LP—MOVPE生长InGaAs应变超晶格

本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。     

MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP／InP量子阱

报导了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ体材料和量子阱的生长，生长的与ＩｎＰ匹配的１．５５μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ材料，在７７Ｋ时光光半峰宽达１８．７ｍｅＶ，ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱的半峰宽为１８．０ｍｅｖ。     

Zn1—xCdxSe／ZnSe应变层超晶格光学特性

分析了用分子束外延法生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层超晶格光学特性，对光致发光谱的温度地详细的研究，光致发光谱的峰位和线形温度效应的结果与理论分析相一致，从光致发光谱的发光强度得出了该样品的激活能     

GaP和GaAs共面波导的直接电光调制特性

对Ⅲ－Ⅴ族电光晶体ＧａＰ和ＧａＡｓ衬度上的共面波导进行直接电光调制测量，得到ＧａＰ和ＧａＡｓ的输入电压与电光计制输出的关系曲线，分析电光调制的输出特性。     

稀土—铁Laves相化合物的结构与磁致伸缩

采用光学显微、Ｘ射线衍射、热磁分析和电阻应变仪技术研究了Ｒ（Ｆｅ１－ｘＧａｘ）１．８５合金的结构与磁致伸缩．这些合金的基体具有立方Ｌａｖｅｓ相结构．加入少量的Ｇａ使赝二元Ｌａｖｅｓ相化合物的均匀范围移向化学计量成分．增加Ｇａ的含量，晶格常数线性增大，而居里温度和室温磁致伸缩λｓ迅速降低．低磁场下（Ｈ＜４ｋＯｅ），ｘ＝０．０２的合金的磁致伸缩具有最大值     

GaAs／AlGaAs周期折射率光波导光学表面模

应用周期折射率介质光波导的模场分布函数和特征方程，分析了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ周期折射率光波导中波导的材料参量和结构参量对ＴＥ模场分布的影响，并讨论了ＴＥ０表面基膜的形成。     

测量InGaAsP／InP异质界面的化学斜面法

本文利用ＡＥＳ测量了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质界面的组分分布和界面宽度，提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法，同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响。     

GaAs／GaAlAs双异质结脊型波导无间距方向耦合器

本文对具有金肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导无间距方向耦合器进行了研究。通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度，适当控制脊高和包层中Ａｌ含量以及采用剥离掩膜，反应离子蚀刻等技术使器件总损耗降为１２．２ｄＢ，串音达－２５．９ｄＢ。     

1,4—二丙氧基—2,3二氰基苯的晶体结构

用ＳｉｅｍｅｎｓＰ４四圆衍射仪，测得了１，４－二丙氧基－２，３－二氰基萘的晶体结构。晶体属单斜晶系，空间群为Ｃ２／Ｃ晶格参数ａ＝１４．９８７（３）Ａ，ｂ＝１０．５２７（２）Ａ，ｃ＝１１．７５５（２）Ａ，β＝１１８．９８°（３），晶胞体积Ｖ＝１６２２．４（６）Ａ＾３，Ｚ＝４，Ｄｅ＝１．２０５Ｋｇ／ｍ＾３，μ（ＭｏＫａ）＝０．０７９ｍｍ＾－１，Ｆ（０００）＝６２４，Ｔ＝２９３（２）Ｋ。晶体结核直接法，     

热壁外延生长ZnSe薄膜的质量研究

研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量，俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明，经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖，从而减少了ＺｎＡｓ／ＧａＡｓ界面态密度，用喇曼光谱的空间相干模型，对不同处理方法的ＧａＡｓ上生长的ＺｎＳｅ处延膜的一级ＬＯ声子喇谱形变化进行分析，定量判断出ＺｎＳｅ外延膜质量的优劣，分析认为，经Ｓ纯化ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ具有较好的质量     

调制增益导引GaAs／GaAlAs锁相激光器阵列

首次利用液相外延标准光刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作 了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。     

统一RPA近似下热核能级密度参数的温度相关性

用包括进粒子－空穴及粒子－粒子（空穴－空穴）两种ＲＰＡ关联的统一ＲＰＡ近似公式作了＾４０Ｃａ的真实核计算，计算结果表明，在低温范围内，适当考虑ＲＰＡ关联的影响后，能级密度参数与温度的关系能较好地说明实验结果。     

InGaAs MSM—PD肖特基势垒增强层的研究

通过在ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸收层与金属接触间加入ｐ型ＩｎＧａＡｓ势垒增强层的方法，来提高势垒高度，使其暗电流大为下降，并对其进行了实验研究。     

GexSi1—x／Si应变超晶格的质量鉴别

采用分子束外延方法生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格，利用Ｘ射线双晶衍射，小角衍身宽角衍射方法测量了超晶格样品的实验衍射曲线，运用Ｘ射线运动学理论和动力学理论，分析，模拟了样品的实验曲线，得到了精确的定量结构参数数据，并根据实验曲线中衍射峰的位置和分布情况对应变超晶格的生长质量做了评价。     

含ipt基因根癌农杆菌转化大豆萌动种胚的同工酶分析

本实验以 大豆萌动种胚为受体，用含有ＣａＭＶ３５ｓ启动子－Ｇｕｓ基因－ｉｐｔ-基因－Ｎｏｓ基因的融合基因根癌农杆菌ＬＢＡ４４０进行转化，通过对转化及对照植物株苗期根的过氧化笺酶同工酶及酯酶同工酶分析，结果表明酶谱有明显差异。     

Lusin面积积分函数在Lipα（R^n）（0〈α〈min{ε,2^—1}）上的有界性

本文证明了Ｌｕｓｉｎ面积积分函数ｓ（ｆ）的一个性质，即当ｆ∈Ｌｉｐａ（０＜α＜ｍｏｎ｛ε，２＾－１｝）时，若存在点ｘ０使得ｓ（ｆ）（ｘ０）＜＋∞，则ｓ（ｆ）∈Ｌｉｐａ（Ｒ＾ｎ）且‖ｓ（ｆ）‖Ａａ≤Ｃ‖ｆ‖Ａａ，这里Ｃ仅与ｎ、ａ有关。     

极性晶体板中极化子的基态能量和有效质量

应用Ｌｅｅ－Ｌｏｗ－Ｐｉｎｅｓ（ＬＩＰ）方法研究极性晶体板中极化子的性质，给出极化子基态能量和有效质量的解析表达式，并以ＧａＡｓ极性晶体板为例进行数值计算。讨论了体纵光学模声子和表面光学模声子对极化子性质的影响。     

用表面等离子体测量GaAs半导体的三阶光学非线性极化率

本文给出了用依赖于强度的表面等离子体色散关系研究三阶光学非线性极化率ｘ（３）的新方法．可得ｘ（３）的大小和符号．实验中所用激光波长为１．０５μｍ,样品为ＧａＡｓ,ｘ（３）（ω）～１．２×１０－９ｅｓｕ．     

Jacobi Gauss—Seidel近代收敛的准则Ⅱ

本文给出了Ｊａｃｏｂｉ Ｇａｕｓｓ－Ｓｅｉｄｅｌ迭坐落地收敛的新的判定准则，同时也给出了块Ｊａｃｏｂｉ Ｇａｕｓｓ－Ｓｅｉｄｅｌ迭代法收敛的新的判定准则。     

P—^13C弹性散射动量空间库仑作用的处理

半Ｃ．Ｍ．Ｖｉｎｃｅｎｔ和Ｓ．Ｃ．Ｐｈａｔａｋ以及Ｒ．Ｃｒｅｓｐｏ和Ｊ．Ａ．Ｔｏｓｔｅｖｉｎ分别提出的两种不同的方案，推广应用于自旋１／２◎１／２的散射，研究了Ｐ－＾１３Ｃ弹性散射动量空间为 作用的处理。