聚硅悬浮液对有机物堵塞的溶解作用

探讨了聚硅材料对有机物堵塞的溶解作用,对聚硅材料的性质做局部分析。由于聚硅材料是分散在柴油中,所以实验过程中需要用对比方法排除柴油的干扰。静态和动态溶解实验可以考察聚硅悬浮液对有机物的溶解速度,在此采用溶解比值Kr作为定量分析的参数。经证实聚硅材料促进了有机物的溶解速度。动态实验显示的溶解速度快与静态实验,但是溶解比值与静态结果接近。玻璃模型的微观观察可以直观地证实,聚硅悬浮液的溶解作用优于柴油。模拟油层条件的宏观驱替实验则更明显地证明了聚硅悬浮液对有机物的溶解可以提高岩石的渗透率,是增注机理的一个重要组成部分     

2.5D集成电路中低阻硅通孔的电学性能研究

2.5D集成技术（转接层技术）可以实现不同芯片间的异质集成,基于低阻硅通孔（TSV）的转接层利用了低阻硅的良好导电性,可以代替铜基硅通孔,具有工艺简单、成本低廉的优点.本文对低阻硅通孔进行了电磁学仿真,在1 GHz时,回波损耗S₁₁为-24.7 dB,插入损耗S₂₁为-0.52 dB基本满足传输线的要求.提出了等效电路模型,与电磁仿真结果对比,具有较好的一致性,可以实现在0.1~10 GHz带宽内的应用.最后对低阻硅通孔进行了TDT/TDR及眼图仿真,结果表明虽然低阻硅通孔的电阻对压降有较大影响,但是寄生电容的影响相对较小.      

中浓纸浆悬浮液湍流边界层的模拟

介绍纤维悬浮液的分类及管道中纸浆纤维悬浮液的流动状态 ,重点进行中浓纸浆悬浮液湍流边界层的模拟研究 ,详细分析了相关的模拟结果 ,得出如下结论 :当管子壁面距离 0～ 9× 10 - 4m时 ,横过水环厚度的速度分布是线性的 ;水环厚度很小 ,水环中的剪切作用是层流剪切 ,剪切力作用于纤维网络表面 .突出网络塞体表面 (0～ 9× 10 - 4m )的纤维甚少 .据此可认为网络塞体表面较为光滑 ;管道中远离壁面处浓度高 ,壁面处浓度低 ,浓度分布具有递减的趋势     

基于CMOS工艺的中小规模数字集成电路设计浅析

CMOS工艺作为一种超大规模集成电路工艺已成为数字集成电路设计的首选工艺。与大规模数字系统设计不同的是，为了减少版图面积，节约成本，中小规模数字集成电路常采用晶体管级电路仿真和手工布局布线的设计方法。章探讨了利用CMOS互补逻辑设计中小规模数字集成电路的电路结构化简方法，介绍了设计数字集成电路版图布局布线的几点体会。     

纳米粒子悬浮液中分散剂选择的实验研究

针对纳米粒子比表面积大、表面能高、在水中易自动团聚下沉的特点,提出了选择分散剂的一些建议,并对体积分数为2%、4%、5%、8%的纳米Cu、Ag、TiO2粒子悬浮液分别进行了实验.结果表明:将聚乙烯醇和十二烷基苯磺酸钠配合使用能够有效地将各种体积分数的纳米Cu、Ag粒子稳定分散在水中;但是无论是聚乙烯醇,还是十二烷基苯磺酸钠都不能使体积分数为8%的TiO2粒子稳定悬浮在水中;在实验范围内,纳米铜粒子的体积分数对悬浮液的稳定性影响不大.     

稻草制浆过程中硅的形态变化

硅在稻草中主要以粒径为１５μｍ的硅晶胞形式存在于植物外层，在制浆过程中硅晶胞作为整体溶脱后再以相对小的硅晶胞附着在纤维上．在ｐＨ值、粒子粒径和反应时间几个影响硅溶出的因素中，ｐＨ值为控制因素．硅在溶液中主要以无定形形态析出，析出的硅主要附着在纤维表面，当有阳离子聚合物存在时硅沉降速度和沉降量急剧上升     

不同硅源中硅还原的研究

不同硅源中的SiO_2 在实验条件下的还原都未达到平衡。焦炭、焦炭灰、硅石中的SiO_2 比炉渣中的容易还原得多。炉渣和焦炭都是生铁的重要硅源。如使用硅石使生铁增硅,改善它与还原剂的接触条件是提高硅还原率的重要因素。实验还证实了高炉内硅还原的途径是:SiO_2→SiO→〔Si〕。     

基于CMOS工艺的中小规模数字集成电路设计浅析

CMOS工艺作为一种超大规模集成电路工艺已成为数字集成电路设计的首选工艺。与大规模数字系统设计不同的是,为了减少版图面积,节约成本,中小规模数字集成电路常采用晶体管级电路仿真和手工布局布线的设计方法。文章探讨了利用CMOS互补逻辑设计中小规模数字集成电路的电路结构化简方法,介绍了设计数字集成电路版图布局布线的几点体会。     

中浓纸浆悬浮液的流态化研究及CFD模拟

通过高剪切作用力实现中浓纸浆悬浮液的流态化,并对其流态化运动进行研究.结果表明:中浓纸浆悬浮液在流态化过程中的能量耗散最终以热的形式发散,悬浮液在流态化过程中温度不断升高;中浓纸浆悬浮液流态化运动的主体是尺度较小的絮聚团的流动,体现出牛顿流体的流体动力学特性,流态化过程中存在着纤维分散与絮聚的动态耦合与平衡关系.文中还在流态化运动研究的基础上,以气-液两相流欧拉模型及基于雷诺时均法的混合湍流模型为基础对中浓纸浆悬浮液的流态化过程进行了计算流体力学(CFD)模拟,结果表明模型的数值计算结果与实验结果吻合较好.     

关于氟钛酸钾合成过程中硅结晶析出的研究

分析了氟钛酸钾合成过程中杂质硅进入产品的方式,利用硅在合成过程前后析出不同的特点,采用分步合成的方法制得硅含量较低的氟钛酸钾的产品。     

中浓纸浆悬浮液流态化的实验研究及CFD模拟

中浓纸浆悬浮液在高剪切作用力下的流态化运动,其主体是尺度较小的絮聚团的流动,存在着纤维分散与絮聚的动态耦合与平衡关系,且体现出牛顿流体的流体动力学特征。实验证明中浓纸浆悬浮液在流体化过程中温度不断升高,温度场的变化反映了其流场及湍动动能的变化。以多相流湍流模型为基础对中浓纸浆悬浮液流态化过程进行CFD模拟,其数值计算的结果与实验结果较好的吻合。     

面向21世纪的世界集成电路工业

1958年世界上第一块采用全平面工艺研制的硅集成电路(IC)问世，由此揭开了人类社会进入“硅器”时代的序幕。30多年来IC技术的发展迅猛异常，已经完成了小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)的发展阶段．目前正在进入特大规模集成电路(ULSI)时代。表1表示的是被誉为“IC工业技术激励器”的动态随机存储器(DRAM)的发展历程和趋势。     

微胶囊悬浮液浓度测定方法的研究

微胶囊悬浮液中微粒“浓度”的确定是相关研究中较为困难的．本文采用实验测定的方法对海藻酸钙-几丁聚糖微胶囊悬浮液的“浓度”进行了测定．分别试验了用显微镜计数仪和激光粒度分析仪测定微胶囊悬浮液的“浓度”,并对两种方法进行了比较．结果表明,利用激光粒度分析仪测定的结果较为合理．     

纤维悬浮液湍流射流数学模型的研究

纸浆离开流浆箱喷嘴的流动是一种两相平面湍流射流运动,其流动状态对上网成形的质量具有重要的影响。本文从两相流体流动出发,对纸浆的这种射流动机理进行了探讨,并推导了了表示其流动状态的微分方程组。     

土壤悬浮液中五氯酚(PCP)分析方法研究

探索了利用紫外分光光度法测定土壤悬浮液中五氯酚的方法.采用紫外可见分光光度计,选定在波长255.6 nm处测定碱性土壤悬浮液中五氯酚的含量,所得线性回归方程为Y＝0.029 5X 0.001 7,相关系数r＝0.999 9,检测限为0.016mg/L.加标回收率为103%-130%,实验结果表明此法简单、快速,准确性较高.     

纳米氢氧化铝的分散与水悬浮液流变研究

碳分制备的纳米氢氧化铝（ATH）吸水质量高达200g,质量分数12.9%的水悬浮液是黏度极高的时变性非牛顿流体。应用激光粒度仪和一种流变方法筛选了分散剂,研究了添加分散剂前后水悬浮液的流变性质,结果表明小分子试剂对ATH水悬浮液流变没有显著作用,而聚电解质等对纳米ATH有良好的分散和稀化作用。添加优化分散剂后的上述悬浮液黏度降低3个数量级以上,成为牛顿流体,黏度与改进的Einstein公式计算结果吻合,对上述现象进行了分析,并获得质量分数高达60%的高浓度水悬浮液。添加分散剂极大改善了纳米ATH悬浮液的后加工/处理状态,并节省了设备和能源投入。流变方法筛选、定量分散剂快速简易。     

提高NaY分子筛合成过程中硅利用率的试验研究

为了提高原材料的利用率,同时减少污水中悬浮物的含量,减轻NaY分子筛装置外排污水造成的环境污染,在NaY分子筛合成技术上采用了母液硅全循环技术.采用此技术后NaY分子筛合成时投料硅利用率可大幅度提高,装置标定结果表明,可以提高30％左右.因此,为进一步提高催化剂厂的环保水平,还需进一步提高NaY分子筛合成过程中硅的利用率.     

细圆管内纳米颗粒悬浮液流动特性的实验研究

实验研究了细圆管内氧化铜纳米颗粒悬浮液的流动特性．试验段的管径为0．68mm、1.01mm和1.28mm，氧化铜纳米颗粒的平均粒径为50nm，悬浮液中氧化铜纳米颗粒的质量分数分别为0.02,0.04和0.06，分散剂十二烷基苯磺酸钠（SDBS）质量的分数为0.02。实验结果显示，氧化铜纳米颗粒悬浮液的流动压降比去离子水的大，且正比于其质量分数；层流向湍流转化的临界雷诺数小于常规尺度的数值，且正比于管径。