三维Hubbard—Hirsch模型的铁磁性

应用么正变换微扰论和平均场近似研究了三维Ｈｕｂｂａｒｄ－Ｈｉｒｓｃｈ模型铁磁性。发展单中心积分常数Ｕ太小或太大时，只有双中心的交换积分常数Ｊ＾ｎ〉Ｊ＾ｎｃ〉０，才可能有铁磁性。     

一维Hubbard－Hirsoh模型的铁磁性

应用么正变换微扰论和平均场近似研究了一维Ｈｕｂｂａｒｄ－Ｈｉｒｓｃｈ模型的铁磁性，无论单中心积分常数Ｕ多大，只有双中心的交换积分常数Ｊ″＞０，才可能有铁磁性．掺杂结果不利于铁磁性，使铁磁相的区域比无掺杂的半满情况减少．     

三维Hubbard－Hirsch模型的铁磁性

应用么正变换微扰论和平均场近似研究了三维Ｈｕｂｂａｒｄ－Ｈｉｒｓｃｈ模型的铁磁性．发现单中心积分常数Ｕ太小或太大时，只有双中心的交换积分常数Ｊ″＞Ｊ″Ｃ＞０，才可能有铁磁性．而Ｕ为中间值时，Ｊ″＝０需要用其他方法进一步研究．掺杂结果不利于铁磁性，使铁磁相的区域比无掺杂的半满情况减少     

Hubbard—Hirsch模型的超导性

应用么正变换微扰论和平均场近似研究了二维Ｈｕｂｂａｒｄ－Ｈｉｒｓｃｈ模型的超导性，在大Ｕ和中等掺杂情况下，只要跳跃常数足够大，模型仍然具有超导性，此时交换作用积分使它的超导相区域比相应的Ｈｕｂｂａｒｄ模型的区域小很多。     

具有掺杂界面的磁超晶格的磁相变研究

采用蒙特卡罗模拟方法研究具有无序掺杂界面的复杂磁性系统的磁特性,重点计算了系统掺杂界面层(ApB1-p)上A类原子的掺杂浓度p及界面交换耦合常数对磁相变的影响.通过模拟,获得了系统的相图以及磁化强度、磁化率等随温度的变化规律.模拟结果表明,纳米磁性薄膜的无序掺杂界面极大地决定了系统的相图.     

掺杂钛基二氧化铅电极的制备及催化性能的研究

研究了用电沉积法制备掺杂钛基二氧化铅系列电极的制备工艺，制备出掺杂铁、钴、镍的3种钛基PbO2电极，并通过对苯酚的降解实验研究了电极的电催化性能．表明3种掺杂改性钛基PbO2电极具有较好的电催化性能，特别是明显地降低了槽电压，且降解过程符合一级反应动力学关系，确定该物质的降解过程符合准一级反应，并得到了反应速率常数．     

磁性铁钛催化剂的制备及其NH3选择性催化还原NO性能

利用微波热解辅助共沉淀方法制备磁性铁钛复合氧化物催化剂,探讨了钛掺杂对铁氧化物SCR(选择性催化还原)脱硝活性的影响规律,并借助XRD(X射线衍射)、N_2吸附研究钛掺杂前后铁氧化物晶相和微观孔隙结构的变化趋势.结果表明:微波热解辅助共沉淀方法制备的单一铁氧化物表现出强烈的α-Fe2O3晶相,掺杂钛会提高铁氧化物的稳定性;当钛掺杂物质的量比为0.25时,铁钛复合氧化物存在γ-Fe_2O_3和α-Fe_2O_3两种晶相;钛掺杂可细化铁氧化物孔径,增大其比表面积和比孔容,从而提高其中低温NH_3-SCR脱硝性能,合适的钛掺杂物质的量比为0.25;在空速比为60 000/h条件下,275~400℃区间Fe_(0.75)Ti_(0.25)Oz取得了高于90%的NO_x转化率.     

Hubbard－Hirsch模型的超导性

应用么正变换微扰论和平均场近似研究了二维Ｈｕｂｂａｒｄ－Ｈｉｒｓｃｈ模型的超导性。在大Ｕ和中等掺杂情况下，只要跳跃常数足够大，模型仍然具有超导性，此时交换作用积分使它的超导相区域比相应的Ｈｕｂｂａｒｄ模型的区域小很多。     

应用铁磁共振法测量易(111)面YIG磁膜的K_1,K_u和γ

本文全面地分析了用铁磁共振法测量易(111)YIG(钇铁石榴石)磁性薄膜的立方磁晶各向异性常数K_1、单轴各向异性常数K_u以及旋磁比γ的理论公式,从而找到了将静磁场H加在YIG薄膜的((?)10)面上的测量及计算程序的简便方案.文中指出,在[11(?)]轴上,外加静磁场H和磁化强度M方向是不一致的,文中还给出了易(111)面YIG磁性薄膜K_1,H_u和γ的测量结果.     

CoFeCrGa1-xAlx合金的电子结构、磁性和自旋零带隙半导体特性研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理,研究了Al掺杂对CoFeCrGa1-x Alx(x=0、0.25、0.5、0.75)合金电子结构、磁性、自旋零带隙半导体特性的影响.结果表明,随着Al掺杂浓度的增加,合金晶格常数减小,总磁矩符合Slater-Pauling规则.在整个研究范围内,CoFeCrGa1-x Alx...     

一个新的有最佳常数因子的Hilbert型积分不等式

应用权函数,给出一个新的有最佳常数因子的Hilbert型积分不等式.同时给出它的等价式及其逆向不等式.     

关于一个实齐次核的Hilbert型积分不等式

应用实分析技巧权函数的方法,给出了一个新的实齐次核的Hilbert型积分不等式及其等价形式,同时证明了常数因子的最佳性。     

无磁性HCP相铁在高压下的弹性性质计算

采用量子力学第一性原理出发的平面波赝势(PWP)方法,电子交换关联能采用广义梯度近似(GGA),在不引入实验参量的条件下,通过对无磁性HCP(广角密堆积)相的铁的总能进行从头计算,得到了无磁性HCP相铁的状态方程、不同压力下(0～500GPa)体系在平衡态时晶格常数c与a的比值以及不同压力下弹性系数、体变模量和声速的值,与实验符合较好,优于其它从头计算法得到的结果.说明了PWP加GGA方法在对无磁性HCP相铁作计算时的有效性.     

非磁性/磁性掺杂剂对SnO2体系的性能调控

本文通过第一性原理计算在GGA + U 框架下系统地研究了非磁性掺杂剂(Li)和磁性掺杂剂(V)以及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2基稀磁半导体(DMS)的稳定性、电子结构、键合性质、磁性以及光学性质. 计算得到的形成能结果表明, V元素单掺杂体系比Li元素单掺杂体系更稳定. 其中, VO存在的掺杂体系稳定性更高, 而VSn对掺杂体系的稳定性不利. 磁性分析表明, Li掺杂体系的磁矩大于V掺杂体系的磁矩. 当有点缺陷存在时, VSn的加入显著提高了掺杂体系的磁性, 而VO对非磁性金属元素/磁性金属元素掺杂体系的磁性影响不同：当VO存在于Li掺杂体系时, Li原子周围的O原子自旋极化减少, 因此导致磁矩降低;当V掺杂体系中有VO存在, 磁性不仅来源于V原子的自旋极化, 同时来源于VO周围的O原子的自旋极化,因此磁矩增大. 结合电子结构分析可知, Li掺杂体系的磁性是由O-p和Li-p轨道之间的双交换作用产生的, V掺杂体系的磁性是由O-p和V-d轨道之间的双交换作用产生的. 键合分析发现VO的存在可以提高两种金属掺杂体系键(Li-O和V-O)的共价性. 在可见光区域内, Sn15LiO32和Sn15VO32具有较高的光学透明度. 以上这些结果为非磁性金属元素(Li)和磁性金属元素(V)及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2在自旋电子器件中的应用提供了新的思路.     

宽带隙半导体SiC非磁性掺杂研究取得进展

长期以来,过渡元素（Fe,Mn,Co等）掺杂稀磁宽带隙半导体的磁性来源问题一直存在着很大争议．主流观点认为,由于样品制备条件的差异,大多数过渡元素掺杂宽带隙半导体的磁性来源于磁性杂质的干扰或磁性原子在基体形成团簇所致,而不是掺杂材料的本征特性．因此,通过掺杂非磁性元素可以有效地避免磁性杂质的引入,排除磁性杂质的干扰,可以为探讨稀磁半导体的磁性来源提供理想的实验体系．这对深入认识宽带隙半导体中自旋长程有序的机制有着重要学术意义．     

Li—Zn—Cu系铁氧体磁性和铁磁共振的研究

研究了Li—Zn—Cu铁氧体的磁性及铁磁共振效应。实验结果表明,样品的晶格常数随Cu代换量增加而线性增加.样品的饱和磁化强度在500mT左右;居里温度θ_f=710K,增加代换量和提高烧结温度可降低铁磁共振线宽,共振线宽在测量频率为5GHz以上与频率呈线性关系.     

Nd掺杂对Bi4Ti3O12单晶的结构和电学性能的影响

采用高温溶液生长法生长铁电Bi4-xNdxTi3O12(BNdT)单晶,并研究了BNdT的结构和电学性能.XRD结构精修的结果表明Nd掺杂将导致晶格常数和晶胞体积发生变化,铁电性能的测试表明Nd掺杂降低了BNdT单晶的剩余极化,BNdT的自发极化的估算和铁电测量结果有着相同的变化趋势.Nd的A位掺杂同时也导致BNdT单晶沿各个方向漏电流密度的减小,而由于(Bi2O2)2 层的存在,BNdT单晶沿c方向显示出更低的漏电流密度.     

Mn掺杂的TiO2粉体的结构和磁性

采用溶胶-凝胶法制备了过渡金属Mn掺杂的TiO2基稀磁半导体粉末.XRD结果表明,所有样品均为锐铁矿结构,不存在任何杂相,且随掺杂浓度的增大,品格常数单调减小,表明Mn替代Ti进入晶格形成稀磁半导体结构.采用VSM检测样品磁性,x=0.06,0.08的样品显示为室温顺磁性,x=0.12的样品在刚加外磁场时,饱和磁化强度随磁场强度的变化类似铁磁材料的情形,但与铁磁材料不同的是随着H的增加,M并没有趋于饱和,而是像顺磁材料那样M随H的增加而线性增加.     

一个Hilbert型积分不等式及其逆

应用权系数方法给出一个新的带有最佳常数及参数a,b的Hilbert型积分不等式,同时给出它的等价形式及它们的逆向不等式.     

模拟研究掺杂稀土氧化物的向列相液晶TEB30A磁光特性

基于掺杂磁性粒子的欧勒-拉格朗日方程及液晶光学理论,通过数值模拟向列相液晶TEB30A掺杂磁性纳米稀土氧化物在外磁场中的透射谱,研究分析液晶样品掺杂磁性稀土氧化物的磁光性质.结果表明,微量磁性稀土氧化物的掺杂,没有改变液晶原有弹性,将液晶的饱和磁矩提高了一个数量级.这一掺杂技术法能实现削弱两底板对液晶分子的控制作用,达到调整液晶分子在两底板的锚定方向,从而使得控制向列相液晶TEB30A的外磁场强度降低.