等离子体引发聚乙烯表面肝素化及其生物相容性

目的 研究等离子体引发低密度聚乙烯（ＬＤＰＥ）表面肝素化以及肝素化ＬＤＰＥ表面抗凝血性和组织相容性。方法 利用等离子体引发技术在ＬＤＰＥ膜表面接枝聚乙二醇（ＰＥＧ）和肝素,用体外凝血时间及细胞生长试验考察改性ＬＤＰＥ表面的生物相容性。     

ICP－AES法同时测定乳粉中七种微量元素

ＩＣＰ－ＡＥＳ法同时测定乳粉中七种微量元素王蓉珍，郭捷（山西省分析测试中心太原０３００００）关键词　电感耦合等离子体原子发射光谱，微量元素，乳粉中图法分类号Ｏ６５７ＤＥＴＥＲＭＩＮＡＴＩＯＮＯＦＴＲＡＣＥＥＬＥＭＥＮＴＳＩＮＭＩＬＫ－ＰＯＷＤＥＲＢＹ...     

医用聚氯乙烯的表面磺酸化及抗凝血性能研究

利用SO2/O2混合气体等离子体处理医用聚氯乙烯(PVC)膜，在材料表面引入磺酸基，借助X射线光电子能谱和ATR-FTIR光谱对膜表面的组成及结构进行表征，通过动态凝血实验以及凝血酶原时间、部分凝血活酶时间、凝血酶时间的测定，对聚氯乙烯膜的抗凝血性能进行评价．实验结果表明，等离子体处理聚氯乙烯膜可以在材料表面有效地引入磺酸基，显著提高材料的抗凝血性能．     

亚砜类萃取剂萃取铀(Ⅵ)的研究

研究了在稀释剂甲苯中石油亚砜（ＰＳＯ）、二正辛基亚砜（ＤＯＳＯ）、二（２－乙基己基）亚砜（ＤＥＨＳＯ）、十二烷基对甲苯基亚砜（ＤＴＳＯ）、２－乙基己基对甲苯基亚砜（ＥＨＴＳＯ）、二苯基亚砜（ＤＰＳＯ）等亚砜类化合物对铀（Ⅵ）的萃取,其萃取能力按ＰＳＯ＞ＤＯＳＯ＞ＤＥＨＳＯ＞ＤＴＳＯ＞ＥＨＴＳＯ＞ＤＰＳＯ的顺序变化．求出了萃取反应的焓变,考察了硝酸浓度、萃取剂浓度、盐析剂浓度、络合阴离子（Ｃ２Ｏ２－４）浓度、温度对萃取平衡的影响．     

脉冲辉光PEOMCVD金属表面硬涂层研究

研究了直流脉冲等离子体进行ＰＥＯＭＣＶＤ（等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积）淀积含钛多组元化合物硬质膜的新工艺。对试样进行了显微硬度、涂层厚度、表面结构及膜的元素成份分析。     

SiO2膜驻极体的表面化学处理及其P—型硅基片的晶向选择

ＳｉＯ２膜表面电是影响其驻极性能的主要因素之一。本文采用气相反应法对其表面进行化学处理。经处理后的栅控高温电晕注极表明：１１５ｄ之内ＳｉＯ２膜的表面电位衰减小于或等于６％。本文通过对不同晶向的ＳｉＯ２膜对比研究发现：Ｐ（１００）基片上生长的ＳｉＯ２膜驻极性能优于Ｐ（１１１）。根据实验结果，我们讨论了影响ＳｉＯ２膜驻极性能的机制。     

冷等离子体对聚酯（PET）表面改性的XPS研究

采用不同工作气体的冷等离子体对聚酯（ＰＥＴ）进行表面改性,并用ＸＰＳ分析方法研究ＰＥＴ表面的组成和化学结构的变化,从而探索冷等离子体表面改性的机理和实验条件     

LEAKY LAMB WAVES IN MULTI-LAYERED FLUID-SATURATED POROUS MEDIA IMMERSED IN LIQUID

ＬＥＡＫＹＬＡＭＢＷＡＶＥＳＩＮＭＵＬＴＩ┐ＬＡＹＥＲＥＤＦＬＵＩＤ┐ＳＡＴＵＲＡＴＥＤＰＯＲＯＵＳＭＥＤＩＡＩＭＭＥＲＳＥＤＩＮＬＩＱＵＩＤＺｈｏｕＹｕｆｅｎｇ１）ＷａｎｇＹａｏｊｕｎ１）ＭａＬｉ２）ＧａｏＴｉａｎｆｕ２）（１）Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ...     

MPEG-2 DCT系数码表的优化

给出了一种优化ＭＰＥＧ－２ 的ＤＣＴ系数码表＿ ０／１ 的方法．其基本思路是：在ＥＯＢ码字后添加一个附加比特引入一个附加的ＦＬＣ码表,用此ＦＬＣ码表取代现有ＭＰＥＧ－２ 的ＤＣＴ 系数码表＿ ０／１ 中较长的ＶＬＣ码字．结果表明,此方法可在压缩性能及运算量两方面对ＤＣＴ系数码表＿ ０（ＰＳＮＲ＝ ２７～４０ ｄＢ）及ＤＣＴ系数码表－ １（ＰＳＮＲ＝ ３０～４０ ｄＢ）实现优化,ＰＳＮＲ值越高,优化效果越显著．     

HEDP表面处理 对Ni3Al氧化行为的影响

利用高能量密度等离子体（ＨＥＤＰ）对金属间化合物Ｎｉ３Ａｌ进行了表面处理，在合金表面获得了纳米级微晶层。该微晶层可以通过增加Ａｌ２Ｏ３优先形核位置和提高Ａｌ的向外扩散促进Ｎｉ３Ａｌ氧化时形成表面Ａｌ２Ｏ３，消除了生长速度较快的ＮｉＯ相。     

干湿法腐蚀工艺条件下CdTe薄膜光谱研究

采用等离子束溅射轰击刻蚀和溴甲醇腐蚀对CdTe薄膜表面进行后处理.对比研究了2种腐蚀条件下CdTe薄膜的光谱特性.结果表明:等离子束溅射轰击刻蚀可以彻底清除CdTe薄膜表面的氧化层,刻蚀后的CdTe薄膜颗粒更为均匀致密,等离子体刻蚀与溴甲醇腐蚀相比,可以改善CdTe薄膜表面的粗糙度,增强薄膜的附着力,改善薄膜的性能.     

NH3等离子体处理的PET表面接枝氨基酸的研究

用氨气等离子体处理聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）膜，在表面引入活性基团氨基，并通过戊二醛接枝谷氨酸。利用接触角、全反射傅里叶红外光谱（ATR-FTIR）、光电子能谱（XPS）和体外血液相容性实验(APTT)表征接枝改性后的膜的表面结构和性能，比较了只用氨气等离子体处理的膜和接枝谷氨酸后的膜的性能。结果表明，两种改性膜亲水性均提高，70W放电功率下改性的膜血液相容性改善效果最好。与未处理的膜相比，用氨气等离子体处理的膜的APTT延长了5.9s,接枝了谷氨酸的膜的APTT延长了3.2s。     

声表面波SO2气体传感器敏感膜的研究

为了深入研究声表面波（ＳＡＷ）ＳＯ２气敏传感器频移与浓度之间的关系,对聚苯胺敏感膜的ＳＡＷ ＳＯ２传感器进行了试验与理论研究,并用双能谷模型推导了有关公式。解释了频移与浓度关系曲线中的拐点问题,为聚苯胺敏感膜的ＳＡＷ传感器应用提供了理论和实践依据。将有机物聚苯胺（ＰＡｎ）和硫化镉（ＣｄＳ）两者的气敏特性进行了对比,得出了ＳＯ２气敏膜具有双峰吸收的特点,并从理论上进行了论证,这对研究其他气敏膜也有指     

苯乙烯等离子体聚合过程的发射光谱研究

为实现对聚合膜结构、性能的优化控制，通过测量苯乙烯等离子体辉光区和两极板鞘层区内的发射光谱，得到了ＣＨ、Ｃ４Ｈ２＋粒子发射强度与放电气压、功率的变化关系曲线，并以此研究了等离子体内部过程与膜结构、沉积速率之间的关系。研究结果表明，等离子体聚苯乙烯薄膜的沉积速率取决于等离子体中所产生的各种活性粒子（包括激发态分子、碎片自由基、离子等）的总数目；而聚合膜中的苯环含量，则与气相中含有苯环基团的那部分活性粒子数目相关。     

微波等离子体化学气相淀积ZrO2薄膜的表面形貌研究

以锆的β-二酮螫合物为源,以微波等离子体化学气相淀积方法合成ZrO_2薄膜过程中,观察到不同淀积条件下出现的四种不同表面形貌。从等离子体的电子温度、电子密度和源物质的浓度等方面对几种形貌的成因进行了讨论。同时用扫描电镜观察了高温退火及等离子体退火对薄膜形貌的影响,以及不同衬底薄膜形貌的差异。     

一种制备SiO2膜的方法——氧等离子体处理聚硅烷涂层

作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层,成功地制备了SiO2膜．由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数,随氧等离子体处理时间的不同在1065～1088cm-1范围变化;XPS谱给出Si2p的结合能为103．3～103．5eV,硅氧原子比为1：1．99;激光椭园偏振仪测得折射率在1．30～1．55范围;MOS电容的高频C-V特性曲线表明,平带电压为正,计算得氧化物电荷的电性为负,密度为6．6×1010～8．8×1011cm-2,其大小可以通过改变处理条件进行控制;BT实验表明,可动电荷密度为(3～6)×1010cm-2,这种新型的SiO2膜可望在微电子器工艺中得到应用．     

低温等离子体诱导下导电高分子复合膜的制备

利用等离子体技术对PET薄膜进行表面处理,并诱导引发AAc在其表面接枝聚合,制备PAAc-g-PET复合膜,用化学氧化方法使PPy接枝聚合在PAAc-g-PET表面,制备出PPy-g-PAAc-g-PET复合膜.利用ATR-FTIR和SEM对制备的复合膜分别进行结构和表面形貌分析.导电性测试结果表明,PPy-g-PAAc-g-PET复合膜的导电性也明显提高.同时考察了温度、时间、浓度等对PPy-g-PAAc-g-PET复合膜接枝率的影响,得到PET薄膜接枝PPy的最佳条件为温度60 ℃,反应时间6 h.研究结果表明,PPy能很好地接枝到PAAc-g-PET复合膜的表面.     

Au(Cu、Ag)／SiO_2纳米薄膜的制备及其微观结构表征

用多靶磁控溅射技术制备了不同形貌的Au(Ag、Cu)纳米颗粒分散SiO2薄膜。利用透射电镜对Au／SiO2薄膜的微观结构、表面形貌进行了表征。结果表明通过调控金属颗粒的沉积时间和靶材的溅射频率可以制备不同形貌金属颗粒ISi02单层薄膜。单层Au／SiO2薄膜中Au沉积时问为5s时,Au颗粒为圆形,当沉积时间为10s时,Au颗粒连接成网络状结构;单层AgiSi02薄膜中,Ag靶的射频功率为150W时,颗粒形状接近圆形,Ag靶的射频功率为100W时,Ag颗粒几乎密集在一起,形成膜状结构:单层Cudsi02薄膜中Cu的沉积时间为10s时,Cu颗粒形成网络状结构,Cu的沉积时问为20s时,形成的是Cu膜。     

等离子体化学气相沉积工艺调控铜基-石墨烯复合薄膜材料微结构及电学热学性能研究

本文利用等离子体化学气相沉积PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)技术制备了铜基-石墨烯复合薄膜，通过X射线衍射及Raman光谱证实了低温合成的可行性.同时，逐步研究压强、功率、气流量、基底温度等关键参数对沉积速率的影响，实现了对薄膜材料厚度和生长过程的准确控制.进一步研究发现，H₂与CH₄的气体比例严重影响了等离子体与基底表面的相互作用，并导致了材料表面微观结构和粗糙度的协同改变.通过工艺参数和气体配比的优化，实现了对薄膜表面结构的有效调节.当H₂/CH₄为1∶12时，薄膜的粗糙度最低，电子与声子的散射源被充分抑制，电导率和热导率分别达到8.3×10⁶ S/cm与158 W/m·K,表明该材料具有良好的导电性及优秀的散热效果.本文系统优化PECVD生产过程中的各项关键工艺参数，并详细分析了气体配比、表面结构、粗糙度及薄膜宏观物性之间的关联，为铜基-石墨烯复合薄膜的工业化生产和商业化应用提供了理论支撑和实验依据.