MOCVD制备Mo2C膜成膜机理

对ＭＯＣＶＤ制备Ｍｏ２Ｃ膜的物理化学机理进行理论探讨。根据实验结果论证了ＭＯＣＶＤ制备Ｍｏ２Ｃ膜过程中,Ｍｏ（ＣＯ）６遵从先被基底吸附、发生相变再进行分解的两步机制;Ｍｏ（ＣＯ）６的分解过程是级联式分解,最后由Ｍｏ碳化为Ｍｏ２Ｃ膜;利用Ｇｉｂｂｓ函数最小的原理,对ＭＯＣＶＤ沉积Ｍｏ２以ＩＰ ＲＣ ＹＩＤ Ｒ ＦＫＦ ＤＭＨ ＡＤＷＲＢＩＢ ＯＶＴ ＦＪＴＦＹＦＴＨ,ＲＰＷＳＶＦ Ｂ ＤＮ ＥＡＪＤ     

基于ODBC的数据库应用程序的编程技术研究

论述了ＭＦＣ对ＯＤＢＣ的数据库编码的支持,并讨论用ＶｉｓｕａｌＣ＋＋开发ＯＤＢＣ应用程序的编程方法,然后结合ＯＤＢＣ应用程序实例说明编程的实现过程。     

MFC应用程序动态访问ORACLE数据库

使用ＶＣ＋＋提供的ＭＦＣ类库,通过ＯＤＢＣ技术,实现对ＯＲＡＣＬＥ数据库的动态访问,并介绍其运行环境的建立及ＭＦＣ应用程序动态访访问ＯＲＡＣＬＥ的思想。     

MOCVD生长的InP外延层的输运及发光特性

使用ＭＯＣＶＤ生长技术，在ｎ型及半绝缘衬底上生长了ＩｎＰ外延层，通过对迁移率和低温光致发光，光反射谱的分析，得出了样品纯度与有关生长条件的关系。比较两种不同衬底上外延层的光荧光谱，发现杂质ｓ在ＩｎＰ外延层中的扩散是不容忽视的。     

hSOD基因导入细胞抗超氧阴离子毒性的研究

研究了已获得稳定表达的ｈＳＯＤ基因导入细胞（ＣＭＶ－ＳＯＤ细胞）对百草枯（ｐａｒａｑｕａｔ）和黄嘌呤（Ｘ）／黄嘌呤氧化酶（ＸＯ）产生的超氧阴离子造成的细胞毒性的抵抗作用。结果表明：在百草枯和过氧化氢酶共存时,ＣＭＶ－ＳＯＤ细胞的存活率明显高于父本细胞,同时父本细胞过氧化脂质的产生数值显著高于ＣＭＶ－ＳＯＤ细胞;经过Ｘ／ＸＯ处理,ＣＭＶ－ＳＯＤ细胞的存活率为５３％,而父本细胞的存活率仅为４０％,同时     

维生素E及其与维生素C,维生素B2联用对小鼠抗 …

研究了维生素Ｅ（ＶＥ）及其与维生素Ｃ（ＶＣ）,维生素Ｂ２（ＶＢ２）联用对小鼠机体抗氧化机能的影响。结果表明,对小鼠单独饲喂ＶＣ或ＶＥ,ＶＣ,ＶＢ２联合饲喂,均能显著提高小鼠心、肝组织超氧化歧化酶（ＳＯＤ）的活性作用;单独饲喂ＶＥ,ＶＣ或ＶＥ,ＶＣ,ＶＢ２联合饲喂,其肝脏丙二醛（ＭＤＡ）含量均低于对照组,差异非常显著,肝脏ＳＯＤ／ＭＤＡ和ＧＳＨ－Ｐｘ／ＭＤＡ比值升高;单独饲喂ＶＣ组ＧＳＨ－Ｐｘ／ＭＤ     

对接沟道NMOS结构杂质分布的二维数值模拟

针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＾＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析。结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成。     

新型真空镀膜设备数据库管理

新型真空镀膜设备计算机控制系统（ＺＤＣＣＳ）上位管理机中,数据库的设计是通过基于ＶｉｓｕａｌＣ＋＋所支持的开放数据库互连（ＯＤＢＣ）来实现的．ＯＤＢＣ是实现异构环境数据库访问的接口,利用ＯＤＢＣ,应用程序开发人员可对多种不同数据库中的数据进行存取、修改和查询．ＶｉｓｕａｌＣ＋＋１５以上版本的ＭＦＣ（微软基本类库）提供了一些数据库类支持ＯＤＢＣ．这些类和ＶｉｓｕａｌＣ＋＋面向对象的特性,简化了编写Ｗｉｎｄｏｗｓ环境下访问各种数据库应用程序的工作．     

乙烯利诱导黄瓜雌花分化机理初探(简报)

乙烯利诱导黄瓜雌花分化机理初探（简报）于凤鸣刘玉艳杨越冬（河北农业技术师范学院园艺系，昌黎，０６６６００）ＰＲＥＬＩＭＩＮＡＲＹＳＴＵＤＹＯＮＴＨＥＭＥＣＨＡＮＩＳＭＯＦＣＥＰＡＩＮＤＵＣＩＮＧＦＥＭＡＬＥＦＬＯＷＥＲＳＯＦＣＵＣＵＭＢＥＲＴＯＤＩＶ...     

对接沟道 NMOS 结构杂质分布的二维数值模拟

针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析．结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成．     

衬底温度对In_xGa_（1-x）N薄膜结构特性的影响

本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度（固定其它工艺参数）来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪（XRD）、X射线荧光光谱仪（XRF）、扫描电子显微镜（SEM）和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬底温度较高时有利于沉积高结晶质量的InxGa1-xN薄膜.当衬底温度为470℃时,在硅衬底上所沉积的InxGa1-xN薄膜In含量较高,为46.92%;薄膜表面光滑致密,粗糙度小;颗粒较大,且颗粒大小均匀.     

衬底温度对InxGa1-xN薄膜结构特性的影响

本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度(固定其它工艺参数)来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬底温度较高时有利于沉积高结晶质量的InxGa1-xN薄膜.当衬底温度为470℃时,在硅衬底上所沉积的InxGa1-xN薄膜In含量较高,为46.92%;薄膜表面光滑致密,粗糙度小;颗粒较大,且颗粒大小均匀.     

金属有机化合物化学气相淀积含钛硬质涂层的性能研究

在用文题淀积方法制备出氮化钛、碳氮化钛和碳氮氧化钛硬质涂层的基础上,用表面分析手段分别进行了成分、结构分析、形貌观察和硬度测定。结果表明:以二乙胺基钛为原料可分别在773K和973K淀积氮化钛和碳氮化钛涂层;用钛酸异丙酯和钛酸丁酯可分别在973K和1073K获得碳氮氧化钛涂层。所得的涂层表面光洁度高、与基体附着性好、硬度满足实用要求。相比于普通化学气相淀积方法,本法在制备硬质涂层上有两大优点:(1)淀积温度降低,扩大了基体的选用范围;(2)固溶体涂层的获得扩大了涂层的适用范围。     

电子级Ⅲ族金属有机化合物的制备与应用进展

该文介绍了Ⅱ族、Ⅲ族金属有机化合物的合成方法、性质及其应用领域,特别对当前应用广泛的电子级Ⅲ族金属有机化合物的提纯方法做了系统介绍,指出目前电子级Ⅲ族金属有机化合物在应用过程中存在的不足及需改进的方向.重点阐述了迭氮类Ⅲ族金属有机化合物在MOCVD技术的未来应用中的优势及其研究进展,展望了电子级Ⅲ族金属有机化合物对于促进半导体技术科技进步的重要意义和需要进一步研究发展的方向.     

一种新型的液态源MOCVD技术

一种新型的液态MO源金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,它采用液态MO源脉冲输送技术。该方法采用了可编程控制器(PLC)和触摸屏,可通过触摸屏完成系统控制、工艺参数设置及数据显示,提高了MOCVD系统的自动化程度,确保工艺的重复性和稳定性。通过该方法,成功地制备了TiO2薄膜。     

AP-MOCVDGaN材料生长特性

研究低温生长GaN过渡层（缓冲层）在AP－MOCVD生长GaN材料过程中的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对GaN材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化，获得了X射线双晶衍射半峰宽为6’的GaN外延层．     

自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性

采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜, 并研究了薄膜的生长特性和电学特性. 结果表明, 在基片温度为600 ℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀, 取向较一致, 为c轴取向生长. 其载流子迁移率为3.79 cm²/(V·s).      

等离子体清洗GaAs和Al2O3衬底的RHEED图像分析

针对GaAs和Al2O3作为外延GaN薄膜的主要衬底材料,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)工艺对其分别进行纯氢、氢氮等离子体清洗,并配备高能电子衍射仪(RHEED)实时监测清洗过程．CCD的RHEED图像分析表明,在一定条件下用纯氢等离子体对GaAs衬底清洗只需1min左右,即可得到比较平整的清洗表面,但清洗2min以上表面质量开始变坏．若在氢气中加入少量氮气,清洗时间可延长至10min左右．而Al2O3衬底对纯氢等离子体的清洗时间比较敏感,清洗2min左右就能获得平整的清洗表面,若时间延长到4min,表面质量将开始变坏．如果采用氢氮等离子体清洗,约需20min时间,而且在很宽的清洗时间范围(20～30min)内都能获得良好的清洗表面．     

航空电子设备喷雾冷却技术研究进展

 介绍了喷雾冷却技术工作原理，从雾化特性、冷却液特性和表面特征3个方面分析了影响喷雾冷却的关键因素，总结了喷雾冷却技术在航空领域的研究现状，指出在不同重力和加速振动等特殊环境下喷雾冷却技术存在的问题，并对航空电子设备喷雾冷却技术发展进行了展望。     

InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点

报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um~1700um范围内，半高峰宽为80meV