放射性同位素示踪法研究清洗剂“811”和“812”对半导体表面杂质的清洗效果

半导体表面杂质的清洗工艺是半导体器件生产中关键的工艺之一,它对器件性能有很大影响.目前普遍使用腐蚀性强的硝酸、盐酸、硫酸、过氧化氢和氢氧化铵等酸碱,以及毒性较大的甲苯、四氯化碳、丙酮等有机溶剂进行清洗,产生大量废水、废气,以致损害工作人员健康,造成环境污染.此外,这些高纯试剂价格较贵,清洗成本高.因此,近年来有关单位在这方面进行了探索,期望能找到一种新的半导体清洗剂,以改善这种状况.     

用冠醚清除硅单晶太阳电池表面上的碱金属杂质

为了增大硅单晶太阳电池的短路电流和光电转换效率,一种用冠醚减小硅表面碱金属杂质沾污的简单方法也被用来清除硅单晶太阳电池表面上的碱金属杂质。获得一些良好的效果。     

RCA清洗法与NCW清洗法对砷化镓晶片表面杂质去除效果对比实验

选取目前最常用的RCA清洗法和NCW清洗法分别对同批次加工的砷化镓抛光片进行清洗,使用X射线光电子谱对晶片表面杂质成分进行测试,对表面颗粒、有机物和金属3种杂质类型进行量化对比,分析两种清洗方法对3种杂质的去除能力。结果显示:表面活性剂对于有机物的去除效果比乙醇略强。基于双氧水的强氧化性和砷、镓氧化物更易溶于氨水的特性,SC-2清洗液对于表面氧化层的剥离和去除强于表面活性剂。对于主要金属杂质,两种清洗方法的去除能力相当。     

太阳能级回收硅料清洗效果研究简

通过对光伏领域回收硅料表面处理一般方法的研究,使用ICP-MS对比分析了光伏产业使用不同类型硅料经混酸腐蚀处理前后,表面金属杂质种类、含量及清洗效果的变化,并使用SEM对硅料清洗前后的形貌进行了微观分析.结果表明HF/HNO3混酸体系对于过渡族金属杂质Cu、Zn、Mn去除效果较好,对于Ti、Cr金属杂质特别是Fe的去除效果较差;硅料表面微观结构越光滑,杂质去除效果越好.     

表面活性剂对碳氢清洗剂自燃点的影响研究

利用表面活性剂将碳氢清洗剂进行改性处理,通过实验系统研究了表面活性剂种类、含量及配比对碳氢清洗剂自燃点的影响。最后,结合对油污白布的清洗效果,优选了最佳的改性配方:氟碳402的含量为1.5%,乙氧基脂肪醇的含量为1.0%,SPAN 80的含量为4.0%。该复配的改性配方可以从根本上解决碳氢清洗剂火灾危险性大的问题。     

“强力蔬果净”研制

针对目前市场上蔬菜和水果的农药残留问题,我们进行了去除残留农药的清洗剂的研究,试制出了一种用于清洗蔬菜、水果的表面残留农药的清洗剂——强力蔬果净,它可以有效地清洗掉蔬菜表面的残留农药.农药残留去除率可达44,8%,比市面上现有的名牌——雕牌洗洁精高10%.同时经过不同处理浓度和不同浸泡时间两向分组资料方差分析实验,探明了最佳处理浓度为0.4%,最佳浸泡时间为30分钟.该清洗剂不含磷.对环境安全,无毒无害无副作用.     

洁厕剂

清洗厕所的传统做法是,先用盐酸浸泡便器,然后用刷子洗刷。这种方法费时费力,且盐酸属危险品,异味浓烈。 本文介绍两种厕所清洗剂。这两种厕所清洗剂使用效果好,省时省力安全方便。第一种清洗剂由苛性钾0.3％～0.5％(重量比,下同)和表面活性剂0.2％～5％组成,必要时可添加葡     

砷化镓多晶表面清洗技术的研究

根据实际生产经验,分析了GaAs多晶料表面杂质的类型、产生原因及对后续单晶生长的影响,明确了多晶表面清洗工艺的重要性,介绍了针对不同类型杂质的清洗方法和原理,并在此基础上进行了多晶表面清洗实验,结果表明:无论是酸性清洗液还是碱性清洗液,都能达到去除GaAs多晶表面杂质的目的;Ga和As各自的氧化物在酸、碱溶液中溶解的难易程度决定了利用不同清洗液清洗后,多晶表面的光亮程度;从安全性和环保性角度来看,碱性清洗液是清洗多晶料表面更好的选择。     

多电荷原子在半导体上的化学吸附

利用自洽格林函数计算,研究了过渡金属原子的d轨道电子与半导体表面的相互作用,其中半导体用S-P杂化原子链模型来描述。采用Anderson-Newns模型来处理d轨道电子间的库仑排斥作用。结果表明,不存在像Haldane-Anderson结果所表现的那种当过渡金属杂质在半导体内时杂质原子束缚多个电子或空穴而其真实电荷改变不超过小数级的现象,详细讨论了磁解及非磁解存在的条件及解的特征。发现与金属表面吸附的情形很不相同,对半导体情形费米能级附近局域态对磁解的存在起决定性作用。此外对费米能级处的Shockley表面态的影响也作了讨论。     

具有防烧蚀功能的球端面光纤的实验研究

用射线理论对半导体激光器与球端面光纤耦合光路作了计算和分析.对大功率半导体激光器与三种不同直径球端面光纤耦合界面的防烧蚀进行了实验研究.实验结果表明,大功率半导体激光器对光纤的烧蚀主要集中在粘接剂区,且大直径的球端面光纤能有效地减小烧蚀对系统耦合效率的影响.     

旋转刷在清洗铝杆表面的应用

针对铝包钢生产过程中,电工铝杆表面的清洗存在废酸、废碱污染,以及成本高、生产效率低等问题,对生产设备及表面处理方式进行改造。采用旋转刷和清水清洗电工铝杆表面,结果表明,改造后电工铝杆表面的杂质清除干净,安全满足工艺生产要求;工序成本降低,避免了废酸、废碱、废水污染,满足国家绿色环保要求。     

陶瓷膜处理餐饮废水的膜化学清洗再生

研究了用陶瓷膜处理餐饮污水和污染后膜的化学清洗再生,考察了单种清洗剂和综合清洗的效果以及清洗时间、清洗剂浓度对清洗效果的影响.得出了有效的清洗方法,膜通量能够从46.9 L·m-2·h-1恢复到150L·m-2·h-1.     

油基钻屑微乳液清洗技术研究

油基钻屑中含有油类、重金属、有机物等污染物,属于国家危险废物.油基钻屑一方面会浪费大量油类资源,另一方面会对环境造成极大伤害.为此,进行了微乳液清洗技术研究,研究了配制规律、钻屑基础油回收率影响因素和微乳液循环利用效果评价.结果表明:微乳液清洗剂的最佳配方为V白油∶ VSJ∶ VHYw∶ V水=1∶4∶ 1.3∶2;研发的SJ微乳液清洗剂基础油回收率大于80％,清洗后钻屑含油率小于5％；SJ微乳液清洗剂与回收的油相不互溶,也不乳化,基础油从钻屑表面清洗脱附-离心分离后,清洗液和基础油分成两相,清洗液重复使用多次,钻屑含油率仍可满足环保处理要求.该清洗技术工艺简单,适应性强,不需加热,对设备要求不高,成本低,具有较好的推广应用前景.     

水厂排泥水处理的化学调质研究

通过测量Zeta电位、界面沉降性能及比阻,对应用高分子絮凝剂、表面活性剂、石灰、酸和碱进行水厂排泥水的化学调质处理效果进行了研究.结果表明:有机高分子絮凝剂对污泥的调质效果明显优于无机絮凝剂,且调质效果随絮凝剂相对分子质量的增大而加强;阳离子型表面活性剂十六烷基三甲基氯化铵(CTAC)调质对污泥处理有促进作用而阴离子型表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)却有负面影响;投加石灰能有效地降低污泥比阻(SRF),但对污泥沉淀无明显改善且增加了泥饼干重;污泥的沉淀和脱水性能随pH值的降低而改善.     

适用于柴油基钻井液的洗油型冲洗液研究

针对柴油基钻井液易残留井壁和套管壁表面,影响水泥环胶结质量这一问题,进行了FYJ洗油型冲洗液研究：（1）建立表面活性剂的优选方法;（2）优选高效表面活性剂;（3）以清洗效率、润湿反转性能及其与柴油基钻井液和水泥浆的相容性为评价指标,获得综合性能良好的FYJ洗油型冲洗液。实验结果表明：（1）适用于洗油型冲洗液用表面活性剂应选用HLB值在12~15的阴离子型、非离子型或两者复配的表面活性剂体系,且加入表面活性剂的溶液表面张力（γ）接近或小于钻井液的临界表面张力（γ_c≈23~27 mN/m）,而较优加量至少大于临界胶束浓度（CMC值）;（2）FYJ洗油型冲洗液对不同种类的柴油基钻井液的清洗效率皆达到82%以上,有较好的抗温抗盐性;（3）该洗油型冲洗液与柴油基钻井液和水泥浆的相容性良好。     

Gemini表面活性剂与卤离子对钢在磷酸介质中缓蚀协同效应

通过失重法与极化曲线法考察了季铵盐型Gemini表面活性剂1,3-双(十二烷基二甲基溴化铵)丙烷(简写为12-3-12)及其与卤离子复合体系对冷轧钢在1 mol.L-1磷酸溶液中的缓蚀协同效应.实验结果表明,在一定浓度氯离子或溴离子的存在下,浓度很低的Gemini表面活性剂12-3-12(1×10-4mol.L-1)就可以对冷轧钢在磷酸介质中起到很好的缓蚀效果;通过在Gemini表面活性剂12-3-12溶液中加入一定浓度的Cl-或Br-构筑复合的缓蚀体系,利用表面活性剂与卤离子之间显著的缓蚀协同效应,大大降低了Gemini表面活性剂在缓蚀体系中的用量,极大地降低了Gemini表面活性剂作为酸介质中钢的缓蚀剂的综合使用成本;对酸介质中Gemini表面活性剂复合缓蚀体系在金属表面的吸附机理进行了探讨,并通过Langmuir吸附理论和相关公式得到了相关热力学参数.     

超低界面张力的二元驱油体系对水驱残余油启动和运移机理

针对三元复合驱含碱驱油体系引起地层黏土分散和运移、形成碱垢、导致地层渗透率下降,碱还会大幅度降低聚合物溶液的黏弹性,从而降低波及效率等问题,利用新研制的不加碱可形成超低界面张力两性表面活性剂,通过微观模型驱油实验,分析了聚丙烯酰胺/两性表面活性剂二元复合体系对残余油启动、运移的过程,研究了该二元复合体系对水驱后残余油的作用机理.研究表明:具有超低界面张力的聚表二元复合体系利用了聚合物溶液的黏弹特性和表面活性剂体系的超低界面张力特性,使采收率大幅度提高.残余油的启动主要以拉成油滴和油丝两种形式,在运移过程中,较大的油滴又形成更容易被驱替液携带的小油滴,从而使驱油效率提高.     

半导体桥长宽比对其发火性能的影响

该文研究了电容放电发火条件下,半导体桥长宽比对其发火的临界电压、发火时间以及发火所消耗的能量等性能参数的影响规律,借助于半导体桥的等离子体发火机理对实验结果进行了分析.结果表明:在半导体桥质量、掺杂浓度相同的条件下,长宽比对半导体桥的发火临界电压影响较小;而半导体桥的发火时间随着长宽比的增加而减小,发火所消耗的能量随着长宽比的增加降低.     

半导体硅材料的清洗方法

半导体行业中的很重要的一道工序就是对半导体材料的清洗,这直接影响着半导体材料的质量及下游产品的性能。介绍了硅片表面污染的种类来源以及形成机理。对目前硅片主要清洗方法——RCA清洗法、超声清洗法、气相清洗法和其他清洗法的工作原理、清洗效果、适用范围等特点进行研究,分析了各种清洗方法的优缺点。最后,重点对半导体硅片传统的RCA清洗方法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限进行了详细介绍。生产企业可根据实际生产情况和产品要求选择合适的清洗方法。     

紧束缚方法计算Ⅲ-Ⅴ族半导体(311)B表面电子结构

本文用紧束缚方法计算了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构.半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3模型描述,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到.我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Γ-Y-S-X-Γ的色散关系.通过比较给出了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等(311)B表面共同的表面电子结构特征.