基于非易失性存储器的存储系统技术研究进展

 非易失性存储器（NVM）主要包括两类,即适用于外存的、块寻址的闪存和适用于内存的、字节寻址的持久性内存。相比于传统磁盘,闪存具有性能高、能耗低和体积小等优势;相比于DRAM（动态随机存储器）,持久性内存如PCM（相变存储器）、RRAM（阻变存储器）等,具有非易失、存储密度高以及同等面积/内存插槽下能给多核环境的CPU 提供更多的数据等优点,这些都为存储系统的高效构建带来了巨大的机遇。然而,传统存储系统的构建方式不适用于非易失性存储器,阻碍了其优势的发挥。为此,分析了基于非易失性存储器构建存储系统的挑战,从闪存、持久性内存两个层次分别综述了它们在存储体系结构、系统软件以及分布式协议方面的变革,总结了基于非易失性存储器构建存储系统的主要研究方向。     

铁电场效应晶体管:原理、材料设计与研究进展

系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理，重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、目前所研究的主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能．并介绍了关于FeFET研究的一些最新的进展如基于FeFET的FeCMOS逻辑电路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和有机半导体的FeFET的一些最新研究成果．最后对FeFET的未来研究发展趋势作出一些展望．     

用于非易失性存储器的纠错码

1948年克劳德香农在《贝尔系统技术杂志》上发表了题为“通讯的数学理论”的文章,该文章宣告了两个孪生的学科：信息理论与编码理论的诞生。它给出了有效和可靠信息的意义,并且第一次使用了“比特”这个术语。     

美国研发出加密硬件可以确保非易失性存储器应用安全

采用非易失性主存储器（NVMM）为主存的计算机会大大减少计算机的开机时间,提升存储能力,而且非易失性存储器在断电后仍能存储数据,因此拥有巨大的应用潜力。但是,NVMM即使有切断电源后,存储内容也不会消失仍然继续保持。使用传统动态随机存取存储器（DRAM）为主存的计算机在关闭后无法存储数据,     

一种新型非易失性存储器——相变存储器

非易失性存储器在数字系统中扮演着重要的角色,其特点是断电后可以继续保存数据,相变存储器（Phase—Change Memory,VCM）由于其高密度、低功耗、工艺兼容等特点成为了下一代存储器的有力候选之一,引起了广泛的注意。本文主要介绍了当前相变存储器的研究现状．并对特定结构的相变存储单元进行了相变行为的计算机仿真。     

一种可以表征铁电晶体管存储性能退化的宏模型

从铁电晶体管的动态翻转和双阈值转移特性出发, 建立了一种基于施密特触发器的FEFET(铁电场效应晶体管)行为级宏模型。该宏模型可以表征FEFET的转移特性, 并且模型参数较少便于调节; 模型结构简单、规模较小, 可用于HSPICE 电路模拟。模拟结果与FEFET实验结果比较, 显示该模型能够很好地反映铁电材料的疲劳等因素引起的FEFET的存储性能退化, 为FEDRAM(铁电动态随机存储器)设计和优化提供了一个良好的模型基础。     

首个塑料计算机存储器演示成功

今年8月美国科学家演示了世界上第一个塑料计算机存储设备。该设备利用电子自旋来读写数据，能以更小的空间存储更多数据，处理程序更快而且更加节能。科学家称这种材料为“杂交半导体”，由有机材料和一种称为三氰基甲基钒（vanadium tetracyanoethanide）的特殊磁聚半导体制成。