关于纠两个错误的二元Goppa码的准完备性及其完全译码

本文证明了位置集L=GF(2^m)、生成多项式G(z)=z²+az+b的二元Goppa码,除m为偶数并且S₁=0,S₃=a^-1外,是准完备的.当m为偶数,那末不存在重量不大于3的矢量具有伴随式S₁=0,S₃=a^-1;但至少存在一个重量为4的矢量具有伴随式S₁=0,S₃=a^-1,此外,还给出L=GF(2^m)、G(z)=z²+az+b的二元Goppa码的一个完全译码.     

用电光晶体测量超快电磁辐射脉冲的几个问题

讨论普遍情况下超快电磁辐射脉冲E₀(t)(THz辐射场)及其电光采样测量值E_m(t)的函数关系.并对THz辐射场与飞秒(fs)探测光束在同一介质内传播时的群速度失配以及辐射场自身色散效应的影响作了分析.     

剩余寿命的若干极限性质

设非负随机变量T₁,T₂,…,T_n,…独立同分布,分布函数F为连续,而{N(t),t ≥ 0}是以T₁,T₂,…为相继到达时间而产生的更新计数过程.本文求出了当t ≥ 0,s ≥ 0时,剩余寿命γ(t)与γ(t+s)的联合分布函数以及其混合矩当t,s→∞时的极限性态.结果表明t,s→∞时,γ(t)和γ(t+s)是渐近独立的.     

一类线性时滞控制系统的镇定

本文将Banach空间上的线性时滞控制系统dx(t)/dt=Ax(t)+∑_i=0^k (B_iu(t-r_i))+∫₁⁰ (B(θ)u(t+θ)dθ,t ≥ 0,(0=r₀ < r₁ < … < r_k=r<∞)).     

一个新LiNbO3晶体探测器理论计算方法

对一种新的用于超快电磁脉冲检测的晶体探测器,首次给出一个普遍情况下的理论计算方法,用此方法,不需要将任意辐射场下产生的折射率二次方程标准化,而可以在原主轴坐标系中直接将测量值△φ与辐射场强E₀。连系起来.根据辐射场在晶体中分布与超快脉冲群速度失配,还给出了探测器制作的尺寸要求。     

泛函极值的一种优选法

设F是Banach空间中一个开集上的充分光滑泛函.对方程F"(x₀)=0.     

Na|β-Al2O3|NaxHg1-x固体电解质电池的电动势和低钠汞齐中活度的测量

测量了Na|β-Al₂O₃|Na_xHg_1-x电池的电动势(E),并据此计算了低钠汞齐中钠的活度系数(γ_Na).仔细的数据分析表明,各电池电动势的温度系数在318.15K、333.15K、353.15K和370.85K附近均有微小转折,各温度区间温度系数的差异随x值变小而减小.最后,得出电池电动势、钠的活度系数和钠/以无限稀释汞齐为参考态的假想态钠汞组分电池的标准电动势(E⁰)的实验参数方程式.     

等温衰减电流法及其在有机固体陷阱研究中的应用

从理论和实验技术上讨论了等温衰减电流(IDC)法及其在有机固体陷阱研究中的应用;介绍了根据Simmons等人的理论研制的实验装置:和对几种有机固体薄膜馅阱的研究; 得到了高斯分布型陷阱的峰值能级E_m,分布宽度参数σ,和能态密度N(E),以及载流子热释放的频率因子v等重要的陷阱表征参数.     

适合一切传递函数的插入衰减综合法

将现代网络综合设计的理论和方法——插入衰减综合法从电压传递函数K_v(s)推广到电流传递函数K_I(s)、转移阻抗函数Z_m(s)和转移导纳函数G_m(s),从而使插入衰减综合法适用于一切传递函数.并获得如下重要结论:现有的针对K_v(s)、R₁=R₂=1Ω(归一化阻抗)所制作的各种滤波器设计图表均可用来设计与K_v(s)具有相同传递特性的K_I(s)、Z_m(s)、G_m(s)滤波器。     

构造环和范式的两个改进算法

任一n元布尔函数f(x₁,…,x_n)的环和范式(RNF).     

复合序列的进一步探讨

本文研究了复合序列的伪随机性,探讨了当LSR₁和LSR₂给定,不同的映射γ及抽头得到的复合序列的平移等价条件,并给出GF(p)上复合序列的一些结果.     

渐变磁场下回旋振荡管工作参量的最优化

本文利用最优控制理论研究了渐变磁场下回旋振荡管工作参量及效率的最优化问题.详细推导了回旋振荡管中电子与波互作用的状态方程及其相应的目标泛函、共轭方程和泛函梯度——它们构成了一个完整的最优控制问题.用Goldfarb方法对此最优化问题进行求解,得到大量的优化数据,可用于回族振荡管的工程设计.文中对理论分析结果进行了讨论.     

78K红外吸收法测定硅中氧含量

硅中氧含量的测定是评价硅单晶质量的重要参数之一.用外红吸收法测定硅单晶中的氧含量已有许多报道^[1~5].我们曾建立了300K 9μm红外吸收法测氧标定曲线[6],低温可提高检测灵敏度^[7~10],因此本工作主要是建立较精确的78K红外测氧标定曲线.     

一个非线性色散方程孤波解的性质

大家知道具有松弛效应非均匀介质中的KDV方程为u_t+2au+(α+ax)u_x-6uu_x+u_xxx=0(1.1)     

SOS膜载流子迁移率的纵向分布

对于MOS器件,由于器件的跨导正比于载流子迁移率,因而迁移率(μ)是个首要的因素.SOS膜的载流子除受一般离子散射外还受异质外延所特有的散射而使其迁移率下降.     

X射线粉末衍射法对不同含水量NaY分子筛结构的探讨

对不同含水量的样品,用12kW高功率转靶X射线粉末衍射仪阶梯扫描,收集S(H²+K²+L²) ≤ 384的全部衍射线强度.以傅立叶和差值傅立叶电子密度函数法测定各样品骨架原子、钠离子、水的位置和占有率粗值,再用最小二乘法修正全部结构参数,使R值在0.16以下.由坐标参数计算了晶胞中各离子、原子间的键长数值.     

布尔函数的变元分离分解

对布尔函数的分解问题,该文给出两种分解法,分别适用于以表达式或真值表给出的全定义或部分定义布尔函数.