考虑到纵向掺杂分布影响的SOI功率器件完全耐压模型

首先将任意纵向掺杂的漂移区等效为均匀掺杂的漂移区,然后基于二维泊松方程获得了SOI功率器件在全耗尽和不全耗尽情况下表面电场和击穿电压的完整解析表达式.借助此模型对漂移区纵向均匀掺杂、高斯掺杂、线性掺杂和二阶掺杂SOI二极管的表面场势分布和击穿电压进行了研究,解析结果和仿真结果吻合较好,验证了模型的准确性.最后在满足最优表面电场和完全耗尽条件下,得到器件优化的广义RESURF判据.     

电子束辐照对多晶硅太阳能电池电学性能的影响

运用电子束对多晶硅太阳能电池样品按不同剂量进行了分组辐照试验,对辐照前后的太阳能电池片样品的主要电学参数进行了测试;并根据晶体硅太阳能电池电学参数特性对测试结果做了对比分析,得出了电子束辐照后其各主要电学参数的增加或衰减程度。同时,结合多晶硅太阳能电池主要电学参数的理论分析,研究了电子束辐照对太阳能电池样品宏观电学参数的影响,揭示了电子束辐照下多晶硅太阳能电池电学性能退化的原因。     

O形密封圈沟槽底角对密封性能的影响

基于三重非线性理论,运用ANSYS Workbench软件,研究O形密封圈沟槽底角对密封性能的影响。在沟槽底角a分别取80°、90°和100°的条件下,仿真分析了介质压力和摩擦系数变化时O形圈的Von Mises应力和接触压力分布情况,以此为O形圈密封性能的判定依据。结果表明,在一定的初始压缩率(ε=15%)和摩擦系数(f=0.1)条件下,沟槽底角不同时O形密封圈的最大Von Mises应力和最大接触压力都随着介质压力的升高而增大,其中a=80°和a=100°时的Von Mises应力变化基本相同,且始终大于a=90°时的对应值;与其他两种沟槽底角相比,a=100°时O形圈主密封面上的最大接触压力较大,密封性能更好;在一定介质压力下,沟槽底角不同时O形密封圈在3个密封面上的最大接触压力都随着摩擦系数的增大而先降后升,但始终大于介质压力,从而可以确保其密封性能良好。     

功率传输线对GTO关断性能的影响

通过实验和机理分析研究了功率传输线的电感效应。GTO缓冲电路传输线电感对尖峰电压和峰值功耗有着重要的影响。缓冲电阻支路的引线长度是GTO反冲电压的基本决定因素。为此，必须尽量缩短功率传输线的 长度以改善GTO的关断性能。     

微波击穿中压强对电子弛豫过程的影响

通过联立电子密度和电子能量随时间的演化方程构建全局模型,对不同压强下高功率微波(HPM)脉冲氩气击穿及电子弛豫过程进行了研究。计算了不同压强下的氩气击穿阈值,其与粒子模拟蒙特卡罗碰撞(PIC/MCC)法预测的结果符合得很好。通过引入复合率和扩散率的经验表达式,得到了不同压强下,弛豫过程中电子密度和电子能量随时间的变化。结果表明,氩气击穿发生后,电子密度先经历短暂的增长后逐渐下降,且压强越高,电子密度的最高值越低。在电子弛豫过程中,随着压强的增加,电子密度下降得更慢,而电子能量减小得越快。     

器件结构对有机薄膜器件负电阻性能的影响

研究了有机染料掺杂聚合物薄膜器件的J－U特性，发现存在明显的负电阻现象，制备了不同结构的有机染料掺杂聚合物薄膜器件进行了能级分析，表明载流子的不平衡流入对器件J－U曲线负电阻特性影响显著。     

加工参数对热柱蒸发端微沟槽形貌的影响

犁切挤压加工的微沟槽具有很好的强化沸腾及冷凝效果。提出了热柱蒸发端微沟槽加工的实验过程,建立了犁切挤压刀具加工微沟槽的有限元模型。利用deform软件模拟犁切挤压刀具加工热柱蒸发端的正交微沟槽,分析了微沟槽的成形机理。结果表明犁切挤压深度和进给量对微沟槽表面形貌有很大的影响。在加工环状沟槽时表面形成了U形沟槽及V形沟槽。最后加工径向沟槽时表面形成了正交的中间凹陷四周隆起的微沟槽。     

钢成分对沟槽结晶器初生坯壳的影响

连铸坯表面质量与连铸初生坯壳传热状况密切相关。通过建立沟槽结晶器初生坯壳数学模型,计算不同钢成分对沟槽结晶器初生坯壳的传热影响。模拟结果表明,钢成分对沟槽结晶器初生坯壳传热状况有影响,凝固收缩率大,初生坯壳形成时间延迟,温度不均匀度和应力均增加;固液二相区宽,形成初生坯壳时间也延迟,但温度不均匀度和应力减少。形成初生坯壳时间06F最早、Q235次之、45#最晚;温度不均匀度Q235最大、06F次之、45#最小;应力Q235最大、06F次之、45#最小。     

半导体桥长宽比对其发火性能的影响

该文研究了电容放电发火条件下,半导体桥长宽比对其发火的临界电压、发火时间以及发火所消耗的能量等性能参数的影响规律,借助于半导体桥的等离子体发火机理对实验结果进行了分析.结果表明:在半导体桥质量、掺杂浓度相同的条件下,长宽比对半导体桥的发火临界电压影响较小;而半导体桥的发火时间随着长宽比的增加而减小,发火所消耗的能量随着长宽比的增加降低.     

不同表面形式沟槽对集装箱列车气动阻力特性的影响研究

针对铁路单层集装箱表面结构单一、气动阻力特性差等问题,本文设计了适用于集装箱的三角形、梯形、弧形和矩形表面形式沟槽结构.利用ANSYS Fluent软件,采用基于Realized k-ε湍流模型和SIMPLE算法,对比了4种不同表面形式沟槽的集装箱列车模型的气动阻力,结果表明：明线情况下,弧形沟槽结构集装箱列车气动阻力最小;不同表面形式沟槽结构的集装箱列车所受的气动阻力差异主要来自于集装箱;集装箱的压差阻力贡献了主要的气动阻力,弧形沟槽结构集装箱压差阻力最小,而摩擦阻力最大.     

SOI双槽隔离结构的耐压特性

理论推导了绝缘体上硅(SOI)双槽隔离结构的耐压模型.该模型表明,在SOI双槽隔离结构中,因隔离氧化层压降的不均衡,高压侧隔离氧化层提前发生介质击穿,从而导致SOI双槽隔离结构的临界击穿电压小于理论值.增大沟槽纵横比和减小槽间距可以减弱隔离氧化层上压降的不均衡性,提高SOI双槽隔离结构的临界击穿电压.Sentaurus器件仿真软件的模拟结果和华润上华半导体有限公司0.5μm 200 V SOI工艺平台下的流片测试结果均证明,减小槽间距和增大沟槽纵横比是提高双槽隔离结构临界击穿电压的有效方法,同时也证明了该耐压模型的正确性.     

浅论低压无功补偿装置的电气设计

本文主要从无功补偿的定义,特点,作用、主要功能以及系统工作原理等多个方面,详细介绍了低压无功补偿的设计问题,阐述了电气设计的最优化．规范化知识,对于电气施工安装实践具有重要的指导作用。最后本文以青岛市海达仪表厂低压无功补偿装置电气设计方案为例子,对低压无功补偿电气设计的具体应用作介绍。     

基于衬底偏压电场调制的高压器件新结构及耐压模型

提出一种基于衬底偏压电场调制的薄层硅基LDMOS高压器件新结构,称为SB LDMOS.通过在高阻P型衬底背面注入N~+薄层,衬底反偏电压的电场调制作用重新分配体内电场,纵向漏端电压由源端和漏端下两个衬底PN结分担,器件的击穿特性显著改善.求解漂移区电势的二维Poisson方程,获得表面电场和击穿电压的解析式,研究器件结构参数对表面电场和击穿电压的影响.仿真结果表明,与埋层LDMOS相比,SB LDMOS击穿电压提高63%.     

漂移区槽氧高压SOI-LDMOS器件模型

为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折衷,提出了一种漂移区槽氧SOI-LDMOS高压器件新结构．利用漂移区槽氧和栅、漏场板优化横向电场提高了横向耐压和漂移区的渗杂浓度．借助二维仿真软件对该器件的耐压和比导通电阻特性进行了研究,结果表明该器件与常规SOI—LDMOS结构相比在相同漂移区长度下耐压提高了31％．在相同耐压下比导通电阻降低了34．8％．     

光栅调制深度和深度误差对衍射效率影响的理论分析

本文通过对三种典型衍射光栅的透过率函数进行傅里叶级数展开,系统地计算并分析了其衍射效率,并得到了衍射效率的光谱响应和制作误差容限,从而为光栅根据不同需要进行优化设计提供了理论依据。     

球类运动对大学生深度知觉的影响

深度知觉涉及三维空间的知觉,不仅能知觉物体的高度和宽度,而且能知觉物体的距离和深度.提高大学生深度知觉能力是提高大学生紧急避险能力的一个重要方面.经常参加球类运动是否能够提高大学生的深度知觉能力,本文主要采用文献资料法、实验法、数理统计法和逻辑分析法,通过对怀化学院48名学生进行深度知觉的测试与分析,初步探析球类运动对...     

壁电荷对ACPDP中气体击穿电压的影响

用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外加最小维持电压的测量结果计算实际施加在放电气体上的击穿电压,探讨壁电荷电压对放电气体实际击穿电压的影响.实验结果表明:随着ACPDP外加最小维持电压的增加,壁电荷电压升高,气体的击穿电压也随之升高;有壁电荷时的气体击穿电压明显高于无壁电荷时的气体击穿电压,随着壁电荷电压从7.62 V升高到67.89 V,有壁电荷时的气体击穿电压比无壁电荷时的气体击穿电压分别提高了6.98 V到57.09 V;壁电荷增加会显著提高了放电气体的击穿电压阈值,使ACPDP内放电气体的击穿变得困难.     

技术深度对专利价值的影响研究

技术深度反映创新主体在特定技术领域中专门知识和技能的累积程度,已有研究发现不同深度的技术知识对创新过程和创新结果产生影响,技术深度对专利价值的影响机制是一个值得探讨的有趣问题。本研究以2000～2021年USPTO的中国授权发明专利数据为样本,利用相关性分析方法对4种技术深度测度方法进行一致性检验,遴选出Ozman方法,并对技术深度进行测度。在此基础上,使用负二项回归模型,以被引次数为专利价值的代理变量,使用负二项回归模型对技术深度对专利价值的影响关系进行实证研究。结果表明,技术深度对专利价值有显著的正向影响。本研究认为,在培育高价值专利的政策目标下,增加技术深度是另一个重要的政策工具路径,支持“专精特新”企业的创新政策有望诱导技术深度的持续进步和培育高价值专利。     

渠道水深对渠床渗漏量影响研究

基于有压双套环入渗仪进行了渠床入渗试验,分析了渠道水深与渠床土壤入渗能力间的关系并讨论了其作用机理。结果表明:同一土壤质地条件下,渠床土壤入渗能力随渠道水深的增加而增大,90 min累积入渗量和相对稳渗率与水深之间均呈指数关系;随着渠道水深增加,地表入渗界面处压力势增大,是地表处水分运动通量增大,渠道渗漏量增加的根本原因。研究结果可为渠道渗漏损失的计算提供依据。     

沉管基槽开挖对桥墩侧向位移影响的模型试验

为了研究沉管基槽开挖对既有桥梁桥墩侧向位移的影响,确保基槽顺利开挖,以澳门嘉乐庇海底隧道为工程背景,通过模型试验方法对基槽开挖过程中桥墩产生的侧向变形进行研究。研究结果表明,在沉管基槽开挖过程中,基槽开挖中的较大跨径的桥墩侧向位移较大,桥墩的侧向位移随着开挖深度的增大而增大,突发恶劣天气下桥墩位移受影响较大。可见在施工期间应合理控制开挖的深度,减少因开挖深度增加而增加的桥墩侧向变形,并应确保测点布置的稳定牢固,减少环境因素直接对测点造成影响的可能,最后为确保基槽开挖的安全,应在开挖过程中对桥梁变形加强监控。