新型高频电子管毫伏表

一种可广泛用于制造厂、实验室及修理部门作测量正弦波电压的有效值和对无线电收讯机、放大器、振荡器等设备的电路进行测量的新型仪器——GB—10型高频电子管毫伏表,在绍兴市三五仪表厂研制成功。最近,绍兴市科委、市机电公司联合主持,通过鉴定。GB—10型高频电子管毫伏表是在该厂生产的 GB—90电子管毫伏表基础上,根据     

金属探测仪

上海第十八棉纺织厂在1968年在浆粕二厂大力帮助下,搞了一台电子管金属探测仪,经过长期实践,证明效果良好。但此仪线路复杂,体积又大,电子管容易老化,维修困难等缺点。随着晶体管广泛应用,在有关单位协助下,他们用晶体管来代替电子管,经过初步试验,性能稳定,灵敏度也达到了设计上的要求。     

简易毫伏表

许多万用表交流电压档的最低量程是10伏,如果用它测量半导体收音机的输出电压,则表针摆动幅度太小,不易观察。现将万用表改制成简易“毫伏表”,用它测量半导体收音机的输出电压,观察比较方便。下面就来介绍这种毫伏表。电路如图1所示:a b两点接在收音机的喇叭上,这里的二极管最好选用2AP9或2AP10,电解电容器的容量选10μ——30μ,额定工作电压不限,万用表选用直流电压2.5V、3V等挡,如果电表只有0.5V档,串联上一只三倍或四倍于电表该档内阻的电阻也很适用。     

基于聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)和多壁碳纳米管的超疏水性钠离子选择性电极

全固态离子选择性电极被广泛应用于食品工业，用来检测金属离子的浓度，但目前全固态离子选择性电极传感器存在双电层电容较小、电荷转移电阻大、容易造成电极生出水层、线性响应不够理想的问题，从而影响检测精度。本文在金电极顶部沉积聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)和多壁碳纳米管的纳米复合材料作为离子电子转换层，以增强电学和电化学特性，最后滴铸上钠离子选择性膜混合物，形成钠离子选择性电极。以此开发出来的电极大大改进了电子电荷转移能力和电导率，显示出了优异的电化学性能。循环伏安法和电化学阻抗测试的结果表明，电极在10^-6～10^-1M的范围内表现出58.16 mV/decade的出色灵敏度，检测下限为10^-6.5 M,并具有快速响应(<10 s)能力。新开发的电极具有超疏水性，静态接触角达到了141.2°,在抗干扰测试中表现出了优异的性能，具有良好的稳定性。     

晶体管毫伏表和万用表交流电压档性能比较及选用

通过晶体管毫伏表和万用表交流电压档的电路结构，分析其性能的不同，说明测量交流电压，应根据被测范围及对误差的要求，合理选择测量仪器。     

1904·弗莱明·电子管

时光倒退几十年,人们使用的大都还是电子管收音机:打开电源开关,要等1分多钟,收音机才会慢慢地响起来。这种收音机普遍使用五六个电子管,输出功率只有1瓦左右。但是,就是这种简陋的、功能有限的收音机,给当时的人们带来了无穷的欢乐。 说起电子管,我们首先得从“爱迪生效应”谈起。爱迪生这位举世闻名的大发明家,在研究白炽灯的寿命时,在灯泡的碳丝附近焊上一小块金属片。结果,他发现了一个奇怪的现象:金属片虽然没有与灯丝接触,但如果在它们之间加上电压,灯     

单边带接收机中前端宽带高频放大器的研制

目前宽带放大器已在很多地方替代了调谐放大器,这样可使繁琐复杂的调谐设备大大简化,自动化程度大大提高,尤其在通信设备和其他电子设备日益趋向小型化,自动化的时代,宽带放大器的应用就更加广泛了。由于场效应管的迅速发展,它在宽频带高频放大器的器件选择上,越来越受到重视。它在很多地方优于电子管和双极晶体管。比如它的输入阻抗高,动态范围大,噪声系数低、等都相似于电子管,而耗电少、体积小、电源电压低、寿命长等又相似于晶体管。在抗幅射方面的优点也是晶体管所不具备的。虽然场效应管有很多优点,但目前国产商频大功率,高跨导的管子尚没有,因而限制了场效应管宽带放大器的应用。我们试用3DJ7和3DJ30二种型号的管子分别来作单边带接收机前端电路中的宽频带高频放大器。经过合理的设计和调试基本上达到了整机给定的指标。本文将主要介绍单边带接收机前端电路采用宽带高频放大器的必要性及其特点,以及设计这种放大器的方法和调试结果。同时介绍一下我们用3DJ7和3DG81制作的宽频带高频放大器,和有关宽带放大器中传输线变压器的实测数据,可供从事研制收发信机的同志们参考。     

In2O3纳米线阵列的合成及表征

采用SBA-15硬模板复制技术合成纳米In₂O₃样品, 并用X射线衍射（XRD）、 扫描电子显微镜（SEM）、 紫外可见光谱对样品的晶体结构、 晶粒尺寸、 形貌及带隙宽度进行测试, 分析样品的纳米结构对气敏性能的影响机制. 结果表明: 样品为纳米线阵列结构, 三维In₂O₃纳米线阵列结构由粒径约为15 nm的单晶近球形In₂O₃颗粒规则有序排列组成, 间距约为1 nm, 带隙宽度为3.63 eV; 当温度为320 ℃, 乙醇气体在空气中的体积比为10^-4时, 其灵敏度达42.3. 该纳米结构样品明显优于相同级别纳米颗粒和纳米介孔材料的气敏性能.      

用于液晶显示驱动电路的非晶硅薄膜晶体管

本文报导了用于液晶平面显示板的非晶硅薄膜晶体管的研制结果。晶体管的断态电流<10~(11)A,通态与断态电流比>10~5,开启电压约为5 V。并对影响晶体管参数性能的主要因素做了分析和讨论。     

结合晶体管版图效应分析的模拟集成电路设计

为了实现模拟集成电路版图设计的自动化,提出一种称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管阵列的版图布局方法。90 nm/1. 2 V互补式MOS的测试元件组(TEG)芯片被开发用以实验采样,芯片搭载多种导电沟道分割形式的多指栅晶体管,晶体管在电路的版图设计中以不同的布局形态呈现。这些晶体管的电气参数被测试并抽取,用以分析和评价其直流性能。以二级模拟运算放大器为实验电路,分别采用晶体管阵列和全定制方式进行版图设计,从工艺波动性和版图面积两方面进行对比。成品实测结果表明:以晶体管阵列方式实现共源共栅运放电路时,10枚TEG芯片的平均失调电压为4. 48 m V,对比手工版图的5. 59 m V,抗波动性能约提升了20%,显示了晶体管阵列版图设计方法的有效性。     

硒化铅量子点/石墨烯可见光敏晶体管的研究

石墨烯晶体管以其高载流子迁移率和宽波长范围光吸收在光探测方面得到了广泛研究.然而石墨烯极低的光吸收率限制了其响应灵敏度.以溶液法用氧化铅、硒粉、TOP为反应物一步合成硒化铅量子点,与湿法转移的单层铜基底石墨烯复合,制备硒化铅量子点/石墨烯光敏晶体管,利用石墨烯的高迁移率和量子点对光的高吸收效率提高晶体管的光响应,测试表明晶体管对波长370 895 nm范围内的光均有良好响应,在波长540 nm光强0.528μW/cm~2下的响应率达到了10~6A/W.     

Fe(Ⅲ)掺杂对W18O49超细纳米线结构和气敏性能的影响

针对纯氧化钨纳米材料丙酮传感器存在灵敏度低、选择性差、检测温度高等问题，通过简单的溶剂热法制备Fe掺杂氧化钨(Fe-W₁₈O₄₉)超细纳米线，优化氧化钨材料对丙酮的敏感性能. 结果表明:Fe(Ⅲ)的掺杂不仅抑制了W₁₈O₄₉晶相向WO₃晶相的转化，起到了稳定W₁₈O₄₉晶相的作用，而且优化了其气敏性能. 当掺杂比n(Fe)/n(W)为0.10时，其气敏性能最佳. 该材料在最佳工作温度(220 ℃)下对丙酮(体积分数为5×10-5)的灵敏度达11.4，响应/恢复时间为14/16 s，并且对丙酮有很好的选择性.     

3DOV型VMOS高频功率晶体管的研制

本文给出了所研制的双扩散垂直沟道3DOV型高频功率场效应晶体管的设计原理、公式和基本工艺要则。列举了器件的主要性能和试用情况。器件具有高频性能好,可使用动态范围大、栅击穿电压高等特点。     

动圈式信号器零位补偿原理

一、问题的提出数年来,我们在研制动圈式信号器中,达到了灵敏度较高(3.6伏/度或1.8伏/度),零位信号较小(一般小于l毫伏,在实验室中能达到0.01毫伏。)的技术要求,满足了陀螺仪和加速度表的需要。提高灵敏度的问题是在信号器设计中解决的,这里就不多谈。现在重点分析如何减小零位信号的问题。从前曾出现了如下一些现象,促使我们对信号器零位补偿原理进行了某些探讨。这些现象是:     

基于网状硒化钼和杂交链式反应高灵敏检测DNA

用水热法合成了网状硒化钼纳米,将其和纳米金修饰于玻碳电极表面,固定上DNA探针后结合杂交链式反应构建了一种新型信号放大型电化学传感器,用于特定DNA序列的超灵敏检测.硒化钼纳米片具有好的导电性能和大的比表面积,结合杂交链式反应的信号放大作用,可显著提高检测灵敏度.用于DNA检测,其线性范围为1.0×10-10~1.0×10-14mol/L,信噪比等于3时,检出限为8×10-15mol/L.该传感器可区分三碱基错配的DNA和单碱基错配的DNA,具有较高的选择性.     

1000W,125kc 晶体管丁类功率放大器的研制

一概述某些水声设备可能工作在比较高的超声频率,因而对水声发射设备提出了高频率、大功率、高效率等要求。由于可控硅的关断时间比较长,可控硅逆变器工作于100kc 以上已比较困难,而且电路也很复杂。所以高频率、大功率的发射设备中仍常常用到电子管。近年来,随着电子工业的发展,大功率晶体管的性能得到很大的改进。晶体管功率放大     

用延迟效应分析晶体管LC振荡器

一、引言目前,晶体管自激振荡电路引起了人们广泛的兴趣,并且已经在许多方面获得了实际的应用。但是,对它的分析工作以及电路中实际过程的研究还远不及电子管振荡器来得深入。现在,最普遍的是采用网络分析的方法来讨论。这种方法的确解决了一些计算和分析上的问题,但对电路中的物理过程反映得不够明确,若要求更进一步地考虑晶体管的非线性效应,则将变得十分复杂。因此,近年来有些人已开始用一般的振动理论方法,通过微分方程(线性的或者非线性的)来讨论晶体管的自激振荡特性。不过,大部分分析仅限于电路在低频时的工作情况。因为,在这些讨论中并未考虑到晶体管中的载流子扩散时间以及发射极结和收集极结电容的影响,即未考虑到出现在集电极和发射极间的相移效应。所以,当接近于晶体管最高振荡频率附近时电路的性能是无法决定的。为了反映晶体管的这个特性,通常以复数形式来表达它的电流传输系数:     

数字储存示波器

英国的韦尔登、萨福隆仪器商行最近研制了一种新型的示波器——“MS—1650型数字储存示波器”。这种示波器的主要特点是信号波形可以储存在一个容量为1024字,字长8比特的储存器中。当把MS—1650型示波器作为普通示波器使用时,具有一个从0到10兆赫的频带宽度,其输入灵敏度为10毫伏/分度,最大写入速度为微秒/字。并且模拟输入信号在任何时间都可以取样。由模拟     

全固态DM中波发射机的防雷保护

全固态PDM中波广播发射机由于全部采用了晶体管器件,整机效率比传统的电子管乙类屏调发射机提高了25%～30%,但由于晶体管器件对瞬态过电流、过电压的承受能力不及电子管,因此,全固态PDM中波广播发射机的抗雷击性能比较弱,对全固态PDM中波广播发射机天线及天调网络应采用多重防雷保护措施。     

从收音机组装实训中试析电子元件的检测方法

收音机组装实训是大中专院校电工电子学的重要实训,而在收音机组装前对电子元件的检测至关重要。本文主要分析了用万用表如何检测实训中所需的电阻器、电容器、电感器和晶体管。