熔合势垒形状的唯像研究

根据唯像理论构造了一个势垒顶部出现凹槽的熔合势垒模型,来解决利用现有势垒模型计算出的熔合截面数据与实验数据不相符的问题.使用多级势近似方法计算了不同反应体系的熔合反应截面,发现当势垒厚度和凹槽的位置合适时,计算出的熔合截面数据和实验数据高度符合.该研究为进一步澄清熔合反应中熔合势垒的形状、重离子垒下熔合机制等相关研究提供参考.     

熔合势垒形状的唯像研究

根据唯像理论构造了一个势垒顶部出现凹槽的熔合势垒模型,来解决利用现有势垒模型计算出的熔合截面数据与实验数据不相符的问题.使用多级势近似方法计算了不同反应体系的熔合反应截面,发现当势垒厚度和凹槽的位置合适时,计算出的熔合截面数据和实验数据高度符合.该研究为进一步澄清熔合反应中熔合势垒的形状、重离子垒下熔合机制等相关研究提供参考.     

势垒的非对称性对隧穿几率的影响

在有效质量近似的框架下,应用传递矩阵理论研究了势垒的非对称性对单电子隧穿几率的影响.结果表明：隧穿过程的势垒的形状对隧穿几率影响很大,势垒的对称性破坏的越严重,在低能区域发生共振隧穿的可能性越小.这些可以为设计和制造更加优化的共振隧穿器件提供一定的理论指导.     

重离子熔合反应的动力学势垒

用改进的量子分子动力学模型研究了与入射能量相关的重离子熔合反应^86Kr＋^100Mo的动力学势垒．在库仑势垒附近。随着入射能的降低可以观察到动力学势垒的最低值，这个最低动力学势垒与绝热势垒非常接近；另一方面，动力学势垒随着入射能的增加而升高，最终接近于静态势垒（非绝热势垒）．发现颈部的形成和体系的动力学形变是促使动力学势垒降低的主要原因．基于动力学势垒的研究，对于重离子熔合反应的势垒贯穿给出了一种全新的解释．     

三势垒共振隧道结构中电子的几率分布和势垒贯穿系数

建立了三势垒共振隧道结构的物理模型,应用量子力学和固体理论,求出了电子的波函数和几率分布,以具有势阱材料In0.53Ga0.47As和势垒材料In0.52Al0.48As的纳米系统为例,探讨了电场对三势垒共振隧道结构电子几率分布和势垒贯穿系数的影响.结果表明:当能量较小时,电子的几率主要分布在第1势阱中,而当能量较大时,则主要分布在第2势阱,在势垒中电子几率很小;电子随能量的几率分布有波动性,在共振能附近的几率极大,共振能随着电场强度的增大而减小;电场的存在会使电子的最可几位置向入口势垒方向移动,而使电子贯穿势垒系数减小;电子势垒贯穿系数随能量增大而增大,当能量较小时,其数值及其随能量的变化都较小,当能量较大时情况则相反.     

Ar与HF的相互作用势及分波截面的研究

通过单双取代并加入三重激发项校正的二次组态相互作用(QCISD(T))方法,采用aug-cc-pVTZ基组完成对Ar-HF分子间相互作用势进行全空间扫描,使用Boys和Bernardi提出的counterpoise method,在计算的基础上消除基组重叠误差,得到更为准确的碰撞系统势能面情况.采用Huxley势函数拟合得到Ar-HF较为可靠的相互作用势,进而对Ar与HF的相互作用势进行探讨.使用精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为50meV和100meV时,Ar与HF的分波截面,弹性分波截面00-00,以及非弹性碰撞激发分波截面00-01,00-02,00-03等,得到Ar-HF碰撞系统分波截面随量子数和入射能量变化的规律.     

势垒边界对共振透射的影响

利用转移矩阵方法讨论势垒中粒子概率振荡峰的个数与入射能量、势垒宽度的关系及其势垒边界对共振透射的影响。计算结果表明边界只是改变了共振透射的位置,并没有改变振荡峰的个数与入射能量、有效势垒宽度的关系。     

Ar-HCl体系各向异性相互作用势及转动激发微分截面的理论研究

首先用gaussion03程序在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的Ar-HCl相互作用能数据,得到了Ar原子与HCl分子各向异性相互作用势;并与HWK势进行比较,验证了拟合势的可靠性;然后采用公认的精确度较高的CC近似方法计算了Ar-HCl碰撞体系能量在100meV下Ar原子和HCl分子碰撞的转动激发微分截面,总结了该碰撞体系非弹性微分散射截面的变化规律。     

核耗散强度对超重核蒸发剩余截面的影响

尽管目前利用熔合蒸发反应合成超重核的研究陷入停顿,但该反应机制仍是实验室合成新核素的主要方法.为了研究核耗散强度对超重核素合成截面的影响,通过冻结能级密度参数及其在鞍点和基态处的比值,对超重元素Cn、Fl和Lv的7个反应进行了数值计算.计算结果表明重现实验数据所需核耗散强度随超重余核质量数的减小而逐渐减弱.此外,相比于对~(282,283)Cn和~(292,293)Lv的模拟,要重现新质子幻数Z=114对应的超重复合核~(287,288,289)Fl的实验数据则需要增强核耗散强度.上述规律为获取超重核的结构信息提供了一种潜在的核反应学方法.     

试验粒子多次通过位垒方法计算熔合速率

利用试验粒子多次通过位垒的Langevin模拟方法研究重核熔合的动力学机制,计算了在条件鞍点处的熔合速率,其结果明显低于以往所用首次通过位垒方法计算的值.讨论了重核熔合过程中的非谐势对熔合速率的影响,以及不同温度及接触点对粒子熔合速率的影响.     

He-HCl体系散射截面随能量变化规律的研究

作者首先以拟合在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的He-HCl相互作用能数据,获得了He-HCl体系相互作用的各向异性势,并与其它势模型进行了比较,验证了拟合势的可靠性;然后采用密耦近似方法,计算了He-HCl碰撞体系在不同碰撞能量下的微分散射截面、分波散射截面和总截面,得到了散射截面随能量变化的规律.研究表明:小角散射几率大于大角散射几率;碰撞能量越高,体系的散射几率越小,量子效应越不显著,尾部效应越弱,得到收敛的分波截面所需的分波数也越多.     

He-HBr碰撞体系转动激发截面的研究

作者运用密耦近似方法,计算了能量在100meV下He原子和基态HBr分子碰撞的态-态转动激发截面和碰撞能量分别在100meV,150 meV,200 meV下的总微分截面和总分波截面;总结了该碰撞体系散射截面的变化规律.经研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,非弹性转动激发主要发生在大角部分.     

He-HF碰撞体系转动激发截面的理论研究

运用密耦近似方法计算了能量在100meV下He原子和基态HF分子碰撞的态-态转动激发截面和碰撞能量分别在100meV,150meV,200meV,250meV下的总微分截面和总分波截面;总结了该碰撞体系散射截面的变化规律。系统研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,非弹性转动激发主要发生在大角部分。     

He-HCl势能模型对散射截面影响的比较研究

针对He-HCl碰撞体系的3种不同势能模型,采用公认的精确度较高的密耦(close-coupling)近似方法,分别计算了He-HCl体系的微分散射截面、分波散射截面和总截面;并对计算结果进行了比较及分析.研究表明:势能球平均零点能位置、势阱深度、排斥势的强度以及势能在势阱附近的方向性都对散射截面特别是激发截面有较大的影响.从而为根据散射截面准确地确定He-HCl碰撞体系的相互作用势提供了一种新方法.     

低能电子与Xe原子弹性碰撞的研究

本文利用新的关联极化势公式，并考虑相对论效应，在０．４～３０ｅＶ能量范围内，对低能电子与隋性气体重原子氙弹性碰撞相移和总截面进行了计算和研究，获得了满意的结果。     

18Ar^q＋（q=1,2）与H和He碰撞的电荷剥离截面

采用二体碰撞近似和托马斯费米近似计算了多电荷离 子１８ Ａｒｑ＋ （ ｑ ＝ １ ,２） 与中性原子 Ｈ 和 Ｈｅ 碰撞的电荷剥离截面以及离子势函数和电子动量分布．计算结果与文献［５］ 中数据符合得较好．所用的计算公式和计算程序可以计算任何一个多电荷离子 Ａｑ＋ 与 Ｈ 和 Ｈｅ 碰撞的电荷剥离截面,因而具有一定的普遍意义     

计算核子-核反应截面的Glauber理论和选择共振隧穿模型

通过对核子-核反应截面的两种计算方法进行对比和分析,指出各自的特点和计算中存在的困难,在此基础上,提出将两种计算方法结合起来的设想,希望能解决整个能区内核子-核反应截面的计算问题。     

计算正电子与钾原子碰撞的总散射截面

应用耦合通道光学势方法计算低能正电子同钾原子碰撞的总散射截面． 在 Ｐ 空间的耦合积分方程中包括 ８ 个能量最低的散射通道, 用 Ｑ 空间的复光学势描述的正负电子偶素所形成的通道和电离通道, 被附加到 Ｐ 空间的通道耦合中． 计算结果表明, 电离和正负电子偶素的形成在正电子和钾原子碰撞散射体系中起着重要的作用．     

应用光伏方法估算硅单晶表面态俘获截面

提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon和σ-p的新方法.此法基于变温光伏测量，采用（111）p型硅单晶（NA=1.5×1016cm-3）为实验样品.由于表面势垒高度ΦBP=0.5756V,表面复合速度sn=4.8×103cm*s-1以及表面态密度Ds=6.7×1011cm-2*eV-1可由光伏方法测算，则表面态俘获截面σon≈5×10-13cm2与σ-p≈2×10-12cm2可通过应用Shockley-Read体复合理论于表面而被估算.此结果与其它方法得到的有关报导的结果相一致.