系统结构缺陷分层预测方法

为解决缺陷预测中的缺陷分类问题, 提出了分层式缺陷预测模型。通过对缺陷特征的分析建立了缺陷特征预测方法, 使具有相似特征的缺陷形成相似特征缺陷簇。给出了相似特征缺陷簇间关联关系预测方法, 构建了缺陷关联关系预测模型, 使具有强关联关系的相似特征缺陷簇再次成簇, 从而达到缺陷预测的目的。实验结果表明, 在缺陷成簇密度、 成簇数量及成簇客观性方面, 该系统结构缺陷分层预测方法好于K-means算法。     

不规则缺陷管道失效压力影响因素及评价方法

采用实体有限元模型对不规则形状缺陷管道的失效压力进行研究,不规则缺陷由浅腐蚀缺陷和深腐蚀缺陷组成,深腐蚀缺陷包含在浅腐蚀缺陷内;分析深腐蚀缺陷的轴向间距和尺寸对不规则形状缺陷失效压力的影响;基于不规则缺陷等效形状的有效深度提出一种预测不规则形状缺陷管道失效压力的新方法,采用新的评价方法对不规则形状缺陷管道的失效压力进行预测。结果表明：深腐蚀缺陷轴向间距的增加会造成不规则缺陷管道失效压力增加,深度和长度增加会造成失效压力降低,而深腐蚀缺陷的宽度对失效压力基本无影响;新评价方法对不规则形状缺陷管道的失效压力的预测结果与不同等级管道的试验结果吻合较好。     

板片空间结构缺陷敏感区域

提出了结构缺陷敏感区域的概念,即结构中对某种缺陷非常敏感的区域.借助于结构缺陷稳定分析的改进随机缺陷法,对板片空间结构的缺陷敏感区域进行了研究,结果证明改进随机缺陷法可定量、准确地分析结构的缺陷敏感区域.对2个算例(单层板杆组合结构和有板立体桁架模型)的缺陷敏感区域进行了分析,得出了相应结构的缺陷敏感区域和影响最大的结点位置,并发现不同结构的支座结点的影响相差很大,说明在对结构进行缺陷稳定分析时应考虑支座结点的缺陷,同时也揭示了缺陷分析中确定性方法不考虑支座结点缺陷的局限性.     

基于分子动力学模拟的含缺陷石墨烯力学性能的研究

基于分子动力学模拟的方法,研究了空位缺陷的位置、形状以及原子缺失率对石墨烯杨氏模量的影响。研究结果表明,单空位缺陷的位置对石墨烯杨氏模量有一定的影响,当施加应力方向与边缘缺陷的截面方向相同时,边缘缺陷比中间缺陷使得石墨烯的杨氏模量下降更少。研究结果还发现,映射横向长条状缺陷、映射纵向长条状缺陷、映射圆孔状缺陷和随机缺陷都使得石墨烯杨氏模量随着原子缺失率的增大而减小。对于映射圆孔状缺陷和随机缺陷,锯齿型石墨烯杨氏模量减小的幅度与扶手型的减小幅度相差不大。对于映射横向长条状缺陷和映射纵向长条状缺陷,锯齿型和扶手型石墨烯杨氏模量的减小幅度相差较大,这与石墨烯的手性矢量方向和条状缺陷方向是否一致有关。     

缺陷对一维线性函数光子晶体传输特性的影响

采用传输矩阵法计算光在掺杂缺陷的线性函数光子晶体中的传输特性,与不包含缺陷的结构进行比较.研究结果表明,在禁带中形成缺陷模,其强度不仅与缺陷层位置有关,而且与缺陷层折射率的变化有关,并随着缺陷层位置的移动而变弱;缺陷层位置和缺陷折射率影响着场强分布.     

论严格责任原则在美国产品责任法中的衰落

严格责任在《第二次侵权法重述》402A中得到确立之后迅速成为美国产品责任法的圣经。但针对制造缺陷产生的责任而设计的402A,无法妥当地适用于后来得到发展的针对设计缺陷与警示缺陷的诉讼。《第三次侵权法重述-产品责任》取代了402A的规则,明确产品缺陷分为制造缺陷、设计缺陷以及警示缺陷三种类型,严格责任仅仅适用于制造缺陷,对于设计缺陷以及警示缺陷被告承担过失责任。     

轧制气孔缺陷变形行为有限元分析

针对4004铝合金冷轧板材在轧制过程中因气孔缺陷而产生轧制裂边、断带的问题,基于gurson-tvergaard-needleman (GTN)细观损伤模型,对冷轧板成型过程中的气孔缺陷进行了模拟计算.建立了板材轧制中气孔缺陷模型,分析了气孔缺陷的分布、形貌、尺寸、缺陷及其周围区域的应力场、应变场及临界孔洞体积分数的变化,探讨了轧板气孔缺陷的演变规律.结果表明:椭球形的气孔缺陷较球形的气孔缺陷在冷轧成型中更容易产生加工缺陷;半径大于0.5 mm的气孔缺陷,其周围容易产生附加拉应力,易产生裂边、断带缺陷;气孔缺陷在距离板材表面越近处产生加工缺陷的几率越大.     

漏磁NDT原理的研究

本文在导出铁磁性材料内缩缺陷和表面缺陷的磁场强度表达式基础上，研究了缺陷的外部空间漏磁场，缺陷内磁场和缺陷几何参数之间的关系．     

防止锻造加热缺陷产生的对策

阐述了锻造中产生氧化缺陷、脱碳缺陷、过热缺陷、过烧缺陷、内部开裂缺陷的因素,指出正确合理的加热方法能避免加热缺陷,提高产品质量,降低物资消耗,最大限度地提高设备、人员的利用率.     

带随机微缺陷椭圆孔口的应力分析

利用复变函数方法,构造了保角变换函数,求解了带随机半圆形微缺陷的椭圆孔口应力场.通过分离保角变换函数,得到了微缺陷与宏观椭圆孔口应力场解析解的分离形式.研究结果表明,微缺陷主要对椭圆孔局部应力场产生影响,而对于远离微缺陷区域的应力场则影响较小.当椭圆形状固定时,微缺陷端部的应力集中系数仅与缺陷半径及微缺陷的位置有关;缺陷越小,应力集中系数越大,且此数值远大于无缺陷时椭圆孔口的应力集中系数,说明当孔边带有微缺陷时,尽管缺陷尺度远小于椭圆孔的尺度,但微缺陷对椭圆孔边缘应力集中的影响仍不容忽视.     

石油管道检测中缺陷类型判别方法的研究

文章介绍了石油管道漏磁检测中缺陷信号的提取方法;研究了一种通过比较缺陷信号与已知类型的缺陷模板的匹配程度来判别缺陷类型的方法;给出了缺陷模板的建立方法及缺陷类型的判别准则;通过仿真实验对此判别方法进行了验证,结果表明此方法可有效地判断出缺陷的类型。     

厚度递变结构一维光子晶体的缺陷模研究

光子晶体的许多应用与缺陷模相关,研究缺陷模可为光子器件的设计提供参考.利用传输矩阵法,研究了光波在包含掺杂缺陷的厚度渐变准周期结构一维光子晶体中的传播规律,分析了缺陷层的位置和光学厚度对缺陷模的影响.结果表明,在准周期结构光子晶体引入缺陷,光子晶体禁带中也产生了缺陷模;随着掺杂缺陷层位置和光学厚度的变化,缺陷模的位置和共振透射峰也随之变化.     

基于局部处理的X射线图像裂纹缺陷自动检测

研究了X射线图像裂纹缺陷自动检测问题.首先根据裂纹缺陷特征及位置信息提取感兴趣区域,使检测到的缺陷区域准确地包含实际缺陷;然后提出了一种结合局部方差和局部直方图均衡化的图像增强方法,实现了图像的对比度增强,使裂纹缺陷肉眼可见;接着利用阈值分割和形态学方法对裂纹缺陷进行分割提取;最后根据裂纹缺陷的几何特征实现了裂纹缺陷的检测.实验结果表明:相比于仅利用局部方差或局部直方图均衡化对图像做一次对比度增强,此方法能有效增强缺陷特征,更利于缺陷检测.     

浅谈红外诊断技术对电气设备电压致热类缺陷的分析

红外诊断技术是在带电状态下对电气设备进行诊断、发现隐性缺陷的有效简捷的手段。红外检测到的设备缺陷分类为电流致热类缺陷和电压致热类缺陷2种,电压致热类缺陷一般都是重要以上缺陷,有可能发展成为设备烧损或爆炸事故,所以红外检测的重点是电压致热类缺陷。     

高温环境下含典型凹坑缺陷蜂窝夹芯板特征值屈曲性能

蜂窝夹芯板在运输、使用过程中,可能在面板上产生形式各异的凹坑,研究高温环境下含凹坑缺陷蜂窝夹芯板的屈曲性能对评估结构安全和可重复使用具有重要意义。基于Python语言构建了含圆形凹坑缺陷、含正方形凹坑缺陷、含正三角形凹坑缺陷蜂窝夹芯板参数化有限元模型,分析了恒温和变温下凹坑缺陷关键参数对蜂窝夹芯板特征值屈曲性能影响规律,结果表明不管是恒温环境还是变温环境,随着凹坑缺陷直径(边长)或者凹坑深度的增大,蜂窝夹芯板临界失稳载荷降低;对比分析了等面积缺陷和等周长缺陷下三种典型缺陷对结构特征值屈曲性能的影响,结果表明等面积缺陷下,含圆形凹坑缺陷蜂窝夹芯板的临界失稳载荷略大于其余两者,等周长缺陷下,含正三角形凹坑缺陷蜂窝夹芯板的临界失稳载荷略大于其余两者。     

多层掺杂对一维光子晶体缺陷模的影响

采用特征矩阵法计算了一层掺杂、双层掺杂和三层掺杂情况下缺陷模的变化特征,得到了掺杂层数的变化对缺陷模的数目、峰高和半高宽都有明显的影响。一层掺杂时,只出现一个中心缺陷模;双层掺杂和三层掺杂时除了出现中心缺陷模外,在中心缺陷模的两侧还出现了两个对称缺陷模,中心缺陷模的半高宽随掺杂层数的增加而减小。对称缺陷模的峰高和半高宽都随掺杂层数的增加而减小;对称缺陷模的位置随掺杂层数的增加而向中心缺陷模移动。     

外磁场作用下缺陷区的磁畴变化

运用磁力显微镜观察外磁场作用下缺陷处的微磁场变化,通过分析缺陷附近磁畴的变化特征得出材料中存在缺陷时,缺陷对畴壁形成钉扎,使得缺陷两侧形成反向势垒,阻碍了畴壁运动,在缺陷边缘附近导致磁荷聚集,形成微磁固定结点,由于微磁固定结点内磁化强度的法向分量不连续,缺陷区形成泄漏微磁场,泄漏微磁场的奇异特征包含了缺陷信息,为缺陷微磁生成机理和微磁检测研究提供了理论和实验支撑.     

一维光子晶体的缺陷模式研究

利用传波矩阵方法,计算了电磁波在带有缺陷的一维光子晶体中的传波。数值计算表明,在只有一个缺陷层时,缺陷模式频率与缺陷层在光子晶体中的位置无关,当有两个缺陷层出现时,缺陷模式频率与缺陷层在光子晶体中的位置是有关的。另外,计算也表明,缺陷模式频率对缺陷层材料的折射率变化是非常敏感的。     

CVD金刚石膜中的缺陷

研究了利用直流电弧等离子体喷射(DC Arc Plasma Jet)制备的大面积金刚石膜中的缺陷问题.研究表明:金刚石膜中的缺陷包括表面缺陷、晶内缺陷和晶界缺陷,以及由于内应力产生的金刚石膜宏观和微观裂纹.金刚石膜中的缺陷与制备工艺参数有着密切关系.     

我国大学科技园发展的制度缺陷探析

制度能够产生效率,促进经济增长。大学科技园区的发展离不开有效率的制度。针对我国大学科技园区在发展过程中所暴露出来的市场制度缺陷、产权制度缺陷、风险投资制度缺陷、产学研合作制度缺陷以及非正式制度缺陷进行分析。