含硼添加剂改善烧结矿质量的实验研究

含铁原料在高炉上部的物理粉化对高炉稳定性有显著影响·烧结矿还原时,在400～600℃的温度范围内粉化明显·为了提高烧结矿质量,抑制热烧结矿在降温过程中因为相变引起的粉化现象,对烧结配料进行了添加硼酸的实验研究,同时通过转鼓实验、粒度分布及X射线衍射实验对实验结果进行了分析·结果表明,在烧结原料中添加硼酸可以改变烧结矿中的物质组成,当每1t原料添加0 6～1 2kg硼酸时,烧结矿粉化现象得到了抑制,强度得到了提高,而且对烧结工艺无影响·     

添加剂在冷轧工艺润滑剂中作用的研究

脂肪酸、脂肪醇和脂肪酸酯都是铝板、铝箔冷轧工艺润滑剂常用的油性添加剂。为此本文对它们的作用机理和作用效果进行了探讨和分析。其中,涉及到添加剂种类及含量与粘度、油膜强度、变形区摩擦系数及轧后产品表面光亮度的关系。这对指导现场生产中正确选用添加剂是非常有益的。     

基于0.5μm CMOS工艺的高速运放

设计了高单位增益带宽积、大摆率、宽输出摆幅的运算放大器,该运算放采用了两级全差动结构.设计采用增加1个前馈放大级电路,以此产生1个左半平面零点并与第一个次极点相抵消的频率补偿方案,达到了环路稳定的要求.另外,提出一种新颖的共模反馈(CMFB)方案,使共模抑制比达到62dB,电路采用CSMC公司的0.5μm CMOS数模混合信号工艺设计并经过流片.测试结果表明,在单电源3.3 V电压下,运放的直流增益为65.5 dB,单位增益带宽积达350 MHz以及±2.7 V的输出摆幅.     

锡酸钠添加剂改善镁合金腐蚀及放电性能的研究

采用电化学方法探究了不同浓度锡酸钠添加剂对AZ31B镁合金在MgSO4-Mg(NO3)2(0.14 mol/L MgSO4,1.86 mol/L Mg(NO3)2)电解液中的腐蚀以及电化学放电行为的影响.结果表明,镁合金在含有1 mmol/L锡酸钠添加剂的溶液中具有最大的极化电阻值、最短的滞后时间和最低的电压降.采用电...     

乙酸钠添加剂对NOxOUT工艺影响的试验研究

在自行研制的选择性非催化还原(SNCR)脱硝实验台上进行了乙酸钠作添加剂对NOxOUT工艺影响的实验研究.无添加剂时,尿素对NO的去除效果良好,在最优温度(900 ℃)条件下氨氮比(摩尔比)为1.5时NO的去除率可达76.56%,但会生成大量的N2O,极大地降低了NOx的总去除率.加入乙酸钠,在较低温度条件下,NO含量随着其添加量的增大呈先降低后升高的趋势,在较高温度条件下,呈现升高后降低的趋势;而N2O含量在各温度条件下随着乙酸钠添加量的增大一直呈降低趋势直至为零.随着乙酸钠添加量的增大,N2O对NOx总去除率的不利影响逐渐降低,当摩尔比n(CH3COONa)/n(NOx)=0.44时,825～925℃区间内总NOx去除率在65%以上.乙酸钠作添加剂拓宽了工艺的温度窗口,去除了尿素还原NOx时所生成的N2O,极大地提高了总的NOx去除率.由于钠盐主要是以NaNCO形式存在,所以添加乙酸钠所引起的烟气碱性增大的程度并不严重.     

造纸黑液制取水煤浆添加剂的工艺研究

通过正交实验法 ,完善了造纸黑液制取水煤浆添加剂工艺的研究 ,进一步探讨了黑液种类、反应温度、反应时间及反应物 NA加量对产物添加剂性能的影响 ,得出的最佳工艺条件是 :原料采用 YS黑液 ,反应温度 1 0 0℃ ,反应时间 1 .5h,NA加量 5% (φNA)。在上述条件下 ,制得的添加剂性能最佳     

中药萃余液饲料添加剂的制备工艺研究

主要研究降低中药萃余液粘度和乳酸细菌发酵制备饲料添加剂工艺方法.比较3种预处理剂(预处理剂A、B和C)对萃余液粘度降低效果,在35℃保温条件下,预处理剂B和C效果最好,等比例混合处理后粘度下降到1000 mPa·s左右,流动性好.处理后的萃余液经植物乳杆菌发酵产生大量酸类物质,乳酸含量达到111 mmol/g以上,作为饲料添加剂具有中药和微生物制剂双重特性.     

添加剂强化拜耳法种分分解的工艺条件实验

研究添加剂强化拜耳法种分分解的微观机理。把改性阳离子型聚丙烯酰胺与聚丙烯酸钠混合添加剂加入铝酸钠种分溶液中,对添加剂混合比例、浓度和添加时间等影响铝酸钠溶液种分分解速率进行探讨,在分解过程进行8 h时,对氢氧化铝晶体进行扫描电镜测试。研究结果表明:加入添加剂可加快Al(OH)4-扩散到晶种表面,Al(OH)4-经化学反应产生Al(OH)3以及OH-扩散到溶液本体的过程,达到强化分解过程的目的;与未加添加剂相比较,改性阳离子型聚丙烯酰胺与聚丙烯酸钠混合(以质量比5∶1混合)加入,质量浓度为1.56×10-4g/L以及在分解初期加入效果最好;在有添加剂的情况下晶种表面会产生更多次生晶核,由于搅拌等因素脱落或互相吸附形成新的大颗粒晶种,加快了二次成核的形成。     

食品添加剂的品种和使用中存在的问题分析

随着人民生活水平的提高,生活节奏的加快,食品消费结构的变化、促进了我国食品工业的快速发展,要求食品方便化、多样化、营养化、风味化和高级化,为了达到这些要求就离不开食品添加剂。     

CH4作添加剂对SNCR脱硝工艺的影响

为改善选择性非催化还原(SNCR)脱硝工艺的反应特性,对CH4作添加剂对SNCR工艺的影响进行了理论分析和试验研究.在自制的SNCR脱硝试验台上采用自制的改进型槽缝式TB系列喷嘴中心逆流喷入还原剂,冷态混合试验发现在还原剂携载气流与主气流流速比为0.15时即可得到良好的混合效果.在氨氮摩尔比1.25、无添加剂、900℃条件下取得NOx最大去除率82.48%,有添加剂、875℃条件下取得NOx最大去除率73.19%.随着温度的降低,达到既定温度条件下最大NOx去除率所需的CH4添加量增大.高于885℃,添加CH4会降低NOx的去除率,低于885℃则可以提高NOx的去除率,降低和提高的幅度随CH4添加量的增大而增大.添加CH4可以使工艺的反应温度窗降低并变宽,以NOx去除率高于50%为标准,无CH4作添加剂的温度窗12为863～937℃,有CH4作添加剂的温度窗12为803～929℃.在775-850℃温度范围内,添加CH4可明显提高NOx的去除率.有CH4作添加剂可以大大降低氨的泄漏量,氨的泄漏量随着CH4的添加量的增大而减小.     

利用焦化工艺处理废塑料技术--添加剂OA的作用

利用热天平与200kg试验焦炉,研究添加剂(OA)、废塑料(WP)与首炼焦配煤(Coal)的热失重行为以及共焦化的成焦性能·结果表明废塑料、炼焦配煤与添加剂在相互重叠的热解失重温度区间内三者裂解生成的自由基相互作用(即协同效应),影响焦炭质量;添加剂OA、废塑料WP与炼焦配煤按比例1∶2∶97混合共焦化时,添加剂(OA)能够消除添加1%废塑料对焦炭质量产生的负面影响,使焦炭M40增加,M10降低,CSR升高,而CRI降低,具有显著的工业应用前景·     

新型成膜添加剂CH3COONH4对石墨负极电性能的改善

应用循环伏安和恒电流充放电等电化学方法,结合微观测试手段傅里叶变换红外光谱(FTIR)和扫描电镜(SEM),剖析了电解液中加入少量CH3COONH4后对电极表面SEI膜的影响.通过与空白溶液比较显示,添加CH3COONH4能显著提高天然石墨负极首次循环过程中的充放电容量,降低不可逆容量损失,提高电极的循环性能和倍率充放电性能.扫描电镜和电极表面SEI膜组分的FTIR分析表明,添加适宜浓度的CH3COONH4有助于改善天然石墨的电化学性能.     

1.5μm连续内腔单共振光学参量振荡器运转特性的实验研究

通过内腔单共振光学参量振荡器(SRO),获得了连续单频的1.5μm激光光源.实验采用PPLN晶体为非线性晶体,通过优化设计Nd:YVO4激光器的参数和SRO腔的参数,在LD泵浦功率为18W时,获得了300mW的连续单频1.5μm激光输出.实验与理论相结合,详细分析了SRO的运转特性,并提出了进一步优化SRO的方法.     

采用0.13μm CMOS工艺开关电容ΔΣ调制器的设计和实现

 采用0.13μm CMOS工艺设计并实现了一个开关电容2阶ΔΣ调制器.该调制器能够将一个中心频率为455 kHz,带宽为10kHz的调幅信号转换成具有10位分辨率、信噪比为62dB的1位编码信号.在设计运算放大器时,充分考虑了短沟道晶体管设计的一些特殊要求,特别是考虑了MOS场效应管的输出电导gd这个非常敏感的设计参数.所设计电路的芯片的面积为260μm×370μm,工作电压为1.2 V.与其它的同类调制器相比,由于采用0.13μm CMOS工艺进行设计,因而芯片面积小,工作电压低.     

RAS添加剂对富含锡、砷、铅等微量元素灰铸铁内在质量的改善

本文针对龙岩生铁（富含锡、砷、铅等多种微量元素）生产灰铸铁出现的硬、脆、裂等内在 质量问题，在探索性试验的基础上，研制了稀土复合添加剂（ＲＡＳ）对铁水进行处理，使问题得 到较好的解决．文中对处理后的灰铸铁，在显微组织、机械性能（包括质量指标）、铸造性能、 微量元素分布等方面的有关特性，与未经处理的试验结果进行了系统对比。同时，对不同种类处 理剂的效果和ＲＡＳ添加剂的组成也进行了论述．     

基于0013μm工艺的低于1V带隙基准电压源设计

采用GSMC 0.13 μm CMOS工艺设计了一种适合于SOC的低压高精度带隙基准电压源.仿真结果表明.该电路可以在0.9～1.5 V电源电压下工作,输出的基准电压可以稳定在约0.708 V,温度在0～60℃之间时.温度系数不超过44 ppm/K,电源抑制比为66 dB,最大功耗小于0.5 μW.基于GSMC0.13 μmlP8M CMOS工艺几何设计规则实现了其版图.版图面积约为0.2 min×0.15 mm.     

基于0．25μm工艺的INMOS管变容特性分析及Hspice模拟

文章对Mos管的变容特性结合现有的文献作了简要分析，以0．25μm工艺的INMos的变容特性作了深入分析，并利用Hspice进行了仿真，对MOS管的变容特性作了深入讨论。并针对VCO电路对Mos的变容区间提出一些合理的建议。     

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的带宽为2 GHz的高精度可变增益放大器

设计了一个高精度可变增益放大器,采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺进行前仿真和后仿真.运用电流反馈型闭环运算放大器获得了高精度的固定电压增益,输出级中加入了共模反馈电路,使得输出共模电压可以由外部控制电压在0.8~1.3 V之间进行调节.另外,先进的补偿网络可以对工艺偏差进行校准,使其带宽达到2 GHz;为了实现增益可调,采用了无源R-xR网络实现步长为2 dB的精确衰减,最终使得增益在数字信号控制下以2 dB步长在-0.93~39.19 dB范围内可调.整个系统结构简单,增益控制方便.     

一种用于脉冲超宽带接收机的0.18-μm CMOS工艺的高增益检波器

设计了一个用于非相干脉冲超宽带接收机的0.18-μm CMOS工艺的能量检波器.该检波器包含了输入匹配模块、平方电路、翻转电压跟随器-电流检测电路、跨导级以及输出缓冲器.平方电路运用饱和区晶体管的平方律特性对输入差分信号进行平方,所得到的输出电流由翻转电压跟随器-电流检测电路转换成电压.跨导级对该信号进行放大并积分得到所接受的能量.测试结果可以看出,当输入信号的峰峰值超过60mV时,在高达300 MHz的频率下检波增益可以达到10 dB.而最小检测幅度为13 mV,此时的检波增益为5 dB.在移除输出缓冲器之后,输出脉冲的幅度将增加一倍.不计及测试焊盘,芯片面积为0.23 mm×0.3 mm.电路由一个1.8 V的电源供电,核心电路电流为3.5 mA.该检波器已成功应用于开关键控方式的接收机以实现高速宽带通信.     

采用0．13μm CMOS工艺开关电容Δ∑调制器的设计和实现

采用0．13μmCMOS工艺设计并实现了一个开关电容2阶Δ∑调制器，该调制器能够将一个中心频率为455kHz，带宽为10kHz的调幅信号转换成具有10位分辨率、信噪比为62dB的1位编码信号．在设计运算放大器时，充分考虑了短沟道晶体管设计的一些特殊要求，特别是考虑了MOS场效应管的输出电导gd这个非常敏感的设计参数．所设计电路的芯片的面积为260μm×370μm，工作电压为1．2V．与其它的同类调制器相比，由于采用0．13μmCMOS工艺进行设计，因而芯片面积小，工作电压低．