X射线小角散射中的粒子间相互干涉效应

X射线小角散射中的粒子间干涉效应是影响实验结果的一个重要因素.已有的若干粒子间干涉的模型和理论不能很好地解释实验事实.实际使用的粒子间干涉效应校正方法为不同浓度试样归一化散射曲线作图外推法.然而在材料科学的许多应用中常常无法测量不同浓度的稀释试样.因此找出干涉函数的经验方程有重要意义.该文测定了超细二硫化钼不同浓度试样在不同角度下的强度衰减因子,从而导出了干涉函数的经验方程:(?)~(-1)=[1+2.5ω~(1.4)+2θ°(15.4ω~(0.5)-23.6ω~2-1.3ω~(0.01))]~(-1)     

小角X射线散射确定δ‘相与基体之间的相界特征

应用小角Ｘ射线技术研究二元Ａｌ－２．７０％Ｌｉ合金４６３Ｋ回火１６ｈ及６９ｈ４ δ相析出,确定了δ相五基体之间界面层的厚度分别为５．６４ｎｍ及８．５４ｎｍ。     

小角X射线散射研究聚丙烯腈预氧丝的微孔结构

利用小角X射线散射（SAXS）技术实现对聚丙烯腈纤维X射线小角散射强度的准确测定，基于X射线小角散射理论，利用逐级切线法，通过计算机数据拟合处理，对不同预氧化温度聚丙烯腈纤维的微孔洞大小、体积百分数进行了定量表征；给出了聚丙烯腈纤维微孔大小、小孔洞所占体积百分数随预氧化温度的变化规律。     

拉曼散射和X射线衍射研究InxGa1-xAs材料

使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长InxGa1-xAs材料.拉曼散射研究材料的结构无序和计算材料的应力,X射线衍射研究InxGa1-xAs的组分、结晶质量、位错密度.拉曼散射可以获得材料表面特性,x射线衍射可以获得材料整体结构信息,即衬底质量,缓冲层的特性,外延层特性.     

In1-xAlxAs/GaAs一维超点阵结构的X射线衍射和Raman散射研究

用同步辐射和CuKα X射线衍射方法对In_1-xAl_xAs/GaAs一维超点阵结构进行对比式研究.从低角衍射数据求得超点阵的周期Λ,由GaAs(002)附近衍射数据求得各结构参数.对两种光源的衍射结果进行了分析和比较.解释了该超点阵的Raman散射谱,发现在Ga_1-xAl_xAs混晶谱中不存在的275cm^-1峰.     

应用Monte Carlo法的X射线成像

提出了一种新的X射线成像仿真方法用于模拟光子散射过程.采用射线跟踪快速算法形成初级投影,并记录射线历经物体的属性.沿射线方向根据光子散射概率选取光子散射点,用Monte Carlo法仿真光子散射,忽略无效的光子仿真计算.实验结果表明,该算法与传统Monte Carlo仿真相比,可以在数分钟内达到相近的仿真效果.     

In_(1-x)Al_xAs/GaAs一维超点阵结构的X射线衍射和Raman散射研究

用同步辐射和 Cu Kα X射线衍射方法对 In1 - x Alx As/ Ga As一维超点阵结构进行对比式研究 .从低角衍射数据求得超点阵的周期Λ ,由 Ga As(0 0 2 )附近衍射数据求得各结构参数 .对两种光源的衍射结果进行了分析和比较 .解释了该超点阵的 Raman散射谱 ,发现在 Ga1 - x Alx As混晶谱中不存在的 2 75 cm- 1 峰 .     

用γ射线大角度康普顿散射研究电子动量分布

本文介绍我们最近建立的用γ散射方法获取康普顿轮廓(Compton profile)数据的实验装置及初步测量的结果.采用的放射源为~(241)Am(210mCi),散射角为165°测量了国际标准校核样品:水.测量结果与国外发表的结果在±1%之内相符合,达到国际相互校核的水平.还测量了Al(三种不同厚度)、LiF和Cu样品.对测量结果进行了分析和讨论.     

X射线反射强度与温度的关系

由实验测出铝的X射线反射谱线的强度,得到其反射强度随温度变化的曲线,并从理论上对实验结果作了分析,得到了X射线反射强度随温度的增高而减弱,而谱线的锐度却不随温度升高而受到损失的结论.     

多层结构的X射线双晶衍射研究

用Ｘ射线双晶衍射术研究了玻璃薄层－铂膜－α－Ａｌ＿２Ｏ＿３多层结构。发现不同材料的玻璃层，使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。对铂薄膜电阻器件的测量结果表明：应力引起器件的电阻值变化；不同的应力状态，产生不同方向的附加电阻。选择适当材料的玻璃层，使热失配在铂膜内产生相反的应力，从而造成相反的附加电阻。以这种应力补偿方法提高了薄膜铂电阻的可靠性。     

GIS电气设备的X射线图像网络诊断系统研究

在使用GIS设备的过程中会不可避免地发生故障,如果发生故障就进行破拆检修,会造成严重的损失。利用X射线对GIS设备进行非接触式的无损检测是一种有效的外部诊断手段,可以确保GIS在不破拆的情况安全运行。本文提出一种X射线图的GIS设备网络诊断系统,通过网络实现GIS设备X射线图像分布式存储,诊断结果共享,供各专家会诊,从而提高GIS设备故障诊断的准确性,增强设备的可靠性。     

X射线吸收谱精细结构分析的理论探讨

ＥＸＡＦＳ是研究多元物质中任一组元临近结构的有效手段。本文在分析ＥＸＡＦＳ的物理机制的基础上，对Ｘ射一吸收精细结构分析的和手段进行了深入的理论上的研究及探讨，取得了满意的结果。     

二氧化锰电极现场透射X射线吸收谱研究

运用现场透射X射线吸收谱法对可充碱锰电池的二氧化锰电极在放电过程中的结构变化进行了研究.结果表明放电过程中二氧化锰中的锰发生了结构重排,[MnO6]八面体的角边共享的程度发生了变化.随放电深度的增大,锰的第一近邻的配位数减小,Mn- O键键长增大.     

X射线荧光光谱法分析镁质耐材研究

采用混合熔剂熔融制样法,建立了镁质耐火材料中SiO₂、CaO、MgO、Al₂O₃等化学组分的X射线荧光光谱分析方法。通过熔融试验选择各元素测量强度,并与一系列有梯度的标准样品联合制定各元素之间的单质相关工作曲线,从而检测出镁质耐材中各元素含量。采用标准样品验证了该方法检测值的准确性和再现性,经验证,利用该工作曲线检测镁质耐火材料各组分的相对标准偏差均在0.06%～1.57%之间,符合标准要求。实践证明该方法过程操作方便,检测效率高,对环境造成的污染小,优于化学分析法,满足了济钢日常分析镁质耐材任务的要求。     

聚乙烯电缆皮形变结构的X射线衍射分析

对聚乙烯电缆皮室温单轴拉伸测试。当拉伸速度达到一定数值时,其应力－应变曲线出“类屈服”现象。     

InxGa1-xAs/GaAs超晶格的X射线衍射研究

超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料。自从1970年美国首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构后^[1],又研制出GaAs和各种Ⅲ-Ⅴ族化合物超晶格材料,而后Ⅳ-Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族,以及非晶态半导体超晶格等也相继出现,有一些已经获得实用,制成了重要的微电子和光电子器件。