CdGeAs2多晶合成研究

以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs_2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs_2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs_2多晶.用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs_2多晶进行了DTA分析,结果显示CdGeAs_2多晶的熔化温度为669.24℃、结晶温度为615.55℃.根据DTA分析结果设计CdGeAs_2晶体生长温场,采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为φ15 mm×45 mm的CdGeAs_2晶体,并对其进行解理实验,获得了完整、光滑的解理面,经XRD分析结果显示,连扫谱呈现(101)面的四级衍射峰,(101)面回摆谱峰尖锐、对称性好.     

硒铟镓银多晶材料的合成研究

根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法.     

ZnGeP2多晶合成工艺改进及其X射线衍射分析

两温区气相输运合成ZnGeP2多晶,易发生化学计量比偏离,产生Ge、Zn3P2等杂相,在合成坩埚(石英安瓿)内壁凝聚一层ZnP2和P的沉积物.通过对合成设备、安瓿尺寸和工艺的改进,采用机械振荡炉体和竖直梯度降温相结合的新工艺,成功地合成出ZnGeP2多晶材料.合成的ZnGeP2多晶,经XRD分析测试,并采用Rietveld法进行全谱拟合精修、计算出各物相的相对含量.结果表明,改进工艺合成的ZnGeP2多晶是高纯单相材料,可用于单晶生长.采用改进工艺合成的ZnGeP2多晶为原料,生长出完整性好的ZnGeP2单晶体,在2.5～8.2μm范围的透过率达60%左右,光学质量较高.     

影响AgGa1-xInxSe2多晶合成质量的因素分析

高纯AgGa1-xInxSe2多晶料,是进行单晶生长的关键和前提．本文以合成AgGa0.8In0.2Se2为例,对影响AgGa0.8In0.2Se2多晶合成质量的因素进行研究．发现借鉴Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,采用同成分点配料方式合成AgGa0.8In0.2Se2多晶,比采用化学计量比配料合成的多晶质量更高．通过对比实验,发现采用机械和温度振荡相结合的方法能有效减少多晶料块中空洞的产生,将上下振荡温度从900℃和800℃提高到1060℃和900℃时,得到的多晶料块更致密．     

β-（4，4’-H2bipy）[CdBr4]的合成和晶体结构研究

合成了一个具有零维孤立结构的新化合物β-（4，4＇-H2bipy）[CdBr4]（1）。化合物中包含有孤立的质子化的4，4’-联吡啶和CdBr4原子团。在CdBr4原子团中镉原子采用四配位的四面体构型和四个溴原子配位。4，4’-H2bipy基团和CdBr4原子团通过氢键联结形成二维层状结构。     

Ni(VOPO_4)_2·4H_2O的合成与晶体结构

在V2O5－H3PO4－Ni－CH3NH2－H2O体系中,通过反应原料间的组装反应合成Ni（VOPO4）2·4H2O绿色晶体,并通过元素分析、IR、DTA－TGA及ESR谱进行表征．晶体结构由单晶X射线衍射法确定,晶体属四方晶系,I4／m空间群,a＝b＝0．6228（2）nm,c＝1．3327（4）nm,V＝0．5169（5）nm3,Z＝2．     

一种单晶光学晶体的晶面偏角及偏向测算方法

本文提出了一种运用三点法来求取单晶实际切割晶面相对于理想切割晶面方位角度的一种定向简便计算方法。单晶光学晶体晶面由于生长和切割误差等原因,往往造成实际切割晶面与理想切割晶面有偏角。为了获得这种偏角关系进行晶体的准确定向、切割加工,采用YX-2型X射线晶体定向仪与传统的数学计算方法相结合,运用三点法即可准确计算出实际切割晶面任意方位与理想切割晶面之间的偏角大小及具体偏向。晶体定向准确度高,操作方便,快速简捷,费用便宜,可准确地确定晶体的切割方向。     

β-(4,4'-H2bipy)[CdBr4]的合成和晶体结构研究

合成了一个具有零维孤立结构的新化合物a-(4,4'-H2bipy)[CdBr4](1).化合物中包含有孤立的质子化的4,4'-联吡啶和CdBr4原子团.在CdBr4原子团中镉原子采用四配位的四面体构型和四个溴原子配位.4,4'-H2bipy基团和CdBr4原子团通过氢键联结形成二维层状结构.     

β-(4,4''''-H2bipy)[CdBr4]的合成和晶体结构研究

合成了一个具有零维孤立结构的新化合物β-(4,4-’H2bipy)[CdBr4](1)。化合物中包含有孤立的质子化的4,4-’联吡啶和CdBr4原子团。在CdBr4原子团中镉原子采用四配位的四面体构型和四个溴原子配位。4,4-’H2bipy基团和CdBr4原子团通过氢键联结形成二维层状结构。     

SrWO4多晶料的合成及其单晶的生长

用分析纯的SrCO3和WO3为原料通过高温固相反应合成生长SrWO4晶体的多晶料,采用提拉法使用沿α轴向的籽晶成功生长出φ22mm×40mm的无开裂、无色透明的SrWO4单晶.X射线粉末衍射实验表明所生长的SrWO4单晶属于四方晶系,空间群为I41/a.通过浮力法测得其密度为6.439 g·cm-3,用X射线荧光分析法测量了SrWO4单晶中W元素和Sr元素的有效分凝系数,其值接近于1.     

高纯元素合成磺化汞及其单晶的生长

研究了“真空冷指升华法”制备高纯碘（I2）；采用“三温区汽相合成法”将高纯汞（Hg)与高纯碘合成碘化汞（HgI2);α-HgI2单晶的“三温区定点成核法”的汽相生长，分析讨论了温度场对晶体生长的影响，实验结果表明：汞与碘合成时对碘源区，汞源区，碘化汞沉积区分别设置成不同的合适温度，在合成时碘的量比按化学配比的计算值过量5％左右，且在长晶时对原料进行碘处理的方法能确保HgI2的纯度及汞与碘的最佳化学比，长晶时源区温度在125－126℃，长晶区温度在111－112℃，源区与长晶区的温度梯度为1℃/cm，这样在生工安瓿中所形成的温度场对晶体的生长是比较适宜的。     

添质铝金红石(TiO2)单晶体焰熔法生长实验及机理

使用添加适量(原子分数为0 4%)Al2O3的金红石粉料,采用焰熔法成功地生长了尺寸为20mm×30mm的透明金红石单晶体,而采用相同工艺使用纯金红石粉料生长的晶体却是蓝黑色不透明的·添质铝在晶体生长过程中有如下作用:Al3 在晶体中取代Ti4 的位置,减少了氧的配位数,因而减少了晶体形成时对氧的需求,从而减少了由于Ti4 还原而形成的Ti3 和非本征氧空位的数量;由于Al3 半径小于Ti4 ,因此增加了正离子间距,使氧离子更易于迁移;形成添质后晶体的本征(固有)缺陷对Al′Ti V¨O,提供氧离子扩散通路·因此适量Al2O3的添加从宏观上增加了氧离子在晶体中的扩散速度,避免了大量色心的形成,从而在生长过程中可直接获得透明的金红石单晶体·     

温度对RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响

多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2H6为掺杂气,采用先进的快热化学气相沉积法(RTCVD)制备了大晶粒的多晶硅薄膜.所制备的薄膜厚度为30~40μm,沉积速率达3~7μm/min.文中还分析了沉积温度对多晶硅薄膜生长速率及晶体微观结构的影响.结果表明:当沉积温度在900~1170℃时,平均生长速率随温度近似单调递增,此时薄膜生长由表面反应阶段控制;随着温度的升高,薄膜平均晶粒尺寸也由900℃时的不足3μm增长到1170℃时的超过30μm;温度较低时,薄膜易向[220]方向生长;温度达到1170℃时,多晶硅薄膜有向[111]方向生长的趋势.     

X射线分光晶体TAP生长动力学

采用静态体现显微法测量在饱和点为３２２．１５Ｋ下水溶液中ＴＡＰ晶体各显露面的生长速率Ｒ，然后将实验数据用电子计算机归纳出Ｒ与σ的关系。用ＢＣＦ面扩散模型对生长机理进行了探讨，认为ＴＡＰ晶体的水溶液生长机制是面扩散起主导作用。     

CdGeAs2晶体红外双折射率和吸收系数的第一原理计算

基于第一原理赝势平面波方法,采用密度泛函理论的局域密度近似（LDA）方法计算了CdGeAs2晶体的介电函数,并由此得到红外波段的折射率ne 、no, 双折射率Δn和静态介电常数ε(0),将计算值同实验值作比较,结果一致.还计算了CdGeAs2 晶体的红外吸收系数,与实验测得的红外透过率谱进行了比较,计算值与实验值吻合较好. 结果对CdGeAs2晶体质量的改进和应用具有实用价值.     

防止硫镓银多晶合成中容器爆炸的研究

通过对硫镓银多晶合成实验过程中容器易发生爆炸的原因进行分析研究，提出了两温区气相输运、温度振荡合成AgGaS2多晶的新方法，即通过分段升温同时旋转合成炉逐步消耗参与反应的硫，然后在高温进行两温区气相输运反应后再进行温度振荡混合反应，减小反应过程中合成管内压力，避免了容器爆炸的发生，获得了高纯单相的AgGaS2多晶原料。     

碘化汞单晶体的生长与品质研究

报道了用温度振荡法(TOM)进行碘化汞(HgI_2)大单晶体的生长过程。并对晶体的形态、结构、化学配比和位错密度等进行了研究,结果表明,TOM是生长大尺寸优质HgI_2单晶体的有效方法。     

VO(H_2AsO_4)_2的合成与晶体结构

在五氧化二钒-三氧化二砷-砷酸-水体系中，以水热法合成了VO（H2AsO4）2蓝色四棱柱状晶体，晶体属四方晶系，P4／ncc群，a=b=0．9120（1）nm，c=0．8131（1）nm，V＝0．6763（2）nm3，Z＝4．     

2-乙酰吡啶缩水杨酰腙的合成与结构表征

在乙醇溶剂中合成了2-乙酰吡啶缩水杨酰腙,并用X-射线单晶衍射方法对其进行了晶体结构解析,结果表明,该化合物为斜方晶系,晶胞为Pbca,晶胞参数:a=1.28255(18)nm,b=1.18412(13)nm,c=1.6958(3)nm,V=2.5753(6)nm3,Z=8,Mr=255.27,Dc=1.317 g/cm3,T=298(2)K,F(000)=1072,μ(Mo Kα)=0.091 cm-1,R=0.0453和ωR=0.0827,化合物分子通过分子间氢键和π-π堆积作用形成了"Z"型结构。