二氧化锡薄膜结构对光学气敏特性的影响￣①

研究了ＳｎＯ２薄膜的光学特性及有关光学参数的推导，建立了光学气敏的数学模型。较详细地研究了不同结构的ＳｎＯ２薄膜接触还原性气体后光透射率的变化，采用不同方法制备的ＳｎＯ２薄膜，由于结构不同，光透射率不一样，利用计算机对光学气敏的数学模型进行摸拟计算，其结果能很好地解释上述的现象。     

MOPECVD法制备超微颗粒SnO2薄膜

以ＳｎＣｌ４液体为锡源用ＭＯＰＥＣＶＤＥ方法制备出了ＳｎＯ２薄膜,用Ｘ射线衍射仪和透射电镜（ＴＥＭ）分析了薄膜的晶体结构和ＳｎＯ２晶体的颗粒度,优化出制备超微颗粒ＳｎＯ２薄膜的最佳工艺,并给出此膜蒸发上电极,制成ＳｎＯ２气敏器件,测量其对乙醇的气敏特性,实验证明减小ＳｎＯ２晶体的粒度可以改进元件的气敏特性。     

用Sol-Gel法制备气敏传感器SnO2薄膜的研究

采用无机试剂（ＳｎＣｌ４．５Ｈ２Ｏ）为原料,用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法制备研制气敏传感的ＳｎＯ２薄膜,研究了ＳｎＯ２薄膜的电阻随掺杂和温度的变化关系,并且用ＸＲＤ对ＳｎＯ２薄膜进行分析,结果表明,掺杂和热处理温度对薄膜晶粒尺寸的大小、薄膜的结构形态均有较大的影响,进而影响薄膜的电导及传感器的灵敏度。     

二氧化锡薄膜的气敏光学作用机理研究

报导了ＳｎＯ２薄膜及其掺杂膜片在乙醇中的气敏光学效应与透射光谱特性；提出了一种新的理论模型来解释ＳｎＯ２薄膜的气敏光学效应的作用机理，并与实验结果一致，从而证明了该模型的正确性。     

粉末溅射SnO2：Pt薄膜和SnO2／SnO2：Pt双层膜的气敏特性

用粉末溅射方法制轩了体掺杂型ＳｎＯ２：Ｐｔ薄膜和表面层掺杂ＳｎＯ２／ＳｎＯ２;Ｐｔ双层膜。实验结果表明,由室温至２００℃,这两种薄膜对ＣＯ气体均显示了较高的灵敏度和选择性。单层膜厚度和双层膜导电层及气敏层厚度对灵敏度有明显的影响。通过对掺杂单层膜和双层膜所敏特性的比较,对粉末溅射ＳｎＯ２薄膜的气敏响应机理进行了探讨。     

SnO2—ZnO薄膜特性研究

用真空蒸发ＳｎＯ２－ＺｎＯ,获取超微粒结构的ＳｎＯ２－ＺｎＯ薄膜．实验发现ｗ（ＳｎＯ２）ｗ（ＺｎＯ）＝８０％２０％薄膜有较低的电阻率,对乙醇有较高的敏感性,是较好的酒敏材料．     

等离子体反应溅射生成SnO_2气体传感器薄膜的研究

利用低温空气等离子体反应溅射技术淀积ＳｎＯ_２薄膜，研究了ＳｎＯ_２薄膜气敏元件对几种 可燃性气体的气敏效应及其性能；通过掺杂提高了元件的选择性，并对反应溅射机理和气敏机理 作了一些探讨．     

粉末溅射SnO2：Pt薄膜及SnO2／SnO2：Pt薄膜电导在CO中的振荡现象

采用粉末溅射方法制备了体掺杂型ＳｎＯ２：Ｐｔ薄膜和ＳｎＯ２／ＳｎＯ２：Ｐｔ双层膜,这两种薄膜材料不仅对ＣＯ气体有很高的灵敏度,良好的选择性和较低的工作温度,而且其电导在ＣＯ气体中均出现了振荡现象,本分析了电导振荡温区、振幅和频率与ＣＯ气体浓度及膜厚的关系,介绍了其振荡特性并对有关问题进行了讨论。     

脉冲激光溅射SnO2气敏膜

脉冲激光溅射镀膜是一种高质量的薄膜制备技术，本文研究分别以ＳｎＯ２和纯锡作靶，用此技术生长的ＳｎＯ２膜的结构及对氢，乙醇的气敏性，探索将此技术应用于气敏膜制备的途径。     

SnO2：Pd／Si新气敏特性的研究

用ＣＶＤ法在（１１１）和（１００）单晶硅衬底上沉积ＳｎＯ２或ＳｎＯ队：Ｐｄ薄膜．在不同温度下，测量ＳｎＯ２／Ｓｉ表面吸附Ｈ２或ＣＯ等还原性气体后光电压的变化．结果表明：ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的光电压变化，可以灵敏检测Ｈ２、ＣＯ等气体，讨论了ＳｎＯ２：Ｐｄ／Ｓｉ的气敏机理．     

液态源掺杂对SnO2薄膜特性影响

在单晶硅片上生长ＳｉＯ２绝缘层，再用蒸发的方法在ＳｉＯ２层上淀积超微粒ＳｎＯ２薄膜．采用液态源扩散方法对ＳｎＯ２薄膜进行掺杂．实验表明，采用此法掺杂可精确控制掺杂浓度，此法工艺简便。可靠，使掺杂和热处理一次完成，掺杂后的薄膜气敏特性得到较大的改善．     

MSnO3系气敏材料的研究：Ⅱ NiSnO3气敏材料的制备及特性 …

报道了ＮｉＳｎＯ气敏材料的制备及气敏特性，研究表明ＮｉＳｎＯ３是一好的气敏材料。     

制备气敏膜的新方法及膜的光学特性

根据气敏光学特性的要求，用可控气压喷涂和高温处理的新方法，制成ＳｎＯ２膜。膜面平整均匀，晶粒结构细密，缺陷较少，其光学特性比其它方法制成的薄膜好，使用的设备及工艺简单。     

MSnO3系气敏材料的研究：Ⅰ CdSnO3气敏材料的制备及？…

报道了ＣｄＳｎＯ３气敏陶瓷的制备及气敏特性。研究表明，微细ＣｄＳｎＯ３是制作乙醇和丙酮气敏元件的良好材料。     

复合氧化物SrTiO3—TiO2氧敏材料的研究

将具有氧敏特性的ＳｒＴｉＯ３与ＴｉＯ２复合化，采用电子束蒸发方法，制备了ＳｒＴｉＯ２－ＴｉＯ２薄膜，研究了其氧敏特性。实验结果表明，复合氧化物ＳｒＴｉＯ３－ＴｉＯ２薄膜的ｎ－ｐ型转换点比ＳｒＴｉＯ３薄膜的ｎ－ｐ型转换点高，氧敏特性有所改善，从而提高了贫燃共氧灵敏度曲线的线性化。     

复合氧化物SrTiOa-TiO2氧敏材料的研究￣①

将具有氧敏特性的ＳｒＴｉＯ３与ＴｉＯ２复合化，采用电子束蒸发方法，制备了ＳｒＴｉＯｚ－ＴｉＯ２薄膜，研究了其氧敏特性。实验结果表明，复合氧化物ＳｒＴｉＯ３－ＴｉＯ２薄膜的ｎ－ｐ型转换点比ＳｒＴｉＯ３薄膜的ｎ－ｐ型转换点高，氧敏特性有所改善，从而提高了贫燃区氧灵敏度曲线的线性化。     

用RF—PECVD制备的SnO2薄膜光电性质及化学成分

利用ＸＰＳ研究了ＲＦ－ＰＥＣＶＤ制备ＳｎＯ２薄膜的化学计量配比，测试了ＳｎＯ２薄膜的光学和电加热特性。结果表明：具有导电性能的ＳｎＯ２薄膜是一种非理想化学计量配比的氧化物半导体薄膜材料，薄膜还具有较高的可见光透过率和较好的电加热性能。     

MSnO3系气敏材料的研究(Ⅱ)NiSnO3气敏材料的制备及特性研究①

报道了ＮｉＳｎＯ３气敏材料的制备及气敏特性，研究表明ＮｉＳｎＯ３是一好的气敏材料。     

CeO2掺杂的SnO2基材料的气敏特性

报道了ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２基敏感材料的制备及其气体第三性能的研究。结果表明，含５％ＣｅＯ２和ＳｉＯ２的ＳｎＯ２基敏感元件在低温下对ＣＯ具有最高的灵敏度和良好的造反性。此外，对ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２敏感元件，在合适的ＣＯ浓度范围内所呈现的一种自振荡现象进行了讨论。     

掺杂对SnO2超微粒薄膜湿敏特性的影响

本文对ＳｎＯ２和掺有３％Ｂ２Ｏ３的ＳｎＯ２超微粒薄膜的湿敏特性进行了研究和比较。采用相同工艺条件制备和处理的样品，其结果并不一样。ＳｎＯ２膜的感湿特性差，而掺杂的ＳｎＯ２膜具有较好的感湿特性，而且其湿敏特性曲线具有较好的线性。