异质结价带边不连续△E_v理论计算中d态的作用

由半导体的LMTO能带计算平均健能E_1,并以平均键能E_1作为参考能级计算共阴离子异质结的△E值.在LMTO能带计算中采用不同处理d态的计算方法,系统地研究d态在△E,理论计算中的作用,研究结果表明,d态对主要能带的杂化程度显著地影响△E值;适当处理d态之后,以E为参考能级的△E计算方法可以得到接近于界面自洽方法(SCIC或SCSC)的准确结果。     

半导体ZnO薄层和金属Ni构成界面时的界面能

本文利用格林函数(GF)方法计算了ZnO半导体薄层和金属Ni构成界面时的界面能△E。讨论了界面能△E随NnO和Ni之间的相互作用势γ的变化.以及△E随半导体ZnO薄层的层数N(或厚度)的变化。     

高压下Ge的结构转变及弹性性质的第一性原理计算

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算在压力作用下Ge的结构转变、能带结构、电子态密度和弹性性质.结果表明:在9.0GPa压力点,Ge发生了从立方金刚石结构(Ge-Ⅰ)到β-Sn结构(Ge-Ⅱ)的一级结构相变;材料的导电性能由半导体转变为导体;Ge-Ⅰ的弹性常数随压力线性增加。     

利用能带理论来解释导体，半导体和绝缘体的导电性

能带理论是固体物理中重要的理论之一,它是研究固体中电子运动的理论基础．它在量子力学的运动规律确立以后,用量子力学研究金属电导理论的过程中发展起来的．它在半导体开始在技术上应用后,对半导体性能的研究提供了重要的理论基础并促使了半导体技术的进一步发展．本文利用能带理论来解释导体,半导体和绝缘体的导电性并且给出它们的能带示意图．     

半导体集成辐射传感器基本原理的研究

本文首次提出一种新型辐射传感器——半导体集成辐射传感器,并对它的基本原理作了系统的分折和研究。最后导出:辐射照度E与半导体温度集成镜象对管结电压差值的改变量△(△VBE)线性关系式。本文可以作为研制半导体集成辐射传感器的理论依据。     

固体电解质的离子能带模型

在Rice和Roth的自由离子模型和Flynn的离子极化子模型的基础上,根据骨架离子周期势场中薛定谔方程的布洛赫解,提出与半导体的能带模型相类似的离子能带模型,来解释离子晶体与固体电解质的区别,固体电解质的相变,本征快离子导体和缺陷型快离子导体的区别,电子—离子混合导体中离子电导与电子电导的关系以及同一种组成的快离子导体在晶态和非晶态电学性质的差别。强电解质溶液的理论可以从离子能带模型进行解释,并可从这种解释出发,寻找合适的定向偶极子来提高室温下的离子晶体的电导率。     

平面酞菁聚合物电子性质的理论研究

采用密度泛函自洽场晶体轨道方法计算了一维和二维平面酞菁聚合物的能带结构和电子性质,结果表明这些聚合物是半导体.研究发现,聚合方式和共轭程度的差异不仅影响能隙的大小,而且影响能带的形状.与一维聚合物相比较,二维酞菁聚合物带隔较窄,能带较宽,将是良好的半导体.     

外力应变对Bi_2Se_3拓扑绝缘体能带调控的第一性原理研究

采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,研究了拓扑绝缘体Bi_2Se_3在外力应变作用下的电子结构变化.首先对Bi_2Se_3块体结构在不同外力应变下进行了充分的原子弛豫,得到稳定的构型.主要通过改变初始结构的晶格常数的方法来构建沿层内施加外力应变的模型.接着通过能带、态密度(DOS)等分析手段研究不同外力应变下Bi_2Se_3的电子结构演化.研究结果表明:施加应变会使Bi_2Se_3的体能带发生偏移,偏移的幅度与应变大小相关,在压力应变逐渐加大的过程中Γ点附近的能带上移,并能够观察到M形的反转能带,而在拉应变增大的过程中Γ点附近的能带下移,且没有明显的能带反转现象,这些变化导致了Bi_2Se_3经历从半导体到导体的转变.     

用喇曼光谱研究半导体带隙和合金组分

阐述了从喇曼光谱测量三元化合物半导体的双模频移和双模强度比率来确定含金组分。提出了由共振喇曼散射研究半导体的能带结构。实验观测了半导体 GaP在间接带隙(Γ_8?—Χ_(3c))附近的2TA和2TO双声子共振特性。实验表明共振喇曼散射可以测定半导体的直接带隙和间接带隙。     

紧束缚方法计算Ⅲ-Ⅴ族半导体(311)B表面电子结构

本文用紧束缚方法计算了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构.半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3模型描述,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到.我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Γ-Y-S-X-Γ的色散关系.通过比较给出了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等(311)B表面共同的表面电子结构特征.     

紧束缚方法计算Ⅲ-V族半导体(311)B表面电子结构

本文用紧束缚方法计算了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构 .半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3 模型描述 ,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到 .我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态 ,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Г Y S X Г的色散关系 .通过比较给出了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等 (311)B表面共同的表面电子结构特征     

锗和砷化镓隧道二极管某些参数的温度关系

§1.引言隧道二极管峰值电流L_p,峰值电压V_p和結电容C等参数随温度变化規律的研究,在理論上及应用上都有一定的意义。理論上可以提供簡并半导体能带結构及簡并p-n結內电流傳輸机构的知識,实用上可以提供設計参数几乎不随温度变化的隧道二极管的資料。锗隧道二极管峰值电流与温度关系已发表了許多研究結果。总括起来,在4.2°K     

NSRL在半导体表面和界面的同步辐射研究进展

综述了国家同步辐射实验室在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究．其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化和氮化的催化作用;稀土金属在半导体表面的吸附及其界面形成;Ⅲ-V族半导体表面的钝化及其与金属界面研究;半导体表面的磁性超薄膜研究;与Ⅱ-Ⅵ族半导体有关的异质结能带排列     

杂质能带与外观激活能的减少

引论: 利用霍尔系数温度的改变来分析n(或p)型半导体的激活能△E时,通常用杂质能级的摸型,以n型半导体为例,在温度不太高的情形下,激活到导带中的电子密密n与施主密度N_D受主密到N_A间有下列关系。     

高分子链的分子轨道计算 聚腈能带结构

本文是用以晶体周期性边界条件简化LCAO—MO方法计算聚腈分子的能带结构。计算结果表明能级E(k)是波矢量k的多值函数。禁带宽度Eg=/α_C-α_N/计算证明聚腈具有半导体性能。     

运用表面光电压技术对半导体表面光电特性的研究

对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述，系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质．研究了半导体能带隙所表现出的特有性质．     

谈怎样才能作好布里渊区

<正> 0 引言布里渊区是固体物理学中能带论的主要内容.它和能带间存在着对应关系,用它可方便形象地从能带结构上看出和解释导体、绝缘体和半导体的区别。人们往往对它的定义好接受,但作出的图错误程度大。要作好布里渊区,必须明确两点和掌握两种作图方法。     

试论△t.△E≥/2能否作为量子力学不确定关系

从现行 4种典型的时间—能量不确定关系出发 ,分析其中的△ t、△ E及△ t.△ E≥ 2 (含△ t.△ E≈ h)的意义 ,得出不宜把△ t.△ E≥ 2 (或△ t.△ E≈ h)当作与△ x .△ Px ≥ 2 (或△ x .△ Px ≈ h)并列的量子力学不确定关系的结论 ,并提出一些解决此问题的建议 .     

亚度量族生成空间的理论及其应用

本文引进亚度量族生成空间的概念,Menger概率度量空间(E,F,△),当t-范数△满足,sup△(t,t)=1时,可视为亚度量族生成空间的特例。我们研究了亚度量族生成空间的拓扑结构,证明了这类空间中映象的几个不动点定理。作为其应用,给出了概率度量空间中相应的几个不动点定理。     

分子导体(PyH)[M(dmit)2]2(M=Pd,Ni)的晶体结构与能带结构

在配合物型分子导体(PyH)[Pd(dmit)2]2和(PyH)[Ni(dmit)2]2中,阴离子导电组元[M(dmit)2]^0．5-(M=Pd,Ni)的面对面堆积和肩并肩排列形成二维层状结构．采用推广休克尔紧束缚方法计算了二维导电层中相邻两阴离子的HOMO轨道的重叠积分,并进行了二维能带计算．计算结果表明它们是窄能隙半导体。与晶样的变温电导测试的结果一致.