配位驱动自组装法构筑ZnS@ SiO2荧光杂化纳米微粒

利用自组装法以配位作用作为驱动力制备了ZnS@ SiO2荧光杂化纳米微粒.将合成的含8-羟基喹啉的双官能团有机硅烷( SiNHQ)接枝到SiO2纳米微粒表面,然后通过8-羟基喹啉与ZnS纳米晶表面的Zn原子的配位作用,将ZnS纳米晶通过配位键组装到SiO2纳米微粒表面上.得到的杂化纳米材料在460 nm呈现出蓝色荧光发...     

过渡族金属离子掺杂ZnS纳米棒的制备及光学性质研究

利用溶剂热法制备过渡族金属Cu^2＋、Mn^2＋、Fe^2＋掺杂ZnS纳米棒．通过x射线衍射（XRD）、X射线能谱仪（EDX）、扫描电显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）分析研究过渡族金属离子（Cu^2＋、Mn^2＋、Fe^2＋）掺杂对样品的结构和形貌的影响．利用紫外可见分光光度计和共聚焦显微拉曼一荧光光谱仪（PL）对样品的光学特性进行表征．结果表明,样品为六角纤锌矿结构,过渡族金属离子成功掺入到ZnS晶格中．另外,金属离子的引入对ZnS纳米棒的发光特性有很大影响．     

ZnS：Mn^2＋的合成及光学特性研究

我们利用溶剂热的方法,合成了ZnS以及ZnS:Mn2+纳米粒子.并利用X射线衍射、透射电镜、光致发光等测试手段对样品的结构和光学性能进行了表征.结果表明,Mn2+以替代Zn2+的方式进入到了ZnS晶格当中,并且随着Mn2+掺杂量的增加,样品的晶粒尺寸明显减小.从PL谱图可以清楚看到黄光的发射光谱,其伴随着Mn2+离子3d壳层内部的4T1-6A1转变.     

四棱柱状Sb2S3纳米棒的水热合成与表征

以三氯化锑(SbCl3)和硫(S)粉为反应物、硼氢化钠（NaBH4）作还原剂及乙二醇(EG)为辅助溶剂,用水热法合成了四棱柱状的Sb2S3纳米棒所得产品用XRD、EDS、SEM、TEM、HRTEM、SAED以及UVVis进行了表征结果表明,在180 ℃水热反应12 h可得到结晶良好、形貌规整的四棱柱状的正交晶系Sb2S3单晶纳米棒,棒的横截面为矩形,其宽为75~215 nm 、厚为50~110 nm,长度达2~5 μm经计算,其晶胞参数a=1126 nm, b=1128 nm,c=0382 5 nmUVVis分析表明,Sb2S3纳米棒为半导体材料,其带隙能量为180 eV     

溶胶-凝胶法制备ZnO纳米结构

我们采用溶胶.凝胶法合成了不同形貌的ZnO纳米结构,详细研究了退火温度对ZnO结构和形貌的影响.SEM结果表明在900℃可以合成ZnO纳米棒,退火温度对形貌有影响.ZnO纳米棒的直径为200mm左右,长度可以达到几微米.     

四棱柱状Sb_2S_3纳米棒的水热合成与表征

以三氯化锑(SbCl3)和硫(S)粉为反应物、硼氢化钠(NaBH4)作还原剂及乙二醇(EG)为辅助溶剂,用水热法合成了四棱柱状的Sb2S3纳米棒.所得产品用XRD、EDS、SEM、TEM、HRTEM、SAED以及UV-Vis进行了表征.结果表明,在180℃水热反应12 h可得到结晶良好、形貌规整的四棱柱状的正交晶系Sb2S3单晶纳米棒,棒的横截面为矩形,其宽为75~215nm、厚为50~110 nm,长度达2~5μm.经计算,其晶胞参数a=1.126 nm,b=1.128 nm,c=0.382 5 nm.UV-Vis分析表明,Sb2S3纳米棒为半导体材料,其带隙能量为1.80 eV.     

Zn1-xSrxS:Cu薄膜电致发光特性的研究

首先我们制备了结构为：ITO／SiO2／ZnS:Cu／SiO2／Al的薄膜电致发光器件,其电致发光为绿色的宽带发射．然后将发光材料换成Zn1-xSrxS：Cu,制备同样结构的薄膜电致发光器件．结果发现电致发光光谱由原来的550nm单个峰的宽带发射变成了双峰发射．峰值位置分别为430nm和530nm左右,而且随Sr浓度的变化而不同．该体系Cu离子的蓝光发射主要是由于Sr的掺入使ZnS基质的禁带变宽以及蓝色发光中心能级上的电子不易被离化到导带所致．     

锰掺杂硫化锌纳米颗粒的制备及磁学性质

硫化锌(ZnS)是非常重要的II-VI族稀磁性半导体材料,具有非常优异的光电特性。采用水热法制备ZnS∶Mn纳米颗粒,研究不同掺杂量Mn离子对ZnS∶Mn纳米颗粒磁学性质的影响,样品的形态和微结构分别用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)进行检测。结果表明,ZnS∶Mn纳米颗粒的晶体结构为球形六方结构,晶粒大小均匀,粒径在15~18nm之间。室温下,磁测量表明,施加相同的外磁场,样品磁化强度随着Mn离子掺杂量的增加先增强后减弱,更多的Mn离子会占用间隙位置,并生成顺磁性物质,这将导致硫空位含量降低,使剩余磁化强度和矫顽力减弱。     

Mg掺杂ZnO微纳米棒与球的制备及生长机制

采用化学气相沉积法（CVD）在导电玻璃衬底上制备了Mg掺杂的ZnO微纳米棒、微纳米球,实验过程不需要催化剂．X射线衍射仪（XRD）分析结果表明制备的Mg掺杂ZnO微纳米棒仍具有六方铅锌矿结构．利用扫描电子显微镜（SEM）观测,750 ℃恒温、载入氩气流速为100 mL/min的样品,有微纳米棒、微纳米球的生成．能谱图（EDS）和光致发光谱测试表明微纳米棒中有Mg的掺入．     

ZnS：Mn2＋（1％）Fe2＋（x％）纳米线的制备及光学性质研究

利用溶剂热法制备纤锌矿结构ZnS：Mn^2＋（1％）Fe^2＋（x％）纳米线．实验结果表明：Fe^2＋离子和Mn^2＋离子均取代了Zn^2＋离子的位置掺入到ZnS的晶格中,且Fe^2＋离子在ZnS：Mn^2＋（1％）纳米线中的最大掺杂浓度为15％．ZnS：Mn^2＋（1％）Fe^2＋（x％）纳米线的光学性质表明,纳米线具有来自于Mn^2＋离子^4T1-6A1的发射峰,且随着Fe^2＋离子掺杂浓度的增加其发光强度降低．     

Fe掺杂ZnS纳米线的制备及性能研究

利用水热法制备了Fe掺杂ZnS的纳米线．通过X射线衍射（XRD）、X射线能谱仪（EDS）、扫描电显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）分析了Fe掺杂对样品的结构和形貌的影响;利用紫外可见近红外分光光度计（uV-VIS）、共聚焦显微拉曼一荧光光谱仪（PL）和振动样品磁强计（VSM）对样品的光学特性进行表征．结果表明,样品为六角纤锌矿结构,Fe成功掺入ZnS晶格中,形成替位式掺杂．随着Fe掺杂浓度的增加,样品的吸收峰出现蓝移且发光强度逐渐减弱．掺杂后的样品在室温下呈现了铁磁性．     

Eu3+掺杂ZnS纳米材料的制备及发光性能研究

低温水浴法制备不同掺杂浓度(摩尔百分比1％～7％)的ZnS:Eu纳米颗粒.采用X射线衍射仪对制备的样品进行物相分析,通过吸收和光致发光光谱对其进行了发光性能的研究.实验结果表明,所制备的样品均为立方相的ZnS:Eu,Eu3+占据了晶格的非对称反演中心,红光发射来源于Eu3+的5 D0→7 F2的跃迁.掺杂量为6％、热处...     

烧结温度对ZnS量子点的结构及其光催化性能的影响

以醋酸锌(Zn(Ac)_2·2H_2O)、硫化钠(Na_2S·9H_2O)和油酸等为主要原料,去离子水为溶剂,采用水热法成功制备了ZnS量子点,采用X-射线衍射仪(XRD)和高分辨透射电子显微镜(HTEM)对所制备样品的物相和形貌进行了表征.同时研究了不同合成温度下ZnS量子点的光催化性能.结果表明,成功制备了纤锌矿结构的ZnS量子点材料,ZnS量子点有较高的光催化活性,在紫外光照射下对有机染物料罗丹明B有明显的降解性能.     

粉末ZnS样品的高压原位阻抗谱研究

采用高压力下的原位阻抗谱测量技术,研究了晶界对粉末ZnS电阻的影响.数据分析结果显示:在11 GPa处,ZnS粉末的电阻主要是由于晶界引起的.对于岩盐相的ZnS,其残余电阻也是来自于晶界的影响.在14 GPa处,阻抗谱由双半弧变成一个椭圆型半弧对应于ZnS粉末的高压相转变.     

江永锌精矿常压酸氧化浸取工艺研究

本文报道了湖南江永锌精矿采用常压酸氧化法进行直接浸取的研究结果．以硝酸为催化剂、空气为氧化剂，用硫酸直接浸取，一级浸取的锌浸出率可高达９３．０２％．当锌浸出率为８３．３１％时，硫磺产率可达７５．２０％．因此，可以用硫酸加少量硝酸作浸取剂，在常压下直接浸取江永锌精矿．     

批判与反思：伽达默尔实践哲学与现代高科技

由于缺乏真正反映人类思想的哲学理性,造成了现代人对高科技的盲目崇拜,分析了由此导致科技理性渗透直至支配人类生活的各个方面从而造成人的全面自我异化的现实。通过研究伽达默尔的实践哲学理念,表明了实践的基础性地位应予以加强的重要意义。     

吴敬梓的理想国及其建构——兼论《儒林外史》的主旨及结构

《儒林外史》是对衰退了的传统中国社会一种广泛的完整的设想,吴敬梓将历史的构想与真实相融合而后鉴照洞明,最终完成小说的宏大叙事,其理想国的蓝图也由此得以展示。吴敬梓主张以礼为中心,重塑被八股腐蚀的士人精神,维持文运,由此培养并巩固宗法社会中士绅(乡绅)阶层的中坚力量,以改造礼崩乐坏的现实社会,实现如三代之治的理想社会。吴敬梓的社会理想始终吸引无数有志于整顿与改革社会秩序的传统士人,在他的时代及其后始终不乏生命力与借鉴意义,吴敬梓无愧于思想家之称誉。