金属球与无限大导体平板系统电容的精确计算

用镜象法求解金属球与无限大导体平板系统的电容。根据数学物理理论,通过配置镜象电荷系列进行求解电容,即在金属球与无限大导体平板系统中配置镜象电荷系列,通过引入叠加系数Cn,2k可以精确确定镜象电荷系列中任意象电荷的位置和电量,并采用计算技术工具软件MATLAB进行运算与作图,精确计算系统的电容。     

利用PN结的C—V特性来测其击穿电压

提出了一种通过测量ＰＮ结的势垒电容的Ｃ－Ｖ特性来测量ＰＮ结的击穿电压ＶＢ的方法，与传统的方法相比它有更精细的击穿特性曲线；同时也为Ｃ－Ｖ仪开发了一种新的应用。     

金属球与无限大导体平板系统电容的研究与计算

采用镜像法与叠加系数法求解了金属球与无限大导体平板系统的电容．根据数学物理理论，本文通过引入叠加系数Cn,k的方法，在金属球与无限大导体平板系统中配置镜像电荷系列，可以精确确定镜像电荷系列中任意象电荷的位置和电量，并采用计算技术工具软件Matlab进行运算与作图，精确计算系统的电容．这种方法分析过程直观、简捷、计算精度高等特点．     

PN结泊松方程的一种改进算法及其Matlab验证

针对在PN结泊松方程求解过程中几种常用方法存在的不足,提出一种改进算法.该算法结合求解非线性方程组的Newton迭代法与SOR(逐次超松弛迭代)法,即用松弛因子对Newton迭代过程的前、后2项进行加权平均,组成新的迭代公式.为进一步完善算法,在迭代公式中修改松弛因子,采用最佳松弛因子形式.根据改进算法的计算思路,运用Matlab7.0编程,对算法进行仿真与模拟.结果表明:算法真实可行,既保持计算的高精度,也明显地减少计算的迭代次数,提高求解过程的收敛速度,且仿真图像与文献图像较吻合.     

解M/a-Si势垒区泊松方程

本文证明:(1)对任何形式的、连续的、a-Si隙态密度分布函数,只要我们利用Riemann-Stieltjes积分中值定理,势垒区的泊松方程都可以解析求解.(2)M/a-Si势垒区泊松方程的抛物函数解,是由假定空间电荷区自由载流子耗尽带来的.     

N~-N~+结的累积层效应

集成注入逻辑器件中的控制机理是N~-N~+构成的累积层,这种累积层尚未得到适当的分析。本文的主要目的是导出N~-N~+结的J—V特性,并对N~-N~+结的累积层效应作了详细地分析。分析表明累积层效应与实验结果一致,当累积层的复合时间,τ_(s c)→0时,少子分布从注入极平面开始线性地减小,τ_(s c)→∞时,少子分布是均匀的,在有限的τ_(s c)和高偏置电平下,N~-N~+结的电流随N 中性区宽度W的增大而增大。     

二极管非超突变结C-V幂律分析

 基于杂质浓度分布的突变结或线性缓变结模型,二极管p-n结（电）容—（电）压关系可简单地由C-V幂律描述。精密的实验测量数据显示,采用指数n=1/2或n=1/3不足以全面描述非超突变结C-V关系。通过引入杂质浓度幂函数分布规律并利用泊松方程,从而获得二极管p-n结C-V幂律通式,而指数n=1/2或n=1/3仅是新模型的特例。运用合理的数据处理技术,由一系列实验结果说明该幂律分析方法更具普适性。     

晶体管发射极势垒电容CTe的测试及数据处理

本文阐述了用ｆＴ测试仪，测试ＣＴｃ的原理，测度子３ＤＧ６０，３ＣＫ３和３ＣＧ２１ｃ的ＣＴｃ并对大量测试结果用微机进行了处理，测试计算结果与经验公式给出的值吻合，Ｋ在２－３之间。     

电荷平面任意分布时二维静电场的有限元法

应用有限元法，将泊松方程不能直接求解的二维静电场分布问题转变为一个变分问题，并最终归结为求解线性方程组的问题．     

二极管p－n结杂质浓度分布模型改进

 简化的突变结或线性缓变结模型已能很好地近似二极管p－n结杂质浓度分布规律，但从精密的实验测量结果中发现传统模型存在局限性。基于随机选取常用产品的C－V实验数据，利用泊松方程并结合提出的改进模型，可以更准确地描述p－n结杂质浓度分布。虽然部分样品C－V关系可由指数1/2或1/3独立表示，但数据拟合分析显示采用指数n=1/2和n=1/3两模型分量共同描述更合理。模型改进可获得更准确的p－n结杂质浓度分布规律及物理参数。     

爱因斯坦场方程化为泊松方程的条件

章采用特殊参考系将爱因斯坦场方程用于缓变的弱场时化为泊松方程，强调指出爱因斯坦场方程化为泊松方程的条件是任意的缓变弱场，而不只是线性的缓变弱场。     

关于PN结的接触电位差

通过对突变ＰＮ结接触电位差关系式推导证明硅和锗二极管导通电压值。     

光电池非线性区PN结光生伏特效应的研究

根据光电池线性区应用叠加定理建立的PN结光生伏特效应理论，阐述了PN结光生伏特效应在光电池非线性区的应用。     

Pt/MgO/Pb0.2Zr0.8TiO3/SrRuO3复合铁电隧道结的阻变特性研究

采用脉冲激光和磁控溅射技术制备Pt/MgO/Pb_(0. 2)Zr_(0. 8)Ti O_3(PZT)/SrRu O_3复合铁电隧道结.固定MgO/PZT复合层的厚度为10 nm,改变MgO与PZT的相对厚度,研究其隧道结的阻变特性.研究结果表明,随MgO厚度的增加,高低阻态比值呈现先增加后减小的趋势.这些结果可以用隧穿势垒的非对称性解释.     

泊松过程的教学研究

本文采用与现行教科书不同的方法，从泊松分布出发，借助于Ｃｈａｐｍａｎ－Ｋｏｌ－ｍｏｇｒｏｖ方程，导出泊松过程定理。其特点是：（１）可以与本科概率论课程中的泊松分布相衔接；（２）可以更形象地表现过程与分布之间的区别与联系，从而更充分地揭露出过程的物理含意；（３）可以减少导出引理以及在此基础上导出定理的较大篇幅，更直接地导出泊松过程定理     

基于PN结的电子测温

温度是表征物体冷热程度的物理量,对它的测量与控制有十分重要的意义。由此作者提出设计一种基于PN结的工业通用的CAN总线标准的测温系统,该系统通过PN结温度传感器采集信号,是能自动监测被测对象的温度的测温系统。     

类双调和方程的高精度差分方法

提出了一类双调和方程的高精度差分方法，该方法是以建立Ｐｏｓｉｓｓｏｎ方程的高阶方法法为前提的，具有四阶、六阶精度。用于应用算例，检验了本文格式的优良性态。     

二次击穿效应

论述了半导体器件工作在二次击穿区域内的特性，研究和总结了可见效应及电效应，这些效应与器件结构及各种工作条件下的电场及载流子分布有关，证明在具有中等和高电阻率的厚集电极情况下，可见损坏面积大，而电变化及损坏较之薄集电极外延层的情况小．