（Sr,Ca）TiO3电容——压敏复合功能陶瓷材料的制备和性质研究

SrTiO3基电容－压敏复合功能陶瓷材料具有优良性能,本文通过草酸盐化学共沉淀法制备（Sr,Ca)TiO3陶瓷的超微细粉末,对不同烧成温度,中温氧化温度和氧化时间及不同烧成气氛对材料的介电性能的影响作了综合讨论与分析。     

影响TiO2压敏电阻器电性能的因素探讨

通过理论分析和实验经验总结，讨论了微观结构、掺杂及烧结工艺对TiO2压敏电阻器电性能的影响，调整和改进这些影响因素可以达到优化电性能的目的。     

La2O3掺杂的TiO2电容—压敏电阻器特性研究

为改善ＴｉＯ２电容－压敏电阻器的非线性，文章通过添加少量Ｌａ２Ｏ３，使其非线性系数得到提高，并对其原因进行了分析．结果表明，Ｌａ２Ｏ３添加剂可提高材料晶界势垒高度，从而提高了其非线性系数．     

Mn对SrTiO3基电容—压敏陶瓷非线性系数的影响

介绍了ＳｒＴｉＯ３基电容－压敏陶瓷研究的国内外进展，从理论和实验出发研究了Ｍｎ对ＳｒＴｉＯ３基电容－压敏陶瓷非线性系数的影响，并得到了一些有益的结论。     

计算机智能化在SrTiO3系电容—压敏陶瓷制备中的应用

将计算机的智能系统应用于电容－压敏材料的研制，提出了对ＳｒＴｉＯ３系电容－压敏陶瓷的制备进行智能化设计的思想和实施方案，在大量实验数据的基础上，建立了数据库和智能设计系统，对电容－压敏陶瓷进行了优化设计，通过实践，证实了优化设计系统的可行性。     

Ta2O5对掺杂的TiO2压敏陶瓷电性能的影响

基于典型的陶瓷工艺制备试样,通过对样品的压敏特性、电容频谱特性的测定及势垒高度()b的计算,研究了Ta2O5对掺杂(Ba,Bi,Si,Ta)的TiO2压敏陶瓷的压敏特性及电容特性的影响.结果表明,随着Ta2O5的摩尔分数的增加,样品的压敏电压、非线性系数和视在介电常数呈现一定的变化规律,掺入摩尔分数为0.1%的Ta2O5样品显示出最低的压敏电压和最高的视在介电常数,并从理论上进行了分析.综合考虑材料的各种电性能参数,尤其是压敏电压低压化的需求,Ta2O5掺杂摩尔分数在0.1%左右为宜.     

Mn掺杂TiO2基压敏-电容功能陶瓷的电性能研究①

采用固相合成法制备MnO_2掺杂TiO_2基压敏-电容功能元件,利用SEM和XRD分析手段,研究了不同MnO_2掺杂配比对TiO_2双功能陶瓷显微结构和电性能的影响。结果显示微量MnO_2掺杂的TiO_2基陶瓷主晶相为金红石相。当MnO_2的掺杂量为0.3mol%时,可以获得最佳的非线性和压敏特性,同时具有较高的介电常数和较低的介电损耗值。这是由于0.3mol%添加量的微结构晶粒更均匀,在TiO_2陶瓷基体中产生充足的氧空位,掺杂的MnO_2界面态产生了较高的晶界势垒共同作用的结果。     

Bi2O3对ZnO基压敏陶瓷性能影响的研究

利用传统陶瓷制备工艺制备具有一定压敏特性的ZnO陶瓷材料，详细分析了Bi2O3掺杂对材料性能的影响及导致这一影响的具体原因，用MY3C-2型压敏电阻器三参数测试仪测试了样品的压敏电压，压比和漏流，并用BD-86型X射线衍射仪进行了物相分析，测试结果表明：在适合掺杂范围内，Bi2O3的增加有利于样品的非线性系数α及压敏电压的提高，且漏流IL随掺杂量的增加减小，超出这一范围后，样品的电学性能将会恶化，物相分析表明在添加Bi2O3，Sb2O3和BaCO3的ZnO陶瓷中，存在ZnO相，Bi2O3相，Zn223Sb0.67O4(尖晶石)相和BaSb2O6(偏锑酸钡)相。     

(Sr,Ca)TiO_3电容-压敏复合功能陶瓷材料的制备和性质研究

SrTiO_3基电容－压敏复合功能陶瓷材料具有优良性能．本文通过草酸盐化学共沉淀法制备（Sr,Ca）TiO3陶瓷的超微细粉末;对不同烧成温度、中温氧化温度和氧化时间及不同烧成气氛对材料的介电性能的影响作了综合讨论与分析．     

SrTiO3基多功能陶瓷的晶界结构与晶界能

用高分辨透射电子显微镜（ＨＲＥＭ）观察和分析了ＳｒＴｉＯ３陶瓷中洁净晶界的结构，提出了晶界处原子排布模型，用弹性位错理论推出了描述晶界能与晶粒间失配角关系的方程。晶界能由晶界核心能和伴有晶界应变场的弹性位错能组成，通过对［郾１］和［１１０］倾斜晶界晶界能的模拟，证实了该模型的可行性。     

BaTiO3铁电玻璃陶瓷结构和介电性能的研究

采用溶胶－凝胶工艺制备ＢａＴｉＯ３铁电玻璃陶瓷，选择材料组成成份分别Ｂａ－Ｔｉ－Ｓｉ－Ｏ和ＢａＴｉ－Ａｌ－Ｓｉ－Ｏ。利用ＸＲＤ分析了上述两体系的均匀凝胶在热处理后的结晶结构。借助ＳＥＭ观察了微晶形貌。最后测试了这种玻璃陶瓷在不同的温度和频率下人的介电常数和损耗，结果表明此类材料具有良好的介电性能。     

添加剂BN对钛酸锶铅基陶瓷材料性能的影响

研究了添加剂ＢＮ对（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ型ＰＴＣＲ陶瓷材料电性能和显微结构的影响，试验结果表明，ＢＮ含量在０．１％￣０．４％范围内可以改善材料的显微结构，降低室温电阻率和烧结温度，从而使材料获得良好的Ｖ型ＰＴＣＲ电性能。     

BaTiO_3 基半导体陶瓷的晶界效应

针对一固定的低电阻率ＰＴＣ配方，在实验手段允许的范围内，以及在能保证瓷体半导化的温度范围内波动时，改变ＰＴＣ瓷片的烧成温度、保温时间和冷却速度，均未实现由ＰＴＣ效应向晶界层电容效应的转变；通过涂敷受主氧化物进行热处理，并且热处理温度较低时就能实现由ＰＴＣ效应向晶界层电容效应的转变．基于本实验的现象和数据，对解释ＰＴＣ效应的Ｈｅｙｗａｎｇ模型，Ｄａｎｉｅｌｓ钡空位模型和较为普遍公认的晶界层电容器的双层模型进行总结和修正，提出了双势垒层模型，采用这一模型可圆满解释本实验中的某些现象和问题．     

（Ba_（1－x）Nd_x）TiO_3系陶瓷的电性能

研究了不同Ｎｄ３＋浓度（０．１ｍｏｌ％～２ｍｏｌ％）掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷的电性能．结果表明，当Ｎｄ３＋浓度为０．１ｍｏｌ％～０．２ｍｏｌ％时，轻度Ｎｄ３＋掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷是半导性，而当Ｎｄ３＋为０．６ｍｏｌ％～２ｍｏｌ％时呈绝缘性．ＢａＴｉＯ３陶瓷室温下的体电阻车ρＶ随Ｎｄ３＋浓度的变化呈Ｕ型特性曲线，当Ｎｄ３＋＝０．１５ｍｏｌ％时材料具有最低的ρＶ和最佳的正温系数（ＰＴＣＲ）效应，相应于最大的平均晶粒尺寸ＡＧＳ和介电常数ε。随着Ｎｄ３＋浓度的增加．材料的ε和居里常数Ｃ下降，同时ε与Ｃ值密切相关．ＳＥＭ照片显示了Ｎｄ３＋含量对材料晶粒尺寸的强烈影响．此外，还分析了ＺｒＯ２对（Ｂａ１－ｘＮｄｘ）ＴｉＯ３系陶瓷电性能的影响．     

稀土氧化物CeO_2对ZTA陶瓷的结构及力学性能影响的研究

稀土氧化物ＣｅＯ２具有熔点高、稳定性好等特异的物理化学性能．其中Ｃｅ原于具有较高的化学活性，Ｃｅ（４＋）与ＺｒＯ２中的Ｚｒ（４＋）具有相近的离子半径和相同的化合价，与ＺｒＯ２的固溶范围大，因而是一种理想的相交增韧稳定剂．本文研究了ＣｅＯ２作为稳定剂对ＺＴＡ陶瓷材料的显微组织和力学性能，以及对相变增韧剂的相成份和结构的影响．结果表明，增韧剂中ＣｅＯ２含量越高、ＺｒＯ２高温相稳定性越好，ＣｅＯ２的摩尔含量在１０～１２％时ＺＴＡ陶瓷材料综合力学性能最优，其抗弯强度σ（ｂｂ）为６２０ＭＰａ，断裂韧性Ｋ可达到８．ＯＭＰａｍ；ＣｅＯ２含量的增加有利于ＺＴＡ陶瓷的致密化，但晶粒却有粗化趋势，在特定工艺条件下，ＣｅＯ２摩尔含量低于１０％时可获得晶粒不大于４μｍ的致密的ＺＴＡ陶瓷材料．     

稀土对铍青铜(QBe2)组织性能影响及机理研究

本文研究了微量稀土元素对QBe2合金组织与性能的影响。稀土微溶于α固溶体中,其余以Cu(Ce、La)相存在。稀土溶入α固溶体使其晶粒尺寸略增,β相数量减少,Be在α固溶体中高温溶解度增大。QBe2 0.1%RE合金经时效处理后的强度比QBe2合金提高约10%。稀土提高了各析出阶段的激活能,延缓了QBe2合金的时效析出过程。稀土减少了QBe2合金不连续析出的体积分数,使片层组织细化。稀土基本不改变不连续析出的形成温度范围。利用Sundquist不连续析出理论证实,稀土不改变QBe2合金不连续析出的晶界扩散机制,对不连续析出的抑制作用是由于改变了不连续析出前沿的θ′参数值,减小了相变驱动力。     

具有Ruddlesden-Popper结构的Ca_(1+x)Mn_xO_(1+3x)(x=1,2,3)的合成及层间Ca~(2+)的抽出

采用溶胶凝胶法合成前驱体,然后在氧气气氛下加热合成了具有层状钙钛矿Ruddlesden-Popper结构的化合物Ca1+xMnxO1+3x(x=1,2,3),尝试采用酸溶液对其层间Ca2+离子进行抽出.实验发现HCl处理单层Ca2MnO4,层状结构遭到破坏;而用(NH4)2S2O8与HCl的混合溶液处理则能维持其层状结构,且Ca2+离子抽出率大于60%,其抽出机制为氧化还原和离子交换.用HCl能够抽出双层Ca3Mn2O7的层间Ca2+,并保持较好的结构.     

La_(0.85)Na_(0.15)MnO_3的结构、磁性质和输运性质

实验研究了由 Pechini方法制备的 L a0 .85Na0 .1 5Mn O3多晶陶瓷样品的结构、磁性质和输运性质 .发现 L a0 .85Na0 .1 5Mn O3的居里温度正好接近室温 ,在该温度附近 ,伴随铁磁相到顺磁相的转变 ,同时发生金属 -半导体转变 ,且在居里温度附近 ,0 .5 T外磁场下的最大磁电阻可达 14 % .理论与实验对比可知 ,在居里温度以上小极化子非对角跳跃为主要导电机制 .