纳米 SnO2 基 CO 敏感元件的研究

采用沉淀法制备了SnO2纳米粉体，并制作了烧结型的CO敏感元件，考察了掺杂元素的种类和含量及烧结温度对敏感元件灵敏度的影响，为获得性能良好的CO气敏元件，需要最佳的制备方法和最好的掺杂剂。     

厚膜气体敏感元件的研制

采用丝网印刷技术制作了厚膜气体敏感元件，测试了其气敏特性，发现元件对乙醇和氢气具有较好的灵敏度和选择性，对元件的加热器特性和气敏特性的一致性进行了研究，在控制好印刷浆料的稀稠度，印刷工艺后，结果很好。     

CO气体敏感元件的研究①

介绍了作者当前ＣＯ敏元件的研究进展，采用ＳｎＯ＿２材料和ｙ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３材料研制的旁热式ＣＯ气敏元件的基本特性，以及用ＳｎＯ＿２Ｆｅ＿２Ｏ＿３材料制作的常温电阻型和振荡型气敏元件的特点。     

CO气敏元件及其响应特性的实验研究

本文对以SnO_2为基体材料的选择性CO气敏元件的研制进行了进一步的探讨,通过适当的掺杂和控制工作温度,得到了在低浓度下具有较好的稳定性、选择性和较高的灵敏度的元件,并对测量和应用方法作了一些讨论。     

复合型半导体CO气敏元件的研究

根据半导体气敏元件电路工作原理，设计了一种新型的气-气复合型的半导体CO敏感元件，推导出了其灵敏度、选择性及热稳定性的关系式，指出了构成高选择性及好的热稳定性的复合气敏元件需满足的条件，并在实验中得到验证。     

用PECVD制备的薄膜H2敏元件研究

用ＰＥＣＶＤ法制备了具有较高灵敏度与选择性的Ｈ２薄膜元件。     

CO选择性厚膜气敏元件及其特性

本文采用丝网印刷技术制作了CO选择性厚膜气敏元件,并对其加热器特性及气敏特性进行了研究。结果表明,元件的电参数具有较好的一致性;在低温下对CO具有较高的灵敏度和选择性。加热器在CO的工作温度下具有一定的稳定性。     

薄膜的表面修饰对气体敏感特性的影响

采用ＰＥＣＶＤ方法制备了氧化物薄膜，为了改善气体敏感特性将几种元素覆盖于薄膜表面进行了表面修饰。     

气－热复合敏感元件的理论分析

本文从理论上分析了热敏元件对气敏元件的温度补偿原理，指出了构成低温漂复合元件分立元件需要满足的条件，阐述了实验上的可行性。     

一种新型气敏元件的研究

本文报道了复氧化物偏锡酸锌多晶体的合成工艺及以其为基体材料制作的新型(QM—Y1型)气敏元件的敏感特性和制备工艺,并讨论了敏感机理研究表明,这种气敏元件具有灵敏度高、稳定性好、响应时间与恢复时间短、电导率变化大等优点,可作为可燃性气体检测、检漏、监控和报警等设备中的理想探头。     

SnO2元件与Fe2O3元件热特性分析

引言近年来,SnO2系及Fe2O3系烧结型旁热式气敏元件应用越来越广泛．但由于两者导电机理不同,在选择使用时,对其工作区域的确定就显得极为重要．本文在测试大量数据的基础上,分别给出洁净空气中SnO2元件及Fe2O3元件阻值R．随加热功率PH变化的曲线,进行理论分析,为指导元件应用提供参考．1实验及结果1．1测量过程分别取SnO2元件及Fe2O3元件若干,通电老化后,使用RQ－2型气敏元件测试仪,在测试气箱里,从低加热电流60mA测起,每次改变5mA,测一次元件稳态阻值Ra,直测到高加热电流150mA.1.2特性曲线将测得数据绘图,作Ra～PH…     

ZnSnO3气敏元件灵敏度与加热电压的关系

对ＺｎＳｎＯ３气敏元件特性的测试结果表明，元件灵敏度随加热电压的变化而变化，当加热电压小于某一特定值ＶＨ０时，灵敏度不变，当加热电压大于３倍ＶＨ０时，灵敏度降低，元件失效。通过Ｘ射线衍射和ＳＥＭ二次电子能谱等检测实验，找出了气敏元件灵敏度降低的原因。     

厚膜二氧化锡材料的气敏特性研究

用液相结晶和高温分解法制备偏离化学计量比的二氧化锡材料，对此二氧化锡进行掺杂，制成由一定原料配方组成的厚膜浆料，以此浆料用丝网印刷技术制备ＳｎＯ２厚膜气敏元件。然后，对系列元件进行气敏特性测试，所制备的ＳｎＯ２气敏元件表现出对乙醇气体的选择敏感性。     

NO_x对掺杂贵金属的SnO_2气敏元件特性的影响

本文报道了掺杂Ｐｄ和Ｐｔ等贵金属的ＳｎＯ＿２气敏元件置于ＮＯ＿ｘ气氛中，灵敏度发生明显下降的现象。分析认为，其主要原因是元件中的贵金属受到了ＮＯ＿ｘ污染．ＸＰＳ分析表明，污染后的Ｐｄ３ｄ＿（５／２）已确有化学位移。     

环己酮敏感元件的实验研究

研制了环己酮敏感元件，这种元件采用旁热式结构，具有抗酒精，汽油，一氧化碳，氨气等干扰能力强的优点。     

石墨对含钴SnO2基气敏元件性能的影响

钴添入ＳｎＯ２中可增大对乙醇气体的灵敏度，但同时带来一些不利因素。将石墨添加到不同钴含量的ＳｎＯ２基酒敏陶瓷中可以改善其电气性能，克服钴的副作用。通过对样品室温电阻的大小、时间稳定性和老化性三个方面进行研究，得到的结论是：在１０６０℃添加１％Ｗｔ左右的Ｃｏ２Ｏ３，并掺入１％￣５％Ｗｔ的石墨，其各项指标均较好。     

提高半导体气敏元件检测能力的研究

通过对半导体气敏元件基体材料和制作工艺的分析研究,指出了提高气敏元件检测能力的途径。采用添加技术,超微细化技术,表面修饰技术和控制工作温度,可提高气敏元件的灵敏度和选择性。恒流加热法是提高气敏元件热稳定性的主要手段,新材料,新技术的引入将进一步改进半 气敏元件的性能。     

电阻式卟啉LB膜NH_3敏感元件

本文合成了一种新型的钴卟啉LB膜气敏材料(CoTDMAPP),并制成电阻式LB膜气敏元件.对其气敏性的测试表明,该元件只对NH_3敏感,灵敏度高、响应恢复较快、稳定性较好,实现了常温下工作,且功耗低,一致性好.     

电子束蒸发WO3—基气敏薄膜特性的研究

介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜，溅射掺Ａｕ、膜的热处理工艺以及对Ｈ２Ｓ气体的敏感特性测量的初步结果。着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程。