以SrTiO_3为基电容器瓷料的研究

通过对以ＳｒＴｉＯ３为基瓷料配方和制造工艺的改进，得到了在－２５℃～８５℃的温度范围内，介电常数ε大于２２００，介电常数的温度稳定性较好的瓷料．     

添加物对SrTiO_3基高压电容器陶瓷的改性作用

本文研究了Bi2O3·nTiO2、Pb2 、Mn2 和Zn2 对SrTiO3基高压电容器陶瓷的改性作用,获得了2B4组的高压电容器瓷料,其性能指标如下:ε20℃=2000±100　　　tgδ≤50×10-4　　　ρv>1011Ω·cmΔε/ε20℃<±10%Ts=1200±10℃Eb>9kV/mm     

粘土釉面瓦的一次烧成

采用铅硼硅熔块釉研制出同时符合普通粘土瓦坯的烧成温度低、热膨胀系数低这两个主要性能特点的釉料。一次烧成的技术关键是提高釉对坯的附着力。可以通过控制釉浆的细度和浓度、充分干燥并预热瓦坯、添加结合粘土和有机结合剂等途径达到要求。另外,与二次烧成相比,一次烧成施釉应略厚、升温速度应较慢、保温时间应适当延长。     

一次快速烧成高档内墙砖熔块釉

<正> 建筑陶瓷工业属于高能耗工业,节能降耗是建筑陶瓷工业的研究主题,快速烧成辊道窑的推广为节能打下了良好的基础,在一些建筑陶瓷工业发     

SrTiO_3薄膜的掠入射X射线衍射研究

采用掠入射X射线衍射技术研究了外延SrTiO3薄膜面内晶格应变随着深度的分布.研究发现不管是较薄的还是较厚的薄膜其面内晶格应变随深度的分布都不是连续变化的,而是可以分为三个区域,即表面区、应变驰豫区、界面区.     

外延生长的SrTiO_3/DyScO_3薄膜的微结构研究

利用激光分子束外延技术在DyScO3(DSO)衬底上异质外延生长了SrTiO3(STO)薄膜.采用原位X射线衍射方法在20~300 K范围内测量了低温下薄膜的热膨胀系数;讨论了应变与晶格失配之间的关系.薄膜的晶格参数在80 K的异常变化可能预示着结构相变的存在.高分辨X射线衍射用来分析样品中存在的两种位错:剪切位错和螺旋位错.结果显示,总的螺旋位错密度要比剪切位错密度大得多.我们认为螺旋位错是样品生长过程中的主要缺陷;剪切位错密度随着样品厚度的增加而增加.这两种位错密度之间的比例关系决定了薄膜的生长模式.     

钒掺杂SrTiO_3光催化剂的制备及性能研究

用溶胶-凝胶法制备不同质量分数V掺杂的SrTiO_3光催化剂粉体(V-SrTiO_3),通过X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、激光粒度仪对其结构和形貌进行表征,用亚甲基蓝(MB)催化降解实验评价其光催化活性.结果表明,V掺杂后SrTiO_3仍然保持钙钛矿结构,V5+进入晶格对Sr2+进行了替位掺杂,晶格常数变小;热处理温度升高,样品发生热团聚;V掺杂后SrTiO_3的催化活性得到了明显的提高,并随着热处理温度的升高,光催化降解率先增加后降低;当n(V)∶n(Ti)=1.5∶100,热处理温度为800℃下制备的样品催化活性高达90.5%.     

SrTiO_3的固相合成和表征

该文采用固相合成法,控制600℃的反应温度和10 h的反应时间制备SrTiO_3。所得产物的组成、结构、尺寸大小、形貌、光学性质通过X-射线衍射和红外光谱表征。测试结果表明所得产品为125 nm的立方相SrTiO_3颗粒。     

一次烧成Cd(S,Se)大红釉的研究

研究了一种一次烧成镉硒红釉的新工艺。阐述了产品缺陷的产生原因及其改善措施。该工艺具有工艺简单、能耗低、经济效益高等优点。     

应变SrTiO_3/GaAs异质结的整流特性研究

采用脉冲激光沉积法在P型GaAs基片上制备了缺氧的钛SrTiO3薄膜.X射线衍射测量证明SrTiO3薄膜外延生长.I-V曲线测量显示很好的整流性,说明该SrTiO3薄膜与GaAs形成p-n结.该结的电输运机制为应变导致的隧穿电流,且其电输运性质不受光照影响.     

电泳沉积法制备SrTiO_3薄膜电极的工艺研究

纳米SrTiO_3具有很广泛的用途,其电泳沉积工艺低成本、易操作,可广泛应用于实验室研究。该文从粉体浓度、碘浓度、沉积电压、沉积时间共4个方面对电泳沉积工艺进行了讨论,得出在电压5 V、SrTiO_3浓度3.5%、碘浓度1.0 mg/m L、600 s条件下沉积的薄膜电极较好,表面均匀,膜厚约为70μm。该实验可作为专业基础实验面向材料、化学专业的本科生、硕士生开放。     

太原市一次空气重污染过程分析研究

对太原市2017年12月10—15日一次空气重污染过程的天气形势、气象条件、外部输送等成因进行了初步分析。结果表明,气象因素是造成这次重污染的主要原因,偏南风的外部传输加重了此次污染。建议加强与气象部门的合作,在面临不利的气象条件时及时采取措施,并做好太原及周边地区的区域联防联控工作。     

SrTiO_3多功能陶瓷电容压敏电阻器的研制

陶瓷压敏电阻器是一种随外加电压不同而电阻呈现出显著变化的非线性电阻器,具有优良的电压非线性和电涌吸收特性。根据制造材料的不同,可把陶瓷压敏电阻分为三类:①金属氧化物(如ZnO,Fe_2O_3,SnO_2,TiO_2等)陶瓷压敏电阻;②非金属氧化物(如SiO_2)陶瓷压敏电阻;③化合物(如SrTiO_3)陶瓷压敏电阻。目前广泛使用的ZnO_2压敏电阻具有优良的非线性特性,在瞬态浪涌抑制技术中起着重要的作用,但其视在介电常数只有1000左右,介质损耗高达5％～10％;缺乏大的电容量,因此,作为电容器是不理想的。SrTiO_3复合功能元件是70年代末出现的一种新型电子元件,它具有对电压敏感的电阻和大的等效并联电容。在低电压时具有电容器功能,在高于某个阈值电压时,具有压敏电阻的功能,并比单独具有压敏特性的压敏电阻器的性能好,在自动控制、电子计算机领域及各类电子电器行业中有广泛的应用前景。由于SrTiO_3是一种新型元件,有关它的原理、工艺条件都很不成熟,国内外对它都还处于探讨摸索阶段。作者经过长时间摸索,做了大量的实验,经历了多次失败。终于烧制出了两种具有复合功能的陶瓷材料,并对材料做了扫描电镜分析。     

一高聚物添加剂边界层减阻的研究

目前,减阻技术已广泛应用于一些民用与军工部门[1],如离岸的石油勘探、开采及原油管道的长距离运输。在减阻技术上,有直接加入减阻剂并与输送物料混合均匀以降低输送阻力[2],有在输送管道表面加上弹性材料护面[3],也有以气泡或水包裹输送物料等.对减阻剂的使用,比较广泛的是用高分子稀溶液[4],或其它无机材料如粘土、细粒矿沙、细煤粉等[5].在高分子稀溶液中,高分子在受到搅拌或其它机械剪力的作用下易产生降解,从而降低以至丧失减阻性能.此外,高分子材料一般价格昂贵,而无机材料减阻一般又要求其浓度较高,故会增加体系的物理粘性,从而增大了粘性耗散能量,反而产生增阻作用.总之,从实用价值来看,减阻技术和减阻剂的应用还远远达不到理想效果. 针对上述问题,我们设计了一种实验装置,即将一定浓度的魔芋溶液从输液管边壁注入边界层,以避免高分子稀溶液在通常减阻方法下的降解作用,并在减阻剂使用量较小的情况下,达到较好的减阻效果     

福建一次春季海雾的边界层特征及其成因分析

2018年3月3～4日,福建沿海及台湾海峡出现一次大范围自南向北发展的海雾过程,该文利用沿海自动站、浮标站资料、微波辐射计、风廓线雷达及ERA-Interim再分析资料对海雾成因及生消机理进行分析,着重探讨了海雾过程中的边界层特征及气海温差。结果表明,近地面逆温层、大湿度区维持、中层"干暖盖"、风速适宜、温度露点差小、液态水含量及综合水汽加大,对海雾形成有利;垂直风切变减小,海气界面之间湍流混合强度减弱,致使低层的暖湿空气不易向上输送,有利于海雾的生成发展;在海雾形成过程中,气温高于海温,使得冷海面上空暖湿空气降温冷却达到饱和形成海雾。     

温度和掺杂剂对SrTiO_3陶瓷性能的影响

SrTiO_3复合功能元件具有压敏电阻和电容两种元件的性能。这种复合功能元件具有对电压敏感的电阻和大的等效并联电容.它在低电压时具有电容器功能,在高于某一阈值电压时,具有压敏电阻器的功能.它的压敏电压低,约3～120V;非线性系数大,约5～35;电容量大,约20～120μF,电导率在10~(10)cm·Ω以上.因此,它广泛地应用于电子显微技术以及自控技术领域中.由于SrTiO_3是一种新兴的电子陶瓷元件,在生产工艺上还处于摸索阶段,理论上也只能作一些半定量或定性的解释.作者研究了施主掺杂量Nb_2O_5和不同烧结温度对元件性能的影响;其它掺杂剂MO对烧结温度以及MO掺杂量和烧结温度对元件性能的影响.所得结果如下:①Nb_2O_5含量和烧结温度对半导化的实现有较大影响,Nb_2O_5含量越高,烧结温度越高,越有利于半导化.②半导化剂Nb_2O_5含量和烧结温度都存在一个使ρ值较平缓,而大于MO_ρ含量和高于T-[ρ]温度时,ρ值发生突变,急剧下降,对于不同含量的样品,T_ρ和MO_ρ值不同.③对不同导化剂含量的样品,在0.1～0.7mol％范围内,烧结温度超高,ε值越大,并且ε值变化缓慢,因此半导化剂和烧结温度对性能的影响,随工艺而变.④加入MO掺杂剂可以有效地降低烧结温度.⑤加入MO变化不太大,都在10~5～10~6之间,烧结温度的影响不大,并且     

掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性及正电子湮没

本文应用正电子湮没寿命谱方法研究掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性.通过对不同掺La量SrTiO_3的介电常数、损耗因子、正电子在样品中的湮没寿命的测量,发现介电常数、损耗因子随掺La量的变化与正电子寿命参量的变化存在着某种关系;文中用Sr空位及La离子与Sr空位缔合体模型解释了这些变化与关系.     

复合散SrTiO_3基半导体陶瓷的压敏特性

研究了４种复合氧化物（ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ。－Ｂ２Ｏ３，ＭｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３，Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２和ＬｉＮｂＯ３）为扩散剂对半导化的ＳｒＴｉＯ３基陶瓷显微结构、压敏和介电特性的影响．在实验基础上，提出了新的晶界势垒模型．