纳米氧化锌薄膜的光致发光特性研究

本文报道了利用低压金属有机气相外延（LP－MOCVD）工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌（ZnS）薄膜，然后，将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化，制备高质量的纳米氧化锌（ZnO）薄膜。X－射线衍射（XRD）结果表明，氧化锌具有六角纤锌矿晶体结构，在900℃退火的样品的光致发光（PL）中，在长为3.3eV处观察到一束强紫外光致发光和相当弱的深能级发射，紫外发光强度与深能级发射强度之比是80，表明纳米ZnO薄膜的高质量结晶。     

金属有机物分解法制备HfO2 ZrO2纳米多层薄膜及其铁电性能研究

HfO2基铁电薄膜是一种环境友好型的铁电材料,具有尺寸可缩放性、与CMOS兼容性好等多方面优势,有望代替传统钙钛矿结构材料成为铁电存储器件的主要组成材料之一近年来,已有相关研究表明Zr掺杂的HfO2基薄膜具有良好的铁电性然而,针对其复合多层结构的铁电薄膜却鲜有报道为此,该研究利用金属有机物分解法制备了HfO2和ZrO2层交替生长的HfO2 ZrO2纳米多层薄膜,对薄膜的物相、表面形貌和铁电性能进行了相应的表征和分析,研究了退火工艺对薄膜铁电性能的影响结果表明,随着纳米层数的增加,HfO2 ZrO2薄膜的结晶性得到改善,且薄膜表面致密度增加,表面较为平整,晶粒有所细化在400 ℃、1 min的退火条件下,HfO2/ZrO2纳米多层薄膜具有明显的铁电性,电流翻转峰明显,剩余极化强度高达16 μC/cm2,纳米多层薄膜具有最小的漏电流密度以及良好的耐疲劳性能     

多层结构的X射线双晶衍射研究

用Ｘ射线双晶衍射术研究了玻璃薄层－铂膜－α－Ａｌ＿２Ｏ＿３多层结构。发现不同材料的玻璃层，使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。对铂薄膜电阻器件的测量结果表明：应力引起器件的电阻值变化；不同的应力状态，产生不同方向的附加电阻。选择适当材料的玻璃层，使热失配在铂膜内产生相反的应力，从而造成相反的附加电阻。以这种应力补偿方法提高了薄膜铂电阻的可靠性。     

热氧化硫化锌薄膜制备高质量纳米ZnO薄膜的表征

本文报道了利用低压-金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）技术生长ZnS薄膜，然后，将ZnS薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化制备高质量的纳米ZnO薄膜。采用有效的手段对榈的质量表征：X-射线衍射（XRD）结果表明，纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结构。喇曼光谱观测到典型的多声子共振过程。在光致发光（PL）光谱中，自由激子（FE）和束缚激了（BE）发射都很明显。低温下，束缚激子（BE）复合发射占主要地位，而自由激子（FE）复合发射也容易观察到。这些结果都说明我们制备的样品是高质量的。     

基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响

采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si（100）基片上制备了一系列的ZnO薄膜．利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究．结果表明：所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了（002）织构．随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力．同时光致发光谱实验结果表明：室温沉积的ZnO薄膜出现了365nm和389nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带．随着基片温度升高到350℃,365nm附近的紫外峰红移到373nm,并且强度增强,而389nm处的紫外峰强度明显减弱．当基片温度增加到500℃时,373nm的发光峰强度减弱并蓝移到366nm处,蓝光带强度减弱并红移到430nm-475nm处,并且出现了396nm的近紫峰．     

基于多层NN结构的电机故障诊断应用研究

通过电机故障机理的分析，确定电流噪声多元时序模型参数φi作为电机故障类型识别初始模型向量，并针对其特点，提出了多层NN结构的故障诊断模型，在诊断模型中，应用APEX网络提取分类信息，压缩向量空间维数，利用前馈网络建立其类型识别函数，实践证明该诊断方法是正确的。     

衬底温度对激光脉冲沉积氧化锌薄膜结构及发光性能的影响

在单晶硅衬底上用激光脉冲沉积方法制备了氧化锌薄膜,研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和发光性能的影响．     

图纹结构Co／Pt多层膜的制备及研究

先采用自组装技术制备大面积有序聚苯乙烯微球模板,在此基础上,制备Co／Pt多层膜纳米碗和纳米点列阵样品．利用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）对制备样品的表面形貌进行了分析．结果表明：溅射方法和刻蚀处理对纳米碗和纳米点的形貌存在影响,磁滞回线的结果表明倾斜溅射条件下制备的纳米点阵具有明显的方向取向性．     

Mo／Si多层膜的制备及X射线衍射表征

采用磁控溅射方法制备Ｍｏ／Ｓｉ多层膜。通过小角Ｘ射线散射图证明该多层膜是原子水平的,界面清晰,与设计周期基本相同。通过Ｘ射线衍射方法检测了该多层膜的组成和结构,同时对Ｍｏ／Ｓｉ多层膜的位错密度等参数进行定量研究。结果表明,该超晶格的位错密度随周期厚度的减小而增大,晶粒尺寸随周期厚度的减小而减小。     

CIGS薄膜太阳能电池光吸收层制备方法及国内相关专利的分析

CIGS光吸收层的制备工艺在CIGS薄膜太阳能电池的生产中起着关键性作用。本文主要介绍了CIGS光吸收层的真空沉积和非真空沉积的方法,以及国内相关专利的研究,以期能够有助于制备工艺的进一步研究。     

激光CVD制备a-Si∶H/a-SiC∶H多层非晶薄膜的方法及其光学特性研究

介绍利用激光的光化学反应来分解气体制备α-Si:H/α-SiC:H多层非晶薄膜的方法,并对应用XPS等手段测得的这种非晶薄膜的光学特性进行了讨论.     

应变式钢杯压力传感器的多层介质膜研究

在应变传感器的使用过程中,通常是将应变片用胶粘到待测的传感元件上,这种结构导致被测的应变片产生温度漂移.同时,胶膜引起的蠕变和滞后,也限制了传感器的准确度和长期稳定性.开发良好的铂薄膜电阻应变式钢杯压力传感器的研究具有重要意义.通过多层介质膜解决金属薄膜衬底和铂薄膜电阻间的隔离层问题,提高了应变式钢杯压力传感器的力学特性和长期稳定性.     

磁控溅射法制备FeCu薄膜

采用直流磁控溅射在Si (001)基片上制备了FeCu纳米薄膜,薄膜样品分别经过300～600 ℃退火处理1 h.利用X射线衍射仪和振动样品磁强计对样品的结构和磁性进行了测量和分析.结果表明,沉积得到的亚稳态FeCu合金在300 ℃时发生相分离,随温度的升高,晶粒长大,相分离程度增强.在300～500 ℃范围内样品的矫顽力随温度的升高而变大,当退火温度为600 ℃时矫顽力变小.     

具有光学特性偶氮苯插层硅酸盐薄膜的制备

通过离子交换法制备出偶氮苯掺杂硅酸盐聚合物薄膜,样品的结构和光学性能采用X-射线粉末衍射、红外光谱、固体核磁、热重分析和紫外可见光谱进行表征.由紫外可见光谱分析可知,聚合物薄膜的最大吸收峰在484 nm处,相对于偶氮苯分子在473 nm出现的最大吸收峰,发生了明显的红移,说明偶氮苯分子在硅酸盐层间发生了聚集现象,进而影...     

La1-xCaxMnO3薄膜的制备及结构和磁性研究

采用溶胶-凝胶旋涂法在表面氧化的Si (100)基片上制备了La1-xCaxMnO3 (x=0,0.1,0.15) 薄膜.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)及振动样品磁强计(VSM)对样品的结构、形貌和磁性进行了研究.结果表明:薄膜为正交钙钛矿结构,具有平整的表面,La0.85Ca0.15MnO3样品的薄膜厚度为334 nm.样品在居里温度附近发生铁磁-顺磁转变,随着Ca2+掺杂浓度的增加,样品的居里温度变大,x=0.15时,样品的居里温度为299 K.     

Au／C60—Polymer／P—Si结构C—V特性

报道了利用ＰＥＣＶＤ技术在Ｐ－Ｓｉ衬氏抛光面上淀积含Ｃ６０聚合薄膜及在薄膜表面蒸金形成Ａｕ／Ｃ６０－Ｐｏｌｙｍｅｒ／Ｐ－Ｓｉ结构。