一种压控石英晶体振荡器电路的设计

分析了压控石英晶体振荡器（VCXO）的原理、设计特点,设计了一个集成的VCXO驱动电路,该部分电路主要包括一个频率控制电路和一个自动增益控制电路,可以在芯片外部器件的共同作用下对石英晶体振荡器进行实时频率控制和振幅调整。设计的VCXO能输出高稳定渡、振幅恒定的时钟信号。     

一种新的非线性时域运算放大器宏模型

提出的一种新的通用非线性时域运算放大器宏模型是为了集成电路运算放大器的时域模拟。它与早先报道的非线性时域运算放大器宏模型有两点不同。①通过使用压控开关和非线性受控源来模拟运算放大器的非线性特性。②该宏模型在PSpice环境下生成并运行，主要用于D/A集成电路的仿真，且便于使用。     

结型场效应管压控增益放大器及其应用

分析了结型场效应管压控增益放大器的电路原理，并阐明了其电路的特性和实用价值，为集成电路设计提供了理论依据。     

文摘预登

高性能ＧａＡｓ微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器田　彤1,罗晋生2,吴顺君1(1.西安电子科技大学,710071,西安;2.西安交通大学)在前期对ＧａＡｓ微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上,针对国内工艺技术的特点,提出提高其性能的电路结构及其设计技术.该设计采用宽带放大器级联负阻压控带通有源滤波器,在输入端设计π型宽带匹配电路,并采用经实验验证和优化设计的平面压控变容管.模拟结果表明,该压控带通滤波器性能优越,有10ｄＢ以上插入增益,通带宽度约30ＭＨｚ,调频范围宽约400ＭＨｚ,工作于1.44～1.82Ｇ…     

一种新的非线性时域运算放大器宏模型

提出的一种新的通用非线性时域运算放大器宏模型是为了集成电路运算放大器的时域模拟。它与早先报道的非线性时域运算放大器宏模型有两点不同。①通过使用压控开关和非线性受控源来模拟运算放大器的非线性特性。②该宏模型在PSpice环境下生成并运行,主要用于D／A集成电路的仿真,且便于使用。     

压控电抗元件的SPICE仿真

基于对应用SPICE程序模拟压控电抗元件方法的讨论，针对SPICE程序没有提供压控电抗元件库模型的问题，给出了用数据表格形式和多项式描述非线性压控电容的方法；研究了变容二极管的工作特性，提出了建立变容二极管SPICE宏模型的可行方法。将变容二极管的模型插入压控振荡器电路中，可以对压控振荡器进行较精确的分析。设计方法简便易懂，在压控振荡电路的设计与仿真中有良好的应用价值。     

磁控溅射Cu膜之Cu/SiO2/Si结构的应力

采用红外光弹测量法用磁控溅射淀积在SiO2/Si晶片表面的Cu膜在Si衬底中引入的应力。结果表明：SiO2在Si衬氏中引和张应力，而Cu在Si衬氏中引入压应力，在Cu/SiO2/Si结构中，随SiO2膜厚减小和Cu膜厚增大，Si衬底中张应力逐渐减小，最终转为压应力。同时比较、分析了理论估算值和实验结果的差异，预示和分析了Cu引线的可靠性。     

高性能GaAs微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器

在前期对ＧａＡｓ微波单片集成电路负阻压控带通有源滤波器进行理论及实验研究的基础上,针对国内工艺技术的特点,提出了提高其性能的电路结构及其设计技术。该设计采用宽带放大器级联负阻压控带通有源滤波器,在输入端设计π型宽带匹配电路,并采用经实验验证和优化设计的平面压控变容管。模拟结果表明,该压控带通滤波器性能优越,有１０ｄＢ以上插入增益,通带宽度约３０ＭＨｚ,调频范围宽约４００ＭＨｚ,工作于１．４４￣１．     

理想开关特性的单一方程描述及其电路的时域分析

提出了理想二极管，压控开关，流控开关等的一单一方程描述，将开关视为一个导通电阻为零，切断电阻为无限大的非线性电阻，由于用一个统一的方程描述开关的电压电流关系，因而可在一个拓扑下分析开关型电路，在数值仿真时，不需要编制开关状态判断与初始值求解的专门程序，理论与实际分析均表明，这种开关模型能用于电力电子电路的数值计算，采取后向差分法，也可分析含有冲激量的模拟集成电路。     

电感及电容结构的压控振荡器电路设计与仿真

随着通信技术对射频收发机性能要求的不断提高,高性能压控振荡器已成为模拟集成电路设计、生产和实现的关键环节。针对压控振荡器设计过程中存在相位噪声这一核心问题,文中采用STMC 0.18μm CMOS工艺,提出了一种1.115 G的电感电容压控振荡器电路设计方案,利用Cadence中的Spectre RF对电路进行仿真。研究结果表明:在4～6 V的电压调节范围内,压控振荡器的输出频率范围为1.114 69～1.115 38 GHz,振荡频率为1.115 GHz时,在偏离中心频率10kHz处,100 kHz处以及1 MHz处的相位噪声分别为-90.9 dBc/Hz,-118.6 dBc/Hz,-141.3dBc/Hz,以较窄的频率调节范围换取较好的相位噪声抑制,从而提高了压控振荡器的噪声性能。     

Analysis and design of an improved servo system for rubidium atomic frequency standard

In this paper, we analyze and design a new type of servo system with noninteger voltage controlled crystal oscillator (VCXO) for rubidium atomic frequency standard (RAFS), which does not require fractional frequency synthesizer. By the establishment of the loop equations with noises and drifts, we prove that all the components of the loop can affect its performance index, and in which, RAFS long-term frequency stability is mainly determined by frequency multiplier, quantum system, and servo amplifier; the short-term one is mostly decided by VCXO. Owing to the elimination of the frequency synthesizer and its additive mixing unit, we can reduce phase noise and stray of the servo system, and it is favorable for miniaturizing the RAFS system. In addition, we adopt some targeted optimization measures to improve the frequency stability index. The good short-term fre-quency stability index is also validated by the test results.     

高压抗噪声干扰MOS栅驱动电路的设计

设计了一种高压抗噪声干扰MOS栅驱动电路,能有效抑制开关转换过程中产生的dv/dt噪声,消除高压电路工作过程中可能出现的误触发,提高系统的稳定性和可靠性.采用共模反馈从而使电路结构简单,同时采用窄脉冲触发式控制降低了功耗.本电路可以集成在高压集成电路(HVIC)中.采用某公司高压600V0.5μm BCD工艺模型,通过Cadence仿真验证表明:本电路可有效滤除dv/dt噪声,被消除的dv/dt噪声最高可以达到60V/ns,同时被消除的失调噪声可以达到20%,保证了高压栅驱动电路稳定、可靠地工作.     

A 160-kilobit molecular electronic memory patterned at 10(11) bits per square centimetre

The primary metric for gauging progress in the various semiconductor integrated circuit technologies is the spacing, or pitch, between the most closely spaced wires within a dynamic random access memory (DRAM) circuit. Modern DRAM circuits have 140 nm pitch wires and a memory cell size of 0.0408 mum(2). Improving integrated circuit technology will require that these dimensions decrease over time. However, at present a large fraction of the patterning and materials requirements that we expect to need for the construction of new integrated circuit technologies in 2013 have 'no known solution'. Promising ingredients for advances in integrated circuit technology are nanowires, molecular electronics and defect-tolerant architectures, as demonstrated by reports of single devices and small circuits. Methods of extending these approaches to large-scale, high-density circuitry are largely undeveloped. Here we describe a 160,000-bit molecular electronic memory circuit, fabricated at a density of 10(11) bits cm(-2) (pitch 33 nm; memory cell size 0.0011 microm2), that is, roughly analogous to the dimensions of a DRAM circuit projected to be available by 2020. A monolayer of bistable, [2]rotaxane molecules served as the data storage elements. Although the circuit has large numbers of defects, those defects could be readily identified through electronic testing and isolated using software coding. The working bits were then configured to form a fully functional random access memory circuit for storing and retrieving information.     

一种新型电荷放大器的设计方法与电路

介绍了一种新的电荷放大器的方法和电路。该电路主要由电流转换电路、恒流源电路、积分电路、模拟开关电路等组成,其突出特点是转换速度快、电路简单及输人信号范围大,适合构建成多路,在传感器测量系统中有着广泛地应用前景。     

采用集成电路控制伺服电机的实验研究

为了简化位置伺服系统的位置控制模板，减少元器件，提高系统的可靠性，介绍了集成电路ＬＭ６２８的功能，并对采用ＬＭ６２８实现伺服电机的半闭环控制进行了实验研究。实验结果表明：以ＬＭ６２８为核心的位置控制模板设计简单，选用的外围元件少，从而提高了系统的可靠性，控制精度达到了数控实际加工的要求，且软件编程简单，易于实现。因此，在实际数控系统中采用高集成度、高性能的专用位置控制电路是可行的。     

电话机免提通话集成电路的特点及常见故障的分析

在比较电话机免提通话集成电路特点的同时,分析了MC34018集成电路的内部工作原理及其常见故障,并优化了与集成块TEA1062共同组成的免提电路的工作流程.     

基于电流的芯片级集成电路故障诊断方法研究

随着芯片级集成电路规模的逐渐增大,电路结构越来越复杂,当前故障诊断方法利用电路状态对电路故障进行检测,检测精度低。为此,提出一种新的基于电流的芯片级集成电路故障诊断方法。选择动态电流对芯片级集成电路故障进行诊断,通过Haar小波函数对芯片级集成电路进行预处理。介绍了多重分形理论基础,给出动态电流多重分形谱的计算方法。针对正常芯片级集成电路的动态电流信号求出其多重分形谱,选择一组测试向量对待测芯片级集成电路进行动态电流检测,对得到的数据进行小波变换处理,求出不同尺度下动态电流小波系数的模极大值。依据小波系数模极大值求出多重分形谱,通过其和正常电路多重分形谱之间的差异判断该电路是否存在故障。实验结果表明,所提方法诊断精度高。     

MOS晶体管模型参数提取的实验方法探讨

基于CMOS（互补金属氧化物半导体）的集成电路设计在当今集成电路设计中占有很大的比重,MOS晶体管作为CMOS集成电路中最基本的元件之一,其参数的提取在计算机辅助分析中是不可缺少的关键环节之一。文章详细讨论了MOS晶体管众多参数提取的理论基础和实验方法,通过该实验方法的学习和应用,可以使学生对MOS晶体管有更深的认识,同时也对CMOS集成电路设计打下扎实的基础。     

基于MO-CCCDTA电控调谐电流模式比较器及其应用

提出将MO-CCCDTA应用于非线性区的思想.先分析MO-CCCDTA的开环电流特性,并给出电流模式单限比较器.后给出基于MO-CCCDTA的电流模式滞回比较器.最后以此为基础,给出一个电流模式方波振荡器及其电路参数.该电路仅由2个MO-CCCDTA和1个接地电容组成,因而适宜集成,振荡频率和幅度能独立地电控调谐.计算机仿真表明电路正确有效.