CO／CO^＊在金属Pd和Rh表面上的气相—表面交换…

基于易位吸附模型推导出了化学吸附和交换动力学的解析表达式，这些动力学方程可从理论上剖析强化学吸附分子的压强促进脱附速度与其吸附过程之间的关系。本文作完满解释了ＣＯ／ＣＯ在Ｐｄ（１１１）和Ｒｈ多晶表面上的气相，表面交换动力学特征，并强调指出在实验温度和气相压强范围内ＣＯ在Ｐｄ表面上强弱吸附动态的动力学性质差别明显，文中还易位吸附模型和化学吸附的前驱态理论之间的一致性进行了探讨。     

O在Pt/Si上的化学吸附对Pt/Si界面能的影响

本文在一维紧束缚近似下,利用格林函数方法和复能积分技术,研究了O在Pt/Si上的化学吸附对Pt/Si界面能的影响。分别以有限d轨道链模型和半无限的sp杂化轨道链模型来描述金属Pt和衬底Si,计算了O在吸附前后Pt/Si界面能随界面耦合强度γ的变化关系。结果表明O的吸附导致Pt/Si界面能降低。     

CO在双金属催化剂上的化学吸附

本文用Anderson-Newns模型及一维紧束缚近似,研究了CO在双金属催化剂Pd/Cu上的化学吸附.通过对CO-Cu及CO-Pd/Cu两个不同吸附系统的电荷转移和化学吸附能的计算比较,结果表明,由于Pd在Cu上的覆盖,改变了CO和衬底之间的电荷流向,从而加强了对CO的吸附作用,改善了催化剂对CO的催化性能.     

Pt在DBA表面的化学吸附能和电荷转移

采用格林函数方法和Anderson Newns(AN)模型研究原子Pt在无序二元合金(DBA)表面的化学吸附能和电荷转移,其中普遍的去耦合方法被采用以消除Pt的不同d电子之间通过与DBA表面相互作用而产生的耦合效应·结果表明:Pt对DBA表面偏析有很大的抑制作用;化学吸附系统Pt/NixCu1-x随Ni的体内原子分数的增加而趋于稳定·化学吸附促进了吸附离子Pt与合金衬底间的电荷转移浓度·     

减弱CO在Pd金属表面吸附的方案

对Pd原子采用相对论有效原子实势（RECP/SDD）,C、O原子采用6-311＋＋G^＊＊基函数,利用B3LYP方法计算了PdCO分子的微观结构以及不同温度下的热力学函数.以气态分子总能量中的振动能EV代替该分子处于固态时的振动能量,以电子运动和振动运动熵SEV代替分子处于固态的熵的近似方法,计算了不同温度下金属Pd与CO反应的两种可能产物Pd-CO（s）和Pd-OC（s）的ΔH^Θ、ΔS^Θ、ΔG^Θ及反应平衡压力,导出了反应平衡压力与温度的关系,证实CO吸附以C端接近Pd.比较Pd-CO（s）、PdH2（s）和PdN2（s）的Gibbs自由能ΔG^Θ,可得到在常压及298.15-898.15K温度条件下,吸附平衡压力pCOKp（H2）〉Kp（N2）,由此证实CO较易被金属Pd表面吸附.为了减弱钯合金膜对CO的吸附,提出加外电场改变CO分子的排列方向使O原子接近膜表面的方案.     

CO在铑上化学吸附的量子化学

用SCC-DV-X_a 法计算CO在金属氧化物助催的铑上的化学吸附。结果定量地证明了Blyhoider 关于CO 在过渡金属上化学吸附模型的正确性。含亲氧性助催剂有利于CO在铑表面的倾斜吸附。金属氧化物助催剂的主要作用在于促进铑反馈电子到CO的2π反键轨道,削弱C—O键,促进了CO的活化。     

固体表面自由能及其分量的计算方法（Ⅰ）：接触角法

介绍用接触角法，计算固体表面自由能及其分量。     

CO／CO^＊在金属Pd和Rh表面上的气相—表面交换…

用同位素切换法研究了在Ｐｄ（１１１）和Ｒｈ多晶表面上ＣＯ／ＣＯ的气相－表面交换动力学，实验发现了交换速度与吸附脱动力学之间的某些重要联系，并采有易位化学吸附模型提出了能够成功解释实验结果的协同交换机理。     

杂质对ZnO/Ni反担载催化剂表面H化学吸附的影响

本文在紧束缚近似下，利用格林函数方法和ＥＳ化学吸附理论研究杂质对Ｈ在反担载催化剂ＺｎＯ／Ｎｉ表面化学吸附的影响。研究结果表明，微扰Δε＜０的杂质削弱化学吸附，Δε＞０的杂质增强化学吸附，并且杂质位于载体第一层时对化学吸附影响最大。     

关于CO在含Ru二元无序合金表面化学吸附稳定性的研究

本文采用Ｓｕｌｓｔｏｎ等人发展的一维紧束缚半无限二元无序合金模型（ＤＢＡ）和格林函数方法,在相关势近似（ＣＰＡ）下利用Ｅｉｎｓｔｅｉｎ－Ｓｃｈｒｉｅｆｅｒ（ＥＳ）化学吸附理论,通过ＣＯ分别在ＣｏＲｕ、ＲｕＮｉ及ＲｕＣｕ合金表面吸附能的计算,讨论了ＣＯ在以上３种合金表面化学吸附的稳定性．结果表明：（１）ＣＯ在ＣｏＲｕ合金表面化学吸附稳定性随Ｒｕ含量的增加而降低,近似呈线性变化;（２）ＣＯ在ＲｕＮｉ表面的化学吸附,在Ｒｕ含量小于２０％情况下,吸附稳定性随Ｒｕ含量的增加而增加．当Ｒｕ含量大于２０％而继续增加时,吸附稳定性呈减弱趋势;在Ｒｕ与Ｎｉ含量比例为２８处,吸附最为稳定．（３）ＣＯ在ＲｕＣｕ表面化学吸附时,对应Ｒｕ与Ｃｕ含量比例为６４化学吸附能有一最大负值,表明此时ＣＯ化学吸附最稳定．     

金属半导体复合体系的化学吸附:H-Ni/ZnO体系

本文利用格林函数方法和Anderson-Newns模型讨论了氢在Ni/ZnO复合休系上的化学吸附性质,用紧束溥近似处理品格原子之间的相互作用.讨论杂质的影响,发现杂质的存在可改变化学吸附能和吸附原子的电荷转移数.     

空位缺陷对过渡金属表面电子态及化学吸附的影响

本文用Ｅｉｎｓｔｅｉｎ和Ｓｃｈｒｉｅｆｆｅｒ的单电子化学吸附理论及Ｙａｎｉｖ的空位理论研究了空位缺陷对过渡金属表面态密度及化学吸附引起的表面态密度变化的影响。结果表明，空位离表面格点愈近，对其表面态密度影响愈大，空位的存在有利于表面复合物的形成。这与实验符合得很好。     

CO在hcp(0001)和fcc(111)面上吸附的间接相互作用

本文采用格林函数方法,用单电子理论在紧束缚近似下研究了一氧化碳在过渡金属六角密排(0001)面和面心立方(111)面上吸附的间接相互作用。计算中采用复能积分方法避免了由于存在分裂态与共振态给计算带来的困难。计算得到一氧化碳在hcp(0001)面及fcc(111)面上的吸附结构。     

Al／BaTiO3／Si结构的湿敏特性

用氩离子束镀膜法制备ＢａＴｉＯ_３／Ｓｉ系统，并在４００－９００℃的温度下用氮气保护进行退火，然后制成Ａｌ／ＢａＴｉＯ３／Ｓｉ的ＭＩＳ结构。用俄歇电子能谱分析ＢａＴｉＯ３膜的化学组分．研究电容－相对湿度和电流－相对湿度特性，以及固定电荷密度对湿敏特性的影响．结果表明，当相对湿度从１２％变化到９２％时，电容量增加４８％到５０％；在３Ｖ偏压下，电流量增加４２０％到４４０％；随着固定电荷密度的减小，吸附响应时间增加，电流变化率减小．