臭氧氧化法制备镍（Ⅳ）高碘酸盐配合物

臭氧氧化法制备镍（Ⅳ）高碘酸盐配合物吴明女每龙军彪李秀玲黄爱红罗裕基（中山大学化学系，广州５１０２７５）关键词镍（Ⅳ）高碘酸盐配合物，臭氧氧化，电子光谱分类号Ｏ６１１．４近１０年来特异高价态化合物的合成和性质的研究倍受化学家和物理学家的重视［１～４...     

碲酸合铜（Ⅱ）和高碘酸合铜（Ⅱ）配合物的性质和电化学氧化

测试了碲酸合铜（Ⅱ）和高碘酸合铜（Ⅱ）配合物的电子光谱、电子顺磁共振谱、Ｃｕ２ｐＸＰＳ，并给出了配合物溶液中“Ｃｕ（Ⅲ）／Ｃｕ（Ⅱ）”对的循环伏安图．由电子光谱求得其八面体场强参数Ｄｑ值分别为１３５０ｃｍ－１和１４５０ｃｍ－１，结合电子顺磁共振谱、Ｃｕ２ｐＸＰＳ，探讨了配合物中铜与氧之间的化学键性质，确证了Ｃｕ－ＯＩ键的共价性强于Ｃｕ－ＯＴｅ键，高碘酸根对铜（Ⅱ）具有更强的配位能力．基于“Ｃｕ（Ⅲ）／Ｃｕ（Ⅱ）”对的循环伏安图，在碱性溶液中，用电化学法成功地将二价铜氧化成三价铜．     

二高碘酸合铜(Ⅲ)配离子氧化乙醇的动力学及机理

研究水溶液中二高碘酸合铜（Ⅲ）配离子（ＤＰＣ）的稳定性,以及水溶液中ＤＰＣ对乙醇的氧化机理,考察乙醇浓度、高碘酸根浓度、氢氧化钾浓度,离子强度和温度等对ＤＰＣ氧化乙醇的影响,结果表明,在采用的具体实验条件下,反应对ＤＰＣ为一级,准一级速率常数ｋｏｂｓ与乙醇浓度有良好的线性关系,ｋｏｂｓ随着高碘酸根浓度的增大而减小,随着ＫＯＨ浓度的增大而增大;ｋｏｂｓ的倒数与ＫＯＨ浓度的倒数也有良好的线性关系,而离     

草酰胺衍生物桥联的双核铜（Ⅱ）配合物的合成及电化学性质

合成了2种新型的二环乙酮草酰二腙（BCO）桥联的双核酮（II）配合物[Cu2(BCO)(ClO4)2L2]（ClO4)2,其中L1,10- 洛啉（phen)和5－硝基－1,10－邻菲咯啉（NO2phen),经元素分析,摩尔电导以及红外光谱和电子光谱等方法对这些配合物进行了表征,推定了配合物的组成和结构,并用循环安研究了配合物[Cu2(BCO)(ClO4)2(phen)2](ClO4)2(1)的电化学性质。     

铜与8-羟基喹啉配合物的电化学研究

利用循环伏安法研究了铜与8-羟基喹啉形成配合物的氧化还原性质和配合反应机理。讨论了不同配比配合物的配位情况,得到以各种不同配比下的铜与8-羟基喹啉电化学性质的关系曲线。在优化的实验条件下;pH=5.2(Na2HPO4-柠檬酸),静止时间80 s,吸附时间3 min,扫速0.05 V/s,铜与8-羟基喹啉形成的配合物具有一定的电化学活性,主要为1∶1配合。在0.154 V和0.60 V附近出现2个氧化峰,当配体量较小时,0.154 V处生成铜(Ⅰ)-8-羟基喹啉络合物,平衡常数为869,为表面控制。随着配体量的增大,在0.6V处出现铜(Ⅱ)-8-羟基喹啉络合物的氧化峰,平衡常数为2.41×107,为表面控制。     

双核铜配合物的合成,结构和性质研究

室温下,在配体存在下,通过氧化加成反应合成了双核铜配合物「Ｃｕ（Ｃ６Ｈ５ＣＯＯ）２（Ｌ）」２,Ｌ＝Ｃ５Ｈ５（ＮＯ（１）,４－ｍｅｔｈｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ（２）,２,６－ｂｉｍｅｔｈｙｌｐｙｒｄｉｎｅ（３）,「Ｃｕ（Ｃ６Ｈ５ＣＯＯ）４（ｄｐｐｅ）」（４）,ｄｐｐｅ＝双二苯基膦乙烷,以元素分析、电导,热重－差热分析、红外光谱,磁图二色性等对配合物进行了表征,并经Ｘ－射线单晶结构分析,确定了配合物（１）     

电位调控铜-组氨酸配合物切割DNA的研究

利用循环伏安方法研究了Cu(Ⅱ)和L-组氨酸形成的配合物与DNA的相互作用.在DNA存在下,配合物的循环伏安曲线上峰电位的移动和峰电流的改变表明:Cu(Ⅱ)-L-组氨酸配合物能与DNA发生键合作用,结合到DNA的分子上.在生理pH值和室温条件下,通过电位调控,该配合物能有效地切割DNA.在电位调控配合物切割DNA的过程中,氧起到了关键的作用.只有当电位足够负,能使Cu(Ⅱ)-组氨酸配合物在电极上被还原,DNA才能被有效的切割.一些羟基自由基捕获剂对配合物切割DNA有抑制作用.这些实验结果表明:Cu(Ⅱ)-氨基酸配合物对DNA的切割机制主要是通过反应中产生的羟基自由基进攻DNA核糖环上氢或氧化碱基,导致DNA链的断裂.     

三元铜配合物配体间相互作用

在温度２５ ±０ ．１ ℃,离子强度为０ ．１ ｍｏｌ／ Ｌ 的３０ ％ 乙醇水介质体系中,测定了四种氨基酸酸解离常数及其铜配合物的稳定常数．讨论了配体间相互作用对金属配合物的稳定性的影响,并给出了三元配合物可能存在的结构模型     

羧酸桥联双核铜配合物的合成与表征

本文以金属铜粉为起始原料,利用氧化加成反应,合成了６个新的羧酸桥联双核铜配合物：［Ｃｕ（Ｃ６Ｈ５ＣＯＯ）２Ｌ］２［Ｌ＝２—氨基吡啶（１）,２—甲基吡啶（２）,２,４,６—三甲基吡啶（３）,三苯基氧化膦（４）,喹啉（６）］和配合物（５）［Ｃｕ２（Ｃ６Ｈ５ＣＯＯ）４（ｄｐｐｅ）］（ｄｐｐｅ＝Ｐｈ２ＰＣＨ２ＣＨ２ＰＰｈ２）,通过元素分析、磁化率、红外光谱、分子量测定、电导测定对配合物进行了表征,并经四圆衍射方法测定了配合物４的晶体结构．     

四氮唑-1-乙酸和1,10-邻菲罗啉为配体的铜配合物合成、结构及理论研究

利用四氮唑-1-乙酸(Htza)和1,10-邻菲罗啉(phen)混合配体与三氟甲基磺酸铜(Cu(CF3SO3)2)在常温条件下反应得到1个单核Cu(Ⅱ)配合物[Cu(tza)(phen)2]2·(CF3SO3)2·0.5H2O(简称配合物1).通过元素分析、红外光谱、单晶X-射线衍射和粉末X-射线衍射对其组成和结构进行了表征.单晶X-射线衍射分析结果表明,配合物1是通过单核阳离子[Cu(tza)(phen)2]2+和CF3SO3-阴离子之间的静电引力,1,10-邻菲罗啉芳香环之间的π-π堆积作用,以及四氮唑杂环与晶格水之间的OH幆N弱氢键作用形成的稳定的三维超分子结构.对配合物1的电化学性质进行了初步研究,并利用量子化学计算对配合物1金属离子的六配位畸变八面体构型进行了理论研究.     

碘酸与高碘酸依次测定法的研究

本文报导在碘酸和高碘酸混合液中，依次在隐蔽剂钼酸钠和解蔽剂草酸的存在下，用硫代硫酸钠标准溶液滴定，分别测定碘酸和高碘酸含量的分析方法。实验结果表明，该方法具有操作简便，分析快速，结果准确、可靠等特点，在适当场合可作为分析方法使用。     

IO3-与IO4-共存体系的氧化还原滴定分析法

IO3^-和IO4^-共存体系中IO3^-、IO4^-的定量分析所用分步滴定法操作繁琐，故提出共存体系的氧化还原滴定法。在碘量法分别测定IO3^-、IO4^-的基础上，利用MoO4^2-作为IO4^-的掩蔽剂，在IO3^-与IO4^-共存体系中采用氧化还原滴定法测定IO3^-和IO4^-。此分析方法的δ＊IO3^-)＝0．716％，δ（IO4^-)=0.127%，分析结果表明，该方法实用、简便、可靠。     

一种定量测定多糖高碘酸氧化产物的新方法

多糖的高碘酸氧化产物的酸水解物与2,4-二硝基苯肼作用可形成一种稳定的蓝黑色化合物。在550nm处有最大吸收。光吸收与浓度之间有着良好的线性关系。与其它显色方法相比,其灵敏度高,重复性好。是一种快速比色测定多糖的高碘酸氧化产物的新方法。     

过渡金属高碘酸络合物

对过渡金属高碘酸络合物进行分类，分析这些络合物的制备，组成和结构，介绍某些过渡金属高碘酸络合物的电子光谱、红外光谱和核磁共振谱，结合普经开展过的稀土讥碘酸络的的合成工作，谈了一些体会。     

平面微带阵列电极的电化学特性研究

对以微电子薄膜技术制作的平面微带阵列电极（MAE）进行了电化学特性的研究，考察了该电极在铁氰化钾溶液中的伏安特性和计时电流特性．实验表明，由于边缘效应的作用，MAE具有比常规铂电极高得多的电流密度，传质能力高于转速为7600r／min的旋转圆盘电极；由于MAE中各微带电极的间距较小，导致微带电极间扩散层交叠，边缘效应的作用随之减小，因而其伏安行为与单个微电极呈现差异．测得的计时电流值与按微带电极的扩散理论和Cottrell公式理论计算值进行了比较，推测了产生偏差的原因．应用MAE电极进行了物质扩散系数的测定．     

电化学沉积法制备Cu_2O/CS纳米复合材料的机理研究

采用沉淀析出法,通过加入去溶剂化试剂硫酸钠制备壳聚糖(CS)纳米粒子;通过电化学沉积法制备了Cu2O/CS纳米复合材料.研究表明,随着反应条件的改变,Cu2O能够在CS纳米颗粒上形成针状或球形等不同形貌.电化学沉积机理通过透射电子显微镜、X射线光电子能谱技术对二者的结合机制进行了探讨,为Cu2O/CS纳米复合材料的制备和应用研究提供了理论依据.     

酸性介质中铜阳极溶出和阴极沉积过程的EQCM研究

运用电化学循环伏安和石英晶体微天平(EQCM)方法研究了酸性介质中铜阳极溶出和阴极沉积过程.结果表明:铜阳极溶出和阴极沉积过程都只有一个电流峰,其M/n分别为32.0和34.2g/mol,且都是一个2-电子过程.在目前实验条件下,并未检测到Cu(Ⅰ)中间产物,这与极谱研究酸性硫酸盐溶液中Cu2 只有一个极谱波相一致.本文从电极表面质量定量变化的角度提供了Cu阳极溶出和阴极沉积过程的新数据.     

电化学沉积法制备Cu2S薄膜及EPIR效应

以Na2S溶液为沉积液,在一定的温度、pH值、电压和时间下,采用电化学沉积的方法,在铜衬底上生长出一层质地均匀的蓝色Cu：s薄膜．通过XRD及SEM对样品的化学成分及表面与截面形貌进行表征,对G/Cu2S/Cu/Ag结构进行直流I-V及电脉冲诱导电阻转变（EPIR）效应测试．结果表明Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的Ag/Cu2s结点处存在明显的EPIR效应,而且相对于单个Ag/cu2s结点而言,Ag/cu2S双结点具有更大的结点电阻且EPIR效应更明显．另外,Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的EPIR效应还与测量的脉冲参数和测量温度有关．对于本样品而言,最佳测量温度为室温,脉冲宽度t0为0．00018．     

变价金属配合物的氧化还原电位及其在分析化学中的应用

阐述变价金属元素形成配合物后电位变化规律。邻二氮菲、联吡啶与铁、钴、钌等变价元素形成配合物，低价态呈稳定态，电对电位升高，且高低价态配合物颜色有明显差异，使之在光度分析，氧化还原滴定中获得重要应用。     

P型和N型Cu_2O薄膜的电化学制备

以FTO玻片为基底,在不同pH值下采用恒电位电化学沉积法制备Cu2O样品.利用XRD、SEM、EDS对样品的相组成、晶体结构、微观形貌和化学成分进行了表征,并对Cu2O薄膜的光电性质和载流子类型进行了测量和分析.结果表明Cu2O薄膜的半导体性质与所用电解液的酸碱度有关,在酸性条件下,如pH=4,5时制备的Cu2O薄膜为N型半导体,在中性和碱性条件下,如pH=6,7,8,9,10,11时,制备的Cu2O薄膜为P型半导体.实验结果对制备N型Cu2O以及Cu2O的PN型同质结提供了一种有效方法.