超声波去蜡清洗技术研究

超声波清洗技术是半导体材料制备的主要清洗方法,极大地提高了半导体材料制备的工作效率和清洗效果。阐述了超声波清洗作用原理。通过调节超声机功率密度、频率,进行晶片去蜡清洗实验,验证、分析了超声清洗过程中超声机功率密度、频率对晶片去蜡清洗的影响。     

单晶α-Al2O3镜面加工工艺研究

通过对单晶α－Al2O3磨削，研磨，抛光工艺中的设备，工具，辅料，清洗，环境等方面的研究，优化了加工工艺，使晶片表面粗糙度降低到0.4nm以下，成品率由94％提高到99．5％，加工成本降低了30％。     

抛光转速对砷化镓双面抛光片表面平整度的影响

砷化镓双面抛光片的平整度不仅影响光刻过程中的对焦精度,而且双抛过程中的边缘过抛现象,即砷化镓晶片边缘去除速率增加,使得在后续应用过程中晶片边缘需去除2~3,mm,造成材料及生产成本的浪费。实验主要设计对抛光盘转速和内外齿圈转速影响双抛片表面平整度情况进行验证,结果显示抛光盘转速对抛光去除速率的影响较内外齿圈转速更为显著,而晶片的运动轨迹主要集中在抛光布中部的环状范围内,当抛光盘转速增加就造成抛光布中部的集中磨损,影响晶片的连续抛光稳定性,使晶片中心去除速率降低,而边缘过抛,增加双抛片的表面平整度。     

抛光垫使用寿命对硅单晶片抛光质量影响的研究

化学机械抛光技术已经在超大规模集成电路制造中得到广泛应用,主要用于加工超光滑无损伤的硅单晶衬底和对晶片进行局部和全局平坦化。虽然在化学机械抛光技术中影响硅片抛光效果的因素有很多,但抛光垫是影响抛光效果的关键因素之一。研究了抛光垫使用时间和相应时间硅片的抛光效果之间的关系,指出可通过在抛光过程中控制抛光垫的使用时间,对抛光的工艺参数进行更好的调整。     

超声椭圆振动-化学机械复合抛光硅片实验研究

在研制超声椭圆振动-化学机械复合抛光硅片实验装置基础上,进一步开展了抛光压力P,抛光点速度v及抛光液供给量Q等可控工艺参数对硅片抛光表面粗糙度、表面形貌和材料去除率影响的有无超声椭圆振动辅助抛光的对比实验研究.实验结果表明:抛光工具的超声椭圆振动有利于抛光垫保持良好的表面形貌和抛光区获得良好的工作状况,提高硅片材料的去除率;抛光压力对抛光质量的影响最大,抛光速度次之,抛光液供给量影响最小;在最佳抛光效果情况下,可使硅片抛光表面粗糙度值由传统抛光法所获得的Ra0.077ìm降到超声辅助抛光法的Ra0.042 ìm,材料去除率最多可提高18%,并且工件表面形貌有明显改善.     

超声波清洗工艺在汽车清洗中的应用

对汽车清洗技术中传统的机械清洗法、湿法化学清洗法的应用现状进行了分析,介绍了超声波清洗技术的工艺特点以及与传统清洗技术相比具有的优势.通过对超声波清洗设备结构、清洗机理和清洗过程的介绍,进一步阐述了超声波清洗技术在汽车上的具体应用和广阔的发展前景.     

提高10.16cm砷化镓晶片单面精抛表面质量的工艺研究

在半导体制造工艺中,要获得一个平滑、光亮、无损伤层的表面,需要对半导体晶片进行表面精抛。国际上主要采用化学机械混合同时抛光,获得的晶片表面平整、光洁度好、机械损伤小。目前砷化镓材料的抛光液配方较多,但工艺条件比较严格,抛光结果并不理想。从抛光转速、抛光压力、抛光液3方面进行试验设计与研究,并对结果进行讨论,最终得到了一种稳定、重复性好的10.16cm砷化镓单面精抛工艺。     

化学机械抛光中抛光垫作用分析

化学机械抛光（chemical mechanical polishing／planarization,CMP）能够提供高级别的整体平面度和局部平面度而成为集成电路（integrated circuit,IC）中起重要作用的一门技术．抛光垫是CMP性能的主要影响因素．这里建立了一个初步的二维流动模型以考虑抛光垫的弹性、孔隙参数、粗糙度以及晶片形状等因素对抛光液流动性能的影响,并通过数值模拟得出了它们对压力分布和膜厚等的作用．结果表明：由于抛光垫的变形和多孔性,承载能力将有所下降,膜厚增大,从而有利于抛光液中粒子和磨屑的带出．晶片表面曲率的变化对压力和膜厚的作用也很明显,全膜条件粗糙度的存在将引起流体压力的波动．研究为设计CMP中合适的抛光垫参数提供了初步的理论依据．     

改善超声清洗中声场均匀性的研究进展

超声清洗是功率超声最为广泛的应用之一,清洗效果受各种条件影响.为了改善驻波声场对清洗效果的影响,分析了声场分布在超声清洗中的影响作用,综述了近年消除驻波、改善声场均匀性的超声清洗新技术,对超声清洗技术的发展作出了展望.     

超声空化影响因素

在对超声空化的有关理论进行研究的基础上,研究、分析与总结了影响超声空化的液体若干物理参数、声场参数、环境压力等各种因素,为诸如超声空化清洗设备的研究、开发等超声空化技术的实际应用提供有效的帮助.     

超高精度大直径硅片表面超声浮动抛光

为了提高大直径硅片表面质量,利用超声浮动抛光加工宏观磨削力、磨削应力、磨削热小,对加工材料表面损伤低的特点,再结合相关磨料对超高精度大直径硅片表面进行超声浮动抛光加工.在工作机理研究的基础上,对大直径硅片超声浮动抛光加工进行了实验研究,优化了其工作参数,获得了满意的效果,为该技术的实际应用奠定了理论与实验基础.     

超声空化影响因素

在对超声空化的有关理论进行研究的基础上，研究、分析与总结了影响超声空化的液体若干物理参数、声场参数、环境压力等各种因素，为诸如超声空化清洗设备的研究、开发等超声空化技术的实际应用提供有效的帮助。     

超声电流变复合抛光试验

针对模具微结构光整加工,利用电流变效应对磨料的聚集作用和超声振动对磨料的驱动作用,提出了超声电流变复合抛光工艺.开发了超声电流变复合抛光加工系统.正交试验结果表明超声振动的振幅和施加的电场强度对表面粗糙度的影响最大.通过单因素试验研究了超声电流变复合抛光工艺参数对抛光后表面粗糙度的影响规律.试验结果验证了超声电流变复合抛光工艺可行性,为后续工艺优化和实际应用奠定了基础.     

浅析超声水洗技术清洗膜污染研究现状

为更好的控制膜污染,增强膜污染清洗效果和减少经济成本;本文对膜清洗方法进行了对比分析,分析表明超声水洗技术在膜污染清洗中的已经得到了应用,并表现出了控制简单,使范围广泛,而且没有二次污染的有点。通过对影响超声水洗效果和膜材料性能的一些参数影响因素进行总结,建议在以后的研究和应用对影响超声水洗膜污染性能的参数进行综合优化,以期达到节能高效的目的。     

超声空化清洗技术及其应用

在阐述空化、空化射流;超声空化及超声空化清洗技术的基础上,对声空化发生的过程及影响产生超声空化空穴的因素进行了研究与探讨,并论述了超声清洗技术的优越性,此外,还对该技术的发展前景及研究发展方向进行了展望.     

RCA清洗法与NCW清洗法对砷化镓晶片表面杂质去除效果对比实验

选取目前最常用的RCA清洗法和NCW清洗法分别对同批次加工的砷化镓抛光片进行清洗,使用X射线光电子谱对晶片表面杂质成分进行测试,对表面颗粒、有机物和金属3种杂质类型进行量化对比,分析两种清洗方法对3种杂质的去除能力。结果显示:表面活性剂对于有机物的去除效果比乙醇略强。基于双氧水的强氧化性和砷、镓氧化物更易溶于氨水的特性,SC-2清洗液对于表面氧化层的剥离和去除强于表面活性剂。对于主要金属杂质,两种清洗方法的去除能力相当。     

超声空化清洗技术及其应用

在阐述空化、空化射流；超声空化及超声空化清洗技术的基础上，对声空化发生的过程及影响产生超声空化空穴的因素进行了研究与探讨，并论述了超声清洗技术的优越性，此外，还对该技术的发展前景及研究发展方向进行了展望。     

高压气瓶内表面除锈技术研究

分析研究了高压气瓶内表面除锈的两种主要技术:超声波清洗技术与机械除锈技术。在阐述超声波清洗除锈技术机理基础上,重点分析了超声清洗各种工艺参数对除锈效果的影响,讨论了参数选取的基本原则,根据高压气瓶特点提出超声清洗除锈的两种可行方案。同时阐述了机械除锈的基本原理,针对高压气瓶结构设计了一套机械除锈装置,详细分析了该装置的组成,对各关键部件参数进行了设计计算。     

半导体硅材料的清洗方法

半导体行业中的很重要的一道工序就是对半导体材料的清洗,这直接影响着半导体材料的质量及下游产品的性能。介绍了硅片表面污染的种类来源以及形成机理。对目前硅片主要清洗方法——RCA清洗法、超声清洗法、气相清洗法和其他清洗法的工作原理、清洗效果、适用范围等特点进行研究,分析了各种清洗方法的优缺点。最后,重点对半导体硅片传统的RCA清洗方法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限进行了详细介绍。生产企业可根据实际生产情况和产品要求选择合适的清洗方法。     

基于有限元的超声聚焦悬浮振子设计研究

针对精密硅晶片在传统夹持与运送过程中存在的问题,提出了基于超声聚焦悬浮的非接触夹持方式。利用纵弯复合振动原理及自聚焦原理设计了纵弯复合超声聚焦悬浮振子,基于有限元分析方法对其进行了结构动力学仿真分析,并对超声聚焦悬浮振子样机进行了阻抗和振动测试实验研究,为实现硅晶片的非接触超声聚焦悬浮操纵和安全运送奠定了研究基础。