ZrO_2—NiO陶瓷气敏特性研究

本文用化学共沉淀方法制得了ZrO_2——NiO气敏材料,对其半导体特性与气敏性进行了初步研究,试验了它们在不同工艺条件下的导电性,对O_2、CO、C_4H_(10)等气体和氯仿、甲苯、汽油、酒精等蒸汽的敏感性,给出了材料组成,烧结温度与灵敏度的关系.     

半导体气敏陶瓷的研究方法

以SnO2为基体材料的气敏元件为例，总结了半导体气敏陶瓷元件的制备过程和研究方法，分析了掺杂、热处理和表面修饰工艺对气敏元件性能的影响，介绍了气敏元件性能的实验和检测方法。     

SnO_2—ZnO半导体陶瓷气敏特性的研究

本文研究了SnO_2—ZnO半导体陶瓷的原料配比对其气敏特性的影响。     

一种新型N—N结构气敏元件

利用“气敏元件的互补反馈和互补增强原理”，讨论了Ｎ－Ｎ结构的Ｂ－Ａ型元件要获得高的选择性和好的热稳定性，Ａ，Ｂ敏感体应满足的条件，并通过实验获得了热稳定性好，选择性高的Ｂ－Ａ型丁烷敏元件。     

电子束蒸发WO3—基气敏薄膜特性的研究

介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜，溅射掺Ａｕ、膜的热处理工艺以及对Ｈ２Ｓ气体的敏感特性测量的初步结果。着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程。     

α—Fe2O3超微粒的制备及其气敏性能的研究

本文采用制备超微粒的方法制得α—Fe_2O_3,并用该材料制作成α-Fe_2O_3系气敏元件。由该材料及添加微量元素后所制作的元件对乙醇有良好的选择性和灵敏度。文中同时也讨论了不同加热功率、不同的电极材料对元件气敏性能的影响。并对α-Fe_2O_3的气敏机理作了扼要的讨论。     

新型气敏材料Cd2Nb2O7的制备和性能研究

采用固相反应法在９００℃下制备出具有烧绿石结构的莳地导体气敏材料Ｃｄ２Ｎｂ２Ｏ７，研究了制备条件对产物物相和气敏性能的影响，探讨了高温固相反应机理。电导测试表明：Ｃｄ２Ｎｂ２Ｏ７是一种典型的表面电阻控制型半导体材料；而气敏测试表明：Ｃｄ２Ｎｂ２Ｏ７对乙醇具有较高的灵敏度、较好的选择性以及快的响应恢复速度。     

亲型乙醇气敏半导体材料CdFe2O4

采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法制备出单相ＣｄＦｅ２Ｏ４，实验表明，ＣｄＦｅ２Ｏ４作为一种尖晶石型结构的复合氧化物，是电子导电型半导体，具有良好的酒敏性能。具有较好的化学稳定性和气敏稳定性。     

MSnO3系气敏材料的研究：Ⅱ NiSnO3气敏材料的制备及特性 …

报道了ＮｉＳｎＯ气敏材料的制备及气敏特性，研究表明ＮｉＳｎＯ３是一好的气敏材料。     

CdO—Fe2O复合氧物半导体气敏材料的制备和性能

采用化学共沉淀法，制备了系列ＣｄＯ－Ｆｅ２Ｏ复合氧化物气敏半导体材料，研究了制备条件对电导和气敏性能的影响。     

TiO_2/Cr_2O_3复合气敏陶瓷元件的制备及性能研究

采用溶胶-凝胶法,在Ti O2中掺入一定配比的Cr2O3,制得了Ti O2/Cr2O3复合粉体.通过采用传统的陶瓷传感器制备工艺,制备了旁热式烧结型陶瓷元件.分别在不同浓度的苯和甲醛气氛中,测试了陶瓷元件的气敏特性.研究了加热功率和湿度对陶瓷元件的灵敏度和初始阻值的影响.气敏测试结果表明,制备出的传感器对浓度范围为10～650ppm的苯和甲醛气体都有较好的响应,特别在10～100ppm浓度范围具有较良好的灵敏度.     

射频反应溅射纳米SnO2薄膜气敏特性研究

采用射频反应溅射在瓷管上制备了SnO2气敏薄膜元件,以及用传统方法制备了SnO2厚膜元件.两种元件经测试表现出对乙醇较高的灵敏度,对两种元件进行了性能对比测试.测试表明,无论在灵敏度、响应恢复时间,还是在检测浓度范围上,SnO2气敏薄膜元件都比传统的厚膜元件性能优越.SnO2气敏薄膜元件经过表面修饰,在200×10-6体积浓度下接近30.对薄膜元件加热温度及选择性进行了研究,初步探讨了元件稳定性及其敏感机理.     

CO气敏元件及其响应特性的实验研究

本文对以SnO_2为基体材料的选择性CO气敏元件的研制进行了进一步的探讨,通过适当的掺杂和控制工作温度,得到了在低浓度下具有较好的稳定性、选择性和较高的灵敏度的元件,并对测量和应用方法作了一些讨论。     

溶胶—凝胶法制备α—Fe2O3及其气敏性能研究

采用溶胶－凝胶法制备了α－Ｆｅ２Ｏ３纳米材料，平均粒径在１０ｎｍ左右，并研究了α－Ｆｅ２Ｏ３的电学性能和气敏效应，发现掺杂降低了表面氧吸附－解吸活化能，提高了对还原性气体的灵敏度，据此推断α－Ｆｅ２Ｏ３气敏效应为表面控制型，并对其气敏机理加以探讨。     

添加剂对SnO2气敏特性的影响

氧化锡气敏材料的电导率以及对气体的选择性由氧空位的形成和氧化过程共同完成,氧空位浓度越大,气敏效应越明显。根据氧化锡的这一气敏机理,本文研究了添加剂Ｓｂ２Ｏ３和Ｐｄｃｌ２对氧化锡气敏材料电导率及选择性的影响,分析了其对氧化锡气敏特性的作用机理。     

新型CO_2气敏元件的研究

利用纳米技术和半导化技术,制备了ＣｕＯＢａＴｉＯ３ 复合氧化物电子陶瓷电容型ＣＯ２ 气敏元件,该元件可用于环境中ＣＯ２ 气体的监测．该元件在１２７ ～４７７ ℃范围,对ＣＯ２ 气体呈现较好的敏感特性;可测气体浓度范围０ ～９５ ％（ 体积分数,下同）,在低浓度范围（０～５％ ）内,电容与浓度呈线性关系;能经受高浓度ＣＯ２ 气流的冲击,有较快的响应恢复速度;重现性和选择性较好;是一种很有发展前途的ＣＯ２ 气敏元件．     

CeO2掺杂的SnO2基材料的气敏特性

报道了ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２基敏感材料的制备及其气体第三性能的研究。结果表明，含５％ＣｅＯ２和ＳｉＯ２的ＳｎＯ２基敏感元件在低温下对ＣＯ具有最高的灵敏度和良好的造反性。此外，对ＣｅＯ２掺杂的ＳｎＯ２敏感元件，在合适的ＣＯ浓度范围内所呈现的一种自振荡现象进行了讨论。     

氧化物半导体气敏膜片光学特性研究

为了更深入地研究半导体气敏器件的气敏－光学特性,进一步提高其性能,地导体气敏元件的机理及光波在导电媒质中的传播,本文在实验基础上,建立了氧化物半导体气敏片的光学特性数学模型,导出了光通过膜片时上对透过率与膜片生长的若干主要因素的定量关系。