述了如何提高金属膜熔断电阻器的熔断性能。     

β-FeSi2半导体薄膜的研究进展

综述了半导体β-FeSi2薄膜的制备、薄膜的表征、能带的特点、电学、光学性质等方面的研究进展,讨论了几种用于Si衬底上外延生长β-FeSi2薄膜方法的优缺点,分析了制备高品质β-FeSi2薄膜所存在的理论和技术上的难题,展望了β-FeSi2薄膜作为新光电材料的应用前景.     

Effects of Au nanoparticle addition to hole transfer layer in organic solar cells based on copper naphthalocyanine and fullerene

Organic solar cells based on copper naphthalocyanine(CuNc) and fullerene(C60) were fabricated, and their photovoltaic properties were investigated. C60 and CuNc were used as n-type and p-type semiconductors, respectively. In addition, the effect of Au nanoparticle addition on a hole transfer layer was investigated, and the power conversion efficiency of the devices was improved after blending the Au nanoparticles into the hole transport layer. Nanostructures of Au nanoparticles were investigated by transmission electron microscopy and X-ray diffraction. Energy levels of molecules were calculated by molecular orbital calculations, and the nanostructure and electronic properties were discussed.& 2014 Chinese Materials Research Society. Production and hosting by Elsevier B.V. All rights reserved.     

铝对FeN薄膜结构和磁学特性的影响

铝的添加使ＦｅＮ薄膜变成非晶，并在ＦｅＡｌＮ薄膜中形成某些柱状物，材料粒度变小，ＦｅＡｌＮ薄膜矫顽力也变小．多层膜的效果，阻断了微粒沿垂直于膜面方向的生长，从而进一步降低其矫顽力．同时铝的添加，也增加了样品饱和磁化强度的热稳定性．     

溅射法制备硫化锌薄膜的探索

利用射频磁控溅射法制备硫化锌薄膜，用Ｘ射线衍射、透射电镜、研究薄膜的结构相变，揭示了硫化锌薄膜的微观结构和相变特征．