新型微功耗集成漂洗发射极晶体管

研制了磷穿过热生长薄氧化层扩散形成发射区的高频集成漂洗发射极晶体管.从与常规晶体管比较的角度,研究了这种新型的漂洗发射极晶体管的直流特性、电流增益与集电极电流及温度的关系、发射区禁带变窄效应和表面复合效应对增益的影响,并比较分析了两者的磷杂质纵向分布.     

小尺寸功率VDMOS晶体管中准饱和效应的研究

分析了功率VDMOS晶体管在小尺寸时准饱和效应的成因,并对其进行了理论证明和模拟验证.研究结果表明,在晶体管导通状态下,由于寄生JFET电阻R_j和MOS沟道电阻R_ch的分压作用,致使在MOS沟道内载流子漂移速度由饱和变为不饱和,而在寄生JFET沟道中载流子漂移速度由不饱和变为饱和,造成器件在高栅源电压V_GS时,器件漏端电流I_DS大小与栅源电压V_GS无关,从而形成准饱和效应.     

基于单电子晶体管的脉冲神经元模型

从脉冲神经元脉冲收发的需求出发,研究发现电流脉冲与单电子晶体管的库伦震荡之间的相似性,利用这种相似性提出基于单电子晶体管的脉冲神经元模型,设计出单电子电路模型并用PSPICE进行模拟仿真. 仿真结果表明,该脉冲神经元模型能满足Izhikevich脉冲神经元模型规则脉冲的要求,实现电流脉冲的输入输出,具有脉冲编码的能力.     

基于Monte Carlo分析的CC Ⅱ状态变量滤波器设计

论述了采用CMOS晶体管构建CCⅡ(第二代电流传输器)的基本原理与应用.采用CCⅡ分层模块形式进行了电流模式多功能状态变量滤波器的设计、建模与仿真.通过Hspiee对内部CMOS模型及外部元件参数进行了参数容差的MonteCarlo分析和功能验证.仿真结果与理论分析一致.与同类电路比较,该系列电路结构简单,便于集成.     

PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究

提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法——余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.     

基于EM算法的多水平零膨胀负二项混合效应回归模型的参数估计

计数数据广泛应用于医疗、生物和保险等诸多领域.泊松回归模型与负二项回归模型是分析这类离散型数据的重要模型.在实际计数中往往会出现相对于泊松分布或负二项分布过多的零,称之为零膨胀现象.分析此类数据的常见方法是零膨胀泊松(ZIP)回归模型和零膨胀负二项(ZINB)回归模型.但是,如果非零观测值过度分散并且具有相关性,则参数估计可能会出现严重偏差,导致传统的ZINB模型不能对其进行很好的拟合.提出了一种具有随机效应的多水平零膨胀负二项混合效应回归模型,并利用极大似然估计的EM算法对多水平零膨胀负二项混合效应回归模型进行参数估计.     

电离辐射效应对铁电薄膜畴结构影响模拟

运用蒙特卡洛方法计算电离辐射对铁电存储器(MFIS型铁电场效应晶体管)的损伤情况,再结合相场方法,建立了MFIS型铁电场效应晶体管相场模型.考虑电离辐射效应对场效应晶体管中铁电薄膜与电极以及绝缘体存在界面效应对存储器中铁电薄膜畴结构的影响.探究从畴结构的角度直观分析电离辐射效应对存储器损伤的可能原因.证实了界面厚度对BaTiO_3(BTO)铁电薄膜的畴结构会产生一定的影响;界面厚度的增加会使90°畴结构发生移动,主要为畴壁的移动,主要原因是界面处的极化小于内部,以及界面处的电势与内部形成的电势差,这些都会引起畴壁的移动,畴壁的移动以及畴壁数量减少,会减少体系的畴壁能,从而降低总体的能量.     

一种全集成通道级双输出低压差稳压器设计

像素型传感器的读出通道数随像素面阵增加,当芯片面积较大时,片上电源线和地线上的寄生参数将不能忽视.这些寄生参数使得通道间串扰更为严重,甚至引入读出电路的反馈回路中,从而造成电路振荡,无法正常工作.为了解决该难题,提出了一种可全集成在一个通道内的双输出低压差稳压器.这样每个通道之间的电源相互隔离,可以减少串扰,也可避免走线寄生对读出电路造成影响.该稳压器可以分别输出模拟电路电源和数字电路电源,避免数字电路对模拟电路的干扰.为了减小芯片面积,稳压器的两路输出复用了部分电路.所提出的电路采用0.25μm 2P5M商用标准CMOS工艺实现.芯片面积为480μm×153μm.消耗的静态电流为25μA.最大负载电流分别约为4.4mA和3mA.     

DAC0832教学应用

<正>1 DAC0832工作原理及特点DAC0832是常用的集成DAC,它是CMOS工艺制成的双列直插式单片8位DAC,能完成数字量输入到模拟量(电流)输出的转换,可直接与Z80,8080,8085,MCS51等微处理器相连.     

基于SILVACO的铁电场效应管性能分析

针对铁电器件制备过程中,由铁电材料对工艺的敏感性导致铁电器件难以进行系统研究的困难,提出了应用SILVACO软件以铁电材料的实际测试结果为仿真基准,通过材料参数有限且系统的变化,研究不同的材料参数对器件性能的影响的研究方法.通过应用该仿真方法研究基于PZT栅极材料的MIFIS结构的铁电场效应晶体管的最佳漏极电流与铁电栅...     

多晶硅发射区低温晶体管电流输运模型的理论分析

对于小尺寸的多晶硅发射区双极晶体管，该文在忽略基区与单晶发射区少子复合的条件下，根据单晶与多晶硅界面复合与隧穿等不同机制的共同作用、建立了发射区注入电子电流Ｊｎ和基区注入空穴电流Ｊｐｓ的一维非线性解析模型。该模型可适用于低温和不同的注入偏置条件，对低温双极器件交直流性能的模拟既快速方便，同时精度也较高，可作为低温器件多维数值模拟的重要补充以指导其优化设计。     

远场涡流中似波现象研究相速特征

应用电磁场理论及数值计算，对远场涡流中的场相速特性作了数值仿真和理论分析，并与电磁波中的相速特征作了比较和讨论，说明无场涡流是属于扩散现象中的一种似波行为。     

混合双参数指数分布的贝叶斯估计

混合指数分布是寿命数据分析中一个重要分布,其极大似然估计由于似然函数的复杂性而变得很困难.文献[9]应用EM算法研究了混合指数算法讨论了完全数据和截尾数据情形下有限混合双参数指数分布参数分布的参数估计问题,模拟研究表明贝叶斯方法对该模型的参数估计是有效的.     

刚性路面脱空的集成神经网络识别研究

通过有限元法建立了刚性路面脱空的计算模型,提出采用基于集成神经网络技术对刚性路面脱空状况进行识别,通过刚性路面脱空输入特征向量的组合,用各子神经网络对刚性路面脱空进行初步缺陷识别,然后对识别结果进行决策融合,给出了系统的实现策略和子网络的组建原则。数值模拟结果表明,采用本识别方法合理地选取了各种输入特征向量,具有更好的识别效果．     

导弹俯仰通道制导与控制一体化设计

对导弹制导与控制一体化进行了研究。首先建立了俯仰通道的制导控制一体化状态模型,然后利用特征结构配置方法,设计了导弹制导与控制一体化状态反馈控制律,所设计的控制器一方面保证导弹打击精度,另一方面保证导弹的控制回路的稳定。最后,进行了导弹非线性数值仿真,验证了所提的制导控制一体化策略的有效性,从仿真结果上看,打击精度是很高的。     

基于混合进化计算的GMM优化方法及其在说话人辨认中的应用

提出了基于进化高斯混合模型(EGMM)的说话人辨认系统建模方法.EGMM在进化算法的框架下,为改善模型的泛化性能对GMM模型的结构与参数共同进行了优化.同时,系统的优化目标中引入了其他用户的区分性信息以提高其分类精度.根据GMM的特点设计了专门的遗传算子并结合GA与EP提出了一种新的混合进化算法.初步实验结果表明,EGMM方法建立的说话人模型具有更强的泛化能力.在说话人辨认实验中,较之传统的GMM方法,基于EGMM的系统的正识率提高了近3%,并且模型具有更小的平均尺寸.     

FSS电磁散射方向特性的快速计算

基于渐近波形估计(AWE)技术和矩量法(MOM)快速获取了一维频率选择表面(FSS)的电磁散射方向特性.首先采用MOM法将FSS的电场积分方程(EFIE)转化为矩阵方程,并确定角度导数矩阵方程(MEFD);再在某一给定角度处求解MEFD,得到给定角度处的各阶角度导数感应电流;最后根据Pade逼近理论由给定角度处的角度导数感应电流确定FSS在任意角度入射波照射下的感应电流.根据感应电流及谱域Floquet谐波模计算FSS的电磁散射方向特性.计算结果表明,AWE完全能逼近MOM逐点扫描计算的结果,同时在计算速度上可加快二十多倍.     

电磁工程中的美学改进天线设计

该文从对称美学的角度来研究电磁工程问题,从电磁场的基本理论到具体的工程设计,总结出一条共性的线索,即简约的对称美.并通过设计实例得到启发,基于自然的对称美可以指导和改进电磁工程中的天线设计.     

数字相关技术实现DS信号快捕

本文提出了利用数字相关技术实现PN码同步快捕方法。该方法能对不同码型、码长的PN码所调制的BPSKDS信号进行解扩,具有体积小,稳定性好,抗振动性强,易于集成化等特点。适合于信/噪比不很低的突发直扩信号的快速捕获。文章应用《信号检测与估值》理论分析了正交双通道PN码快速捕获的特性,并设计了具体的实现电路模型。从理论上计算了在不同的虚警概率下,检测概率随输入信/噪比的变化曲线。