Ge（313）表面能带结构分析

使用紧束缚最近邻近似下的ｓｐ＾３ｓ模型，利用形式散射理论的格林函数方法，首次分析了半导体Ｇｅ的（３１３）高指数表面能带结构。采用层轨道表象及表面投影技术，给出了（３１３）表面在二维布里渊区高对称点的波矢分辨的电子态密度和表面投影能带结构。分析结果表明：（３１３）表面在－１２ｅＶ到１ｅＶ的能区内存在６个主要的表面态，在此基础上讨论了各表面态的轨道特性、色散特性和局域特性等。     

化合物半导体CdSe和ZnSe材料的状态密度

本文用Ｔ．Ｂ．－Ｒｏｃｕｒｓｉｏｎ方法计算了化合物半导体ＣｄＳｅ和ＺｎＳｅ的状态密度曲线，求出了费米能级和带隙，与实验结果符合得很好。     

GaAs（100）面上气相淀积生长GaS钝化膜

用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的ＧａＳ／ＧａＡｓ异质结能带结构图,即价带偏移１．５ｅＶ,导带偏移０．３ｅＶ,界面附近存在０．４ｅＶ的能带弯曲。气相淀积方法简单实用,有希望发展成为ＧａＡｓ器件制作的有用工艺。     

存在集中分布界面态的异质结的C—V特性研究

提出用高频Ｃ－Ｖ法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能位位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响，有这一方法对ＧａＳ／ＧａＡｓ和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态，其能级位置分别为Ｅｃ－０．４１ｅＶ，Ｅｃ－０．５１ｅＶ。     

Ga＿（1－x）In＿xAs＿（1－y）Sb＿y四元合金系光学性质的研究

对以ＧａＳｂ为衬底、外延生长的四元化合物Ｇａ＿（１－ｘ）Ｉｎ＿ｘＡｓ＿（１－ｙ）Ｓｂ＿ｙ（组分在ｘ＝０．０３２，ｙ＝０．９４到ｘ＝０．２６，ｙ＝０．９范围内）进行了远红外反射谱、喇曼散射、光吸收和光致发光的测量。结果给出外延层晶格振动的性质及不同温度下（８３Ｋ—３００Ｋ）四元合金的能隙，并详细讨论了能隙随温度的变化。     

用椭圆偏振光谱法研究GaxIn1—xP的光学性质（Ⅰ）

用变入射角椭圆偏振技术测量了用金属有机气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ样品在可见光区室温下的光学常数。对其结果进行了讨论,给出了带隙Ｅｇ和跃迁Ｅｇ＋Δ０的能量值,Δ０的实验值与计算值符合的很好。     

用谱学方法研究铜在Fe（CN）_6~（3－）溶液中的腐蚀行为

用ＦＴ－ＩＲ、ＵＶ－Ｖｉｓ和ＸＰＳ等分子光谱和电子能谱方法研究了铜在Ｆｅ（ＣＮ）溶液中的腐蚀过程，表面膜的形成及其改性。结果表明，腐蚀膜主要由（ＣＮ）６（大量）和（ＣＮ）６（少量）组成，并夹杂有Ｋ４Ｆｅ（ＣＮ）６和Ｋ３Ｆｅ（ＣＮ）６．     

Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试

提出一种金属－半导体－金属Ｓｃｈｏｔｔｋｙ结构的粒子探测器，它用高迁移率，半缘绝的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积的粒子探测器。经过能量为１．５ＭｅＶ，剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射和剂量分别为３００ｋＧｙ和５００ｋＧｙ的＾６０Ｃｏγ射线辐射，探测器能正常工作，是一种新型的经得起强辐射的粒子探测器。     

Eu_（1－x）Sr_xFeO_（3－y）的~（57）Fe Mossbauer谱

报导Ｅｕ＿（１－ｘ）Ｓｒ＿ｘＦｅＯ＿（３－ｙ）（ｘ＝０．０～１．０）的固相反应法合成，测量了其Ｘ射线衍射及室温下的￣５７ＦｅＭｏｓｓｂａｕｅｒ谱。实验结果表明，Ｓｒ掺入了ＥｕＦｅＯ＿３晶格，结构变化与掺杂量密切相关。室温下￣５７ＦｅＭｏｓｓｂａｕｅｒ谱由一套反铁磁六线谱、一套顺磁双线谱和一套顺磁单线谱组成（Ｘ＝０．２，０．４，０．６）．处于立方相的Ｆｅ离子的ＩＳ介于Ｆｅ￣３＋和Ｆｅ￣４＋之间，可能参与电子跳跃。     

中国荚蒾属植物的孢粉学研究（Ⅱ）

对荚属（ＶｉｂｕｒｎｕｍＬｉｎｎ）５１种、３变种植物花粉体积的分析表明：①较原始的组或种具较大的花粉，较特化的组或种具较小的花粉；②花粉大小在Ｓｅｃｔ．Ｍｅｇａｌｏｔｉｎｕｓ中具分亚组的意义；③Ｓｅｃｔ．Ｐｓｅｕｄｏｔｉｎｕｓ中的Ｖ，ｎｅｒｖｏｓｕｍ具大型花粉，而其他种基本具小型花粉，因此建议将它们分为两个亚组。对该属植物花粉形态的观察表明：①Ｖ。ｅｒｕｂｅｓｃｅｎｓＶａｒｐｒａｔｔｉｉ与其原变种问有极大的差异，建议将其复为种级；②Ｖ，ｓａｒｇｅｎｔｉ与Ｖ，ｏｐｕｌｕｓ在外壁纹饰上有差异，故仍将其作为种级对待．     

Te掺杂ZnSe／[（CdSe）1（ZnSe）3]m超晶格荧光光谱

对垒区Ｔｅ掺杂浓度不同的ＺｎＳｅ／［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］ｍ短周期超格量子阱的稳态和瞬态荧光进行了实验研究，通过不同激发强度下逐级饱和过程测得ＺｎＳｅ垒区自由激子寿命为３５ｐｓ，［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］７阱区自由寿命为１７７ｐｓ，束缚在不同ｎ值的Ｔｅ束缚激子的复合寿命为０．５－１０ｎｓ。揭示了Ｔｅ掺杂浓度对能量传递、荧光波长和荧光寿命的灵敏的影响及其规律。     

CO在Pt／Si和Pd／Si上的化学吸附

本文根据单电子化学吸附理论，利用格林函数方法和复能积分技术，研究了ＣＯ在Ｐｔ／Ｓｉ和Ｐｄ／Ｓｉ上的化学吸附。用ｓｐ杂化轨道模型描述衬底，用紧束缚的ｄ轨道模型描述金属。计算结果表明：（１）化学吸附能随Ｓｉ上金属的层数增加而单调下降；（２）Δε〈０ｅＶ的杂质效应表现为使化学吸附减弱；Δε〉０ｅＶ的杂质效应表现为杂质位于表面第一层时加强了化学吸附，杂质位于其它层时减弱了化学吸附。     

H2SO4介质中Ce（Ⅲ）在铂电极上的氧化及其对Mn（Ⅱ）催化氧 …

在１ＭＨ２ＳＯ４，Ｃｅ（Ⅲ）在铂电极上的氧化－还原伏安图表明，电位扫描速度为０．０５０Ｖｓ＾－１时氧化峰电位Ｅｐａ＝０．９２Ｖ还原峰电位Ｅｐｃ＝０．６４Ｖ，△Ｅｐ＝０．２８Ｖ，能峰电位随扫描速度而变化，峰电流Ｉｐａ和电位扫描速度的平方根√ｖ不成线性关系：Ｃｅ（Ⅲ）在铂电极上的电荷迁移为准可逆过程，生成的Ｃｅ（ＩＶ）对Ｍｎ（Ⅱ）有均能催化氧化作用，催化电流峰电位在１．２６Ｖ处，催化反应受Ｍｎ（Ⅱ）。     

金属—铁电薄膜—半导体结构的电容—电压特性理论分析

用半导体理论讨论了金属－铁电薄膜－半导体（ＭＦＳ）结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特性，其结果表明：在ｎ型Ｓｉ基片上，理想ＭＦＳ的Ｃ－Ｖ曲线为逆时针回滞，有载流子注入的ＭＦＳ结构的Ｃ－Ｖ曲线为顺时针回滞，这与实验结果是一致的。     

单纯疱疹病毒胸苷激酶基因的脑肿瘤基因治疗研究

单纯疱疹病毒胸苷激酶基因（ｈｅｒｐｅｓＳｉｍｐｌｅｘＶｉｒｕｓ－ＴｈｙｍｉｄｉｎｅＫｉｎａｓｅ，ＨＳＶ－ｔｋ），配合核苷酸类似物（ＮＡＳ）ＧＣＶ或ＡＣＶ的基因治疗是目前肿瘤基因治疗领域中的一种较有然望的治疗方法。     

用谱学方法研究铜在Fe（CN）^3—6溶液中的腐蚀行为

用ＦＴ－ＩＲ、ＵＶ－Ｖｉｓ和ＸＰＳ等分子光谱和电子能谱方法研究了铜在Ｆｅ（ＣＮ）＾３－６溶液中的腐蚀过程，表面膜的形成及其改性。结果表明，腐蚀膜主要由Ｃｕ＾１＋４Ｆｅ＾Ⅱ（ＣＮ）６（大量）和Ｃｕ＾２＋２Ｆｅ＾Ⅱ（ＣＮ）６（少量）组成，并夹杂有Ｋ４Ｆｅ（ＣＮ）６和Ｋ３Ｆｅ（ＣＮ）６；     

叶绿素镧的谱学研究

在甲醇和醋酸溶液中合成得到翠绿色的叶绿素镧复合物，研究了它的紫外可见光谱，Ｆｏｕｒｉｅｒ红外光谱和磁圆二色性谱。叶绿素镧的ＵＶ－Ｖｉｓ谱呈现Ｓｏｒｅｔ带分裂，Ｑｙ（０－０）带紫移，其它Ｑ带消失的特征。叶绿素镧的ＦＴ－ＩＲ谱与其它金属叶绿素如叶绿素锌，叶绿素铜，叶绿素的光谱性质极为相似，而与脱镁叶绿素的光谱性质差别很大。     

（ZnS）n／（Si2）n（110）超晶格的电子结构和光学性质

用线性Ｍｕｆｆｉｎ－ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ）能带计算方法对晶格匹配的超晶格系统（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）（ｎ＝２～５）进行超原胞自洽计算．在此基础上，用冻结势方法计算了该超晶格系统的价带带阶；用四面体方法计算了该系统的联合态密度．结果表明，该超晶格系统的价带带阶约１．５ｅＶ．还讨论了（ＺｎＳ）ｎ／（Ｓｉ２）ｎ（１１０）超晶格系统的光学性质．     

山东莱芜煤田二叠纪孢粉组合特征及其地质时代讨论

通过时莱芜煤田二叠纪孢粉组合的分析研究，建立了本区二叠纪三个孢粉组合带，即１。Ｇｕｌｉｓｐｏｒｉｌｅｓ－Ｓｉｎｕｌａｔｉｓｐｏｒｉｔｅｓ组合；２．Ｆｌｏｒｉｎｉｔｅｓ－ＣｒａｎｕｌａｔｉＳｐｏｒｉｔｅｓ组合，３．Ｐａｔｅｌｌｉｓｐｏｒｉｔｅｓｍｅｉｓｈａ－ｎｅｍｓｉｓ－Ｖｅｓｉｃａｓｐｌｒａｆｕｓｉｆｏｒｍｉｓ－Ｖｉｒｔｒｅｉｓｐｏｒｉｔｅｓ组合。该三个孢粉组合分别反映山西组、下石盒子组及上石盒子组的孢粉组合面貌。     

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。